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首页> 外文期刊>Solid State Communications >Crystal growth and dielectric, piezoelectric and elastic properties of Ca_3TaGa_3Si_2O_(14) single crystal
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Crystal growth and dielectric, piezoelectric and elastic properties of Ca_3TaGa_3Si_2O_(14) single crystal

机译：Ca_3TaGa_3Si_2O_（14）单晶的晶体生长以及介电，压电和弹性性质

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Single crystals of Ca_3TaGa_3Si_2O_(14) (CTGS) were successfully grown from stoichiometric melts by the conventional Czochralski technique. The relative dielectric constants, the piezoelectric strain constants and the elastic compliance constants of CTGS single crystal have been determined by an electric bridge and resonance-antiresonance method. At room temperature, the two piezoelectric strain constants d_(11) and d_(14) are —4.58 x 10~(-12) coulombs per newton (C/N) and 10.43 x 10~(-12) coulombs per newton (C/N), respectively. The velocities of the bulk acoustic wave are also calculated.
机译：Ca_3TaGa_3Si_2O_（14）（CTGS）的单晶通过常规的切克劳斯基技术从化学计量的熔体中成功生长出来。 CTGS单晶的相对介电常数，压电应变常数和弹性柔度常数已通过电桥和共振-反共振方法确定。在室温下，两个压电应变常数d_（11）和d_（14）为-4.58 x 10〜（-12）库仑/牛顿（C / N）和10.43 x 10〜（-12）库仑/牛顿（C / N）。还计算了体声波的速度。

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