An approach for fabricating high-performance inductors onlow-resistivity substrates

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• 来源
  《IEEE Journal of Solid-State Circuits》 |1998年第9期|p.1433-1438|共6页
• 作者

  Ya-Hong Xie; Frei M.R.; Becker A.J.; King C.A.; Kossives D.; Gomez L.T.; Theiss S.K.;

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• 作者单位

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 一般性问题;基本电子电路;
• 关键词

  CMOS integrated circuits; Q-factor; UHF integrated circuits; inductors; integrated circuit technology; mixed analogue-digital integrated circuits; porous materials; secondary ion mass spectra; silicon; substrates; 0.008 ohmcm; 250 micron; 3 GHz; Al-Si; Q-factor limita;

  机译：CMOS集成电路;Q因子;UHF集成电路;电感器;集成电路技术;模拟/数字混合集成电路;多孔材料;二次离子质谱;硅;基板;0.008 ohmcm;250微米;3 GHz;Al-Si;Q因子极限;