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【24h】

Electrical properties of high Curie temperature (1-x)Pb(In1/2Nb1/2)O-3-xPbTiO(3) single crystals grown by the solution Bridgman technique

机译：溶液布里奇曼技术生长的高居里温度（1-x）Pb（In1 / 2Nb1 / 2）O-3-xPbTiO（3）单晶的电性能

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0.65Pb(In1/2Nb1/2)O-3-0.35PbTiO(3) (PINT65/35) (starting composition) single crystals were grown Successfully through the Solution Bridgman technique using PbO flux and PMNT67/33 seed crystals. Because of the composition variation. the final composition of achievable crystals is in a range of 0.32-0.34 with the corresponding T-c range of 265-269 degrees C. The (001) plates of as grown PINT66/34 single crystals show high Curie temperature (T-c = 269 degrees C) and rhombohedral-tetragonal phase transition temperature (T-rt = 134 degrees C). Besides, good electrical properties with high dielectric constant (epsilon > 3000), low dielectric loss (tan delta - 1.2%) high piezoelectric constant (d(33) similar to 2000 pC/N) and large electromechanical coupling factor (k(t) approximate to 59%) at room temperature have been obtained on the (001) plates. The Sound velocity, acoustic impedance and other piezoelectric parameters were also measured on the (001) plates in this study, which provide LIS more detailed information about PINT66/34 single crystals. (c) 2005 Elsevier Ltd. All rights reserved.
机译：0.65Pb（In1 / 2Nb1 / 2）O-3-0.35PbTiO（3）（PINT65 / 35）（起始成分）单晶通过使用PbO助熔剂和PMNT67 / 33籽晶的溶液布里奇曼技术成功生长。由于成分变化。可获得的晶体的最终组成在0.32-0.34的范围内，相应的Tc范围在265-269摄氏度。生长的PINT66 / 34单晶的（001）板显示出居里温度高（Tc = 269摄氏度）和菱形-四方相变温度（T-rt = 134摄氏度）。此外，具有良好的电性能，具有高介电常数（ε> 3000），低介电损耗（tanδ-1.2％），高压电常数（d（33）类似于2000 pC / N）和较大的机电耦合因子（k（t）在（001）板上已获得约59％的室温。在这项研究中，还在（001）板上测量了声速，声阻抗和其他压电参数，这为LIS提供了有关PINT66 / 34单晶的更详细信息。 （c）2005 Elsevier Ltd.保留所有权利。

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