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AgGaSe2: A highly photoconductive material

机译：AgGaSe2：一种高光电导材料

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High resistivity single crystals of AgGaSe2 were grown by the horizontal Bridgman technique. The near band edge photoconductivity of the grown crystal at room temperature was found to be up to 2 x 10(4) times higher than the dark conductivity, under the illumination of 10(-3) W/cm(2). The photoconductivity spectrum consists primarily of three peaks, which are attributed to the transitions from Gamma(7)(A), Gamma(6)(B) and Gamma(7)(C) states of valence band to the conduction band Gamma(6). The crystal field splitting and the spin-orbit splitting were determined from these peak energy positions of the photoconductivity spectrum. (c) 2006 Elsevier Ltd. All rights reserved.
机译：通过水平布里奇曼技术生长高电阻率的AgGaSe2单晶。发现在室温下，在10（-3）W / cm（2）的光照下，生长晶体的近带边缘光电导性比暗电导率高2到10（4）倍。光电导谱主要由三个峰组成，这三个峰归因于从价带的Gamma（7）（A），Gamma（6）（B）和Gamma（7）（C）态到导带Gamma（6）的跃迁）。晶体场分裂和自旋轨道分裂是从光电导光谱的这些峰值能量位置确定的。 （c）2006 Elsevier Ltd.保留所有权利。

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