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General trends of the carbon penetration in Si(001) surfaces

机译：Si（001）表面碳渗透的一般趋势

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We present a Monte Carlo study on the general trends of the carbon incorporation in Si(001) surfaces in presence of an increasing number of carbon atoms or surface defects such as silicon or germanium ad-dimers. Our results emphasize two possible ways of improving the carbon penetration in the Si(001) subsurface region: (i) increasing the carbon coverage from a single carbon atom per unit cell to a carbon monolayer; (ii) increasing the number of ad-dimers. Combining both effects leads to an appreciable amelioration of the carbon contents in the subsurface layers. Acting on the ad-dimer location with respect to the silicon dimer rows favours the carbon penetration even further. The influence of other parameters such as the ad-dimer-addimer distance or the chemical nature of the defects (silicon or germanium) is also investigated. (c) 2005 Elsevier Ltd. All rights reserved.
机译：我们提出了在越来越多的碳原子或表面缺陷（例如硅或锗二聚体）存在的情况下，Si（001）表面碳掺入的总体趋势的蒙特卡洛研究。我们的结果强调了两种提高Si（001）地下区域碳渗透性的可能方法：（i）将碳覆盖率从每晶胞一个碳原子增加到一个碳单层； （ii）增加广告二聚体的数量。将这两种作用结合在一起，可明显改善地下层的碳含量。相对于硅二聚体行，作用于二聚体位置进一步促进了碳的渗透。还研究了其他参数（如二聚体-二聚体距离或缺陷（硅或锗）的化学性质）的影响。 （c）2005 Elsevier Ltd.保留所有权利。

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