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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >A 60-dB gain, 55-dB dynamic range, 10-Gb/s broad-band SiGe HBT limiting amplifier
【24h】

A 60-dB gain, 55-dB dynamic range, 10-Gb/s broad-band SiGe HBT limiting amplifier

机译：60 dB增益，55 dB动态范围，10 Gb / s宽带SiGe HBT限幅放大器

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A limiting amplifier IC implemented in a silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor technology for low-cost 10-Gb/s applications is described. The IC employs 20 dB gain limiting cells, input overload protection, split analog-digital grounds, and on-chip isolation interface with transmission lines. A gain enhancement technique has been developed for a parallel-feedback limiting cell. The limiting amplifier sensitivity is less than 3.5 mV/sub pp/ at BER=10/sup -9/ with 2-V/sub pp/ maximum input (55-dB dynamic range). The total gain is over 60 dB, and S/sub 21/ bandwidth exceeds 15 GHz at 10-mV/sub pp/ input. Parameters S/sub 11/ and S/sub 22/ are better than -10 dB in the 10-GHz frequency range. The AM to PM conversion is less than 5 ps across input dynamic range. The output differential voltage can be set from 0.2 to 2 V/sub pp/ with IC power dissipation from 250 mW to 1.1 W. The chip area is 1.2/spl times/2.6 mm/sup 2/. A 10-Gb/s optical receiver, built with the packaged limiting amplifier, demonstrated -19.6-dBm sensitivity. The IC can be used in 10-Gb/s fiber-optic receivers requiring high sensitivity and wide input dynamic range.
机译：描述了一种以低成本10 Gb / s应用的硅锗（SiGe）异质结双极晶体管技术实现的限幅放大器IC。该集成电路采用20 dB增益限制单元，输入过载保护，分离的模拟数字地以及具有传输线的片上隔离接口。已经开发了用于并行反馈限制单元的增益增强技术。限幅放大器的灵敏度在BER = 10 / sup -9 /的情况下小于3.5 mV / sub pp /，最大输入为2V / sub pp /（55 dB动态范围）。在10 mV / sub pp /输入下，总增益超过60 dB，S / sub 21 /带宽超过15 GHz。在10 GHz频率范围内，参数S / sub 11 /和S / sub 22 /优于-10 dB。在输入动态范围内，AM到PM的转换小于5 ps。输出差分电压可设置为0.2至2 V / sub pp /，IC功耗为250 mW至1.1W。芯片面积为1.2 / spl倍/2.6 mm / sup 2 /。内置限幅放大器的10 Gb / s光接收机的灵敏度为-19.6-dBm。该IC可用于需要高灵敏度和宽输入动态范围的10 Gb / s光纤接收器中。

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