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Field emission properties of carbon nanotubes grown on silicon nanowire arrays

机译：在硅纳米线阵列上生长的碳纳米管的场发射特性

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Carbon nanotubes are synthesized oil the silicon nanowire arrays which are fabricated on silicon substrate by chemical vapor depositing SiCl4 and H-2 gases in the presence of An catalysts. The silicon nanowires are single-crystal with lengths up to 100 mum and diameters ranging from 50 to 500 run. The tangled carbon nanotubes; are grown directly from the surface of Si nanowires. The field emission properties of the carbon nanotubes are investigated at the gap of 200 pm. The low turn on and threshold fields are obtained. The stabilization of the emission currents is also presented. (C) 2004 Elsevier Ltd. All rights reserved.
机译：碳纳米管是在硅纳米线阵列上合成的，硅纳米线阵列是在An催化剂存在下通过化学气相沉积SiCl4和H-2气体在硅基板上制成的。硅纳米线是单晶，长度可达100微米，直径范围为50至500纳米。缠结的碳纳米管；直接从Si纳米线的表面生长。在200 pm的间隙处研究了碳纳米管的场发射特性。获得低开启和阈值字段。还提出了发射电流的稳定化。 （C）2004 Elsevier Ltd.保留所有权利。

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