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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >A precharged-capacitor-assisted sensing (PCAS) scheme with novellevel controllers for low-power DRAMs
【24h】

A precharged-capacitor-assisted sensing (PCAS) scheme with novellevel controllers for low-power DRAMs

机译：具有新型电平控制器的低功耗DRAM预充电电容器辅助传感（PCAS）方案

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A precharged capacitor-assisted sensing (PCAS) scheme suitable fornlow-power DRAM using boosted-sense ground (BSG) is proposed. In thisnscheme, the data on bitlines are sensed with the assistance ofnprecharged capacitors. Precise data level generation is achieved withnsense speed 4.2 ns faster than the conventional scheme in the case thatnbitline swing is 1.4 V. Necessary decoupling capacitors can benefficiently implemented in memory arrays by using junction capacitorsnbetween well and substrate so that the area penalty of decouplingncapacitors can be minimized. To keep sensed data stable, two types ofnlevel controllers are introduced. A voltage downconverter (VDC) with ancurrent mirror discharger (CMD) compensates for the change of both datanlevels during write/read operations. A level controller with chargentransfer amplifier (CTA) prevents the BSG level from falling during thenrow active period. The two level controllers greatly improvendata-retention characteristics
机译：提出了一种适用于低功率DRAM的预充电电容器辅助传感（PCAS）方案，该方案使用了增强型感测接地（BSG）。在此方案中，借助预充电电容器来检测位线上的数据。在位线摆幅为1.4 V的情况下，以比传统方案快4.2 ns的速度实现了精确的数据电平生成。通过在阱和衬底之间使用结电容器，可以在存储器阵列中有效地实现必要的去耦电容器，从而可以将去耦电容器的面积损失最小化。 。为了保持感测数据的稳定，引入了两种类型的nlevel控制器。带有电流镜放电器（CMD）的降压转换器（VDC）可以在写/读操作期间补偿两个数据电平的变化。具有电荷传输放大器（CTA）的电平控制器可防止在行激活期间BSG电平下降。两级控制器极大地改善了数据保留特性

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