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首页> 外文期刊>IEEE Journal of Solid-State Circuits >A 2.4 Gb/s receiver and a 1:16 demultiplexer in one chip using a super self-aligned selectively grown SiGe base (SSSB) bipolar transistor
【24h】

A 2.4 Gb/s receiver and a 1:16 demultiplexer in one chip using a super self-aligned selectively grown SiGe base (SSSB) bipolar transistor

机译：在一个芯片中使用超级自对准选择性生长SiGe基极（SSSB）双极晶体管的一个2.4 Gb / s接收器和1:16解复用器

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This paper reports a 2.4 Gb/s optical terminal IC that integrates high-speed analog and digital circuits for future optical networks using 60-GHz f/sub T/ self-aligned silicon-germanium (SiGe)-alloy base bipolar transistors. The selective epitaxial growth (SEG) SiGe base was formed by using cold-wall ultra-high vacuum (UHV)/CVD technology. Boron concentration reduction at the SiGe epitaxial layer/Si-substrate interface by using a new treatment prior to SEG leads to electrical characteristics with less dependence on bias voltage. The IC consists of a receiver (a preamplifier, an automatic gain control (AGC) amplifier, a phase-locked loop (PLL), and a D-type flip-flop (D-F/F)), and a 1:16 demultiplexer (DMUX). An input offset control circuit is included in the AGC amplifier for wide dynamic range. Trench isolation and silicon-on-insulator (SOI) technologies are introduced to reduce crosstalk between the amplifiers and the PLL. Power consumptions are 0.6 W at -5.2 V for the analog part and 0.45 W at -3.3 V for the digital part, which does not include the ECL output buffers.
机译：本文报道了一个2.4 Gb / s光学终端IC，该集成电路集成了高速模拟和数字电路，可用于使用60 GHz f / sub T /自对准硅锗（SiGe）合金双极晶体管的未来光网络。通过使用冷壁超高真空（UHV）/ CVD技术形成选择性外延生长（SEG）SiGe基极。通过在SEG之前使用新的处理降低SiGe外延层/ Si-衬底界面处的硼浓度，可以得到电特性，而对偏置电压的依赖性较小。该IC由一个接收器（一个前置放大器，一个自动增益控制（AGC）放大器，一个锁相环（PLL）和一个D型触发器（DF / F））和一个1:16解复用器（ DMUX）。 AGC放大器中包含一个输入失调控制电路，以实现宽动态范围。引入了沟槽隔离和绝缘体上硅（SOI）技术，以减少放大器和PLL之间的串扰。模拟部分在-5.2 V时的功耗为0.6 W，数字部分在-3.3 V时的功耗为0.45 W，其中不包括ECL输出缓冲器。

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