A 60-dB gain, 55-dB dynamic range, 10-Gb/s broad-band SiGe HBTlimiting amplifier

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• 来源
  《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |1999年第12期|p.1914-1920|共7页
• 作者

  Greshishchev Yu.M.; Schvan P.;

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• 作者单位

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;基本电子电路;
• 关键词

  Ge-Si alloys; bipolar analogue integrated circuits; digital communication; error statistics; heterojunction bipolar transistors; limiters; optical receivers; protection; semiconductor materials; sensitivity analysis; wideband amplifiers; 10 Gbit/s; 15 GHz; 20 dB; 250;

  机译：Ge-Si合金;双极模拟集成电路;数字通信;误差统计;异质结双极晶体管;限幅器;光接收器;保护;半导体材料;灵敏度分析;宽带放大器;10 Gbit / s;15 GHz;20 dB;250;