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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >Very-high-speed InP/InGaAs HBT ICs for optical transmission systems
【24h】

Very-high-speed InP/InGaAs HBT ICs for optical transmission systems

机译：用于光传输系统的超高速InP / InGaAs HBT IC

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High-speed ICs for 20-40-Gbit/s time-division multiplexing (TDM) optical transmission systems have been designed and fabricated by using InP/InGaAs heterojunction-bipolar-transistor (HBT) technology. This paper describes four analog ICs and four digital ICs: a five-section cascode distributed amplifier with a gain of 9.5 dB and a bandwidth of 50 GHz, a three-section single-end-to-differential converter with a bandwidth of 40 GHz, a cascode differential amplifier with a gain of 10.5 dB and a bandwidth of 64 GHz, a preamplifier with a gain of 41.9 dB/spl Omega/ and a bandwidth of 39 GHz, a modulator driver with an output voltage swing of 3.2 V peak-to-peak and rise and fall times of 16 and 15 ps, a 40-Gbit/s selector, a 20-Gbit/s D-type flip-flop, and a static frequency divider with an operating range of 2.0-44.0 GHz. All the ICs were measured with on-wafer RF probes.
机译：通过使用InP / InGaAs异质结双极晶体管（HBT）技术设计和制造用于20-40 Gbit / s时分多路复用（TDM）光传输系统的高速IC。本文介绍了四个模拟IC和四个数字IC：一个增益为9.5 dB，带宽为50 GHz的五段共源共栅分布式放大器，带宽为40 GHz的三段单端至差分转换器，一个增益为10.5 dB，带宽为64 GHz的共源共栅差分放大器，一个增益为41.9 dB / spl Omega /和带宽为39 GHz的前置放大器，一个调制器驱动器，其输出电压摆幅为峰峰值至3.2 V峰值和上升与下降时间分别为16和15 ps，一个40 Gbit / s的选择器，一个20 Gbit / s的D型触发器以及一个工作范围为2.0-44.0 GHz的静态分频器。所有的IC均通过晶圆上的RF探针进行测量。

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