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【24h】

Local indium segregation and bang gap variations in high efficiency green light emitting InGaN/GaN diodes

机译：高效绿色发光InGaN / GaN二极管中的局部铟偏析和爆炸间隙变化

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High efficient green light emitting diodes (LED) on the basis of GaN/InGaN exhibit indium-rich nanoclusters inside the quantum wells (QW) due to InN-GaN phase decomposition. By direct measurements of the variations in the electronic structure, we show for the first time a correlation between indium-rich nanoclusters and local energy band gap minima. Our investigations reveal the presence of 1-3 nm wide indium rich clusters in these devices with indium concentrations x as large as x similar to 0.30-0.40 that narrow the band gap locally to energies as small as 2.65 CV. These clusters are able to act as local traps for migrating photon-emitting carriers and seem to boost the overall device performance. (c) 2005 Elsevier Ltd. All rights reserved.
机译：基于GaN / InGaN的高效绿色发光二极管（LED）由于InN-GaN相分解而在量子阱（QW）内部显示出富铟的纳米簇。通过直接测量电子结构的变化，我们首次展示了富铟纳米团簇与局部能带隙最小值之间的相关性。我们的研究表明，在这些器件中存在1-3 nm宽的富铟簇，其铟浓度x高达x约等于0.30-0.40，从而将带隙局部缩小至能量低至2.65 CV。这些簇可以充当迁移光子发射载流子的局部陷阱，并且似乎可以提高整个设备的性能。 （c）2005 Elsevier Ltd.保留所有权利。

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