A versatile 3.3/2.5/1.8-V CMOS I/O driver built in a 0.2-Μm,3.5-nm Tox, 1.8-V CMOS technology

著录项

• 来源
  《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |1999年第11期|p.1501-1511|共11页
• 作者

  Sanchez H.; Sigel J.; Nicoletta C.; Nissen J.P.; Alvarez J.;

  展开▼
• 作者单位

  展开▼
• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;基本电子电路;
• 关键词

  CMOS digital integrated circuits; driver circuits; high-speed integrated circuits; integrated circuit noise; integrated circuit reliability; protection; 0.2 micron; 1.8 to 3.3 V; 3.5 nm; 400 MHz; CMOS I/O driver; bias generator; high speed bus; level shifter; noise re;

  机译：CMOS数字集成电路;驱动器电路;高速集成电路;集成电路噪声;集成电路可靠性;保护;0.2微米;1.8至3.3 V;3.5 nm;400 MHz;CMOS I / O驱动器;偏置发生器;高速总线电平转换器噪声;