A 1/2-in, 1.3 M-pixel progressive-scan CCD image sensor employing0.25-Μm gap single-layer poly-Si electrodes

著录项

• 来源
  《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |1999年第12期|p.1835-1842|共8页
• 作者

  Furumiya M.; Hatano K.; Nakashiba Y.; Murakami I.; Yamada T.; Nakano T.; Kawakami Y.; Kawasaki T.; Hokari Y.;

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• 作者单位

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;基本电子电路;
• 关键词

  CCD image sensors; electrodes; elemental semiconductors; low-power electronics; silicon; 0.25 micron; 0.5 in; 1.3 Mpixel; 100 mW; 2.1 V; 24.5 MHz; Si; fabrication; horizontal CCD; low-power digital camera; multioxide transistor; progressive-scan interline-transfer CCD i;

  机译：CCD图像传感器;电极;元素半导体;低功耗电子设备;硅;0.25微米;0.5英寸;1.3 Mpixel;100 mW;2.1 V;24.5 MHz;Si;制造;水平CCD;低功耗数码相机;多氧化物晶体管;逐行扫描行间传输CCD i;