机译:高c轴取向Bi4-xNdxTi3O12薄膜电容器铁电性能的成分依赖性
Neodymium-modified bismuth titanate; Fram; Mosd; Fatigue-free; Bi3; 25la0; 75ti3o12 thin-films; Chemical-vapor-deposition; Bismuth titanate; Polarization; Fatigue; Pt/ti/sio2/si(100); Memories;
机译:c轴取向Bi6Ti3Fe2O18 Aurivillius相薄膜的局部铁电性能的温度依赖性研究:说明了新型无铅钙钛矿材料在高密度存储应用中的潜力
机译:Pb_xSr_(1-x)TiO_3及其在高取向LaNiO_3缓冲Pt / Ti / SiO_2 / Si衬底上生长的成分渐变薄膜的铁电性能
机译:Nd,Mn共取代抑制漏电流的Bifeo_3薄膜电容器的成分依赖性及其铁电性能
机译:高度C轴 - 料纳米结构(PB,SR)(ZR,Ti)O_3薄膜的铁电,介电和热电性能
机译:超厚C轴取向钡铁氧体薄膜的形貌,结构和物理性能。
机译:在高度c轴取向的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜中具有超低应变滞后的大压电应变并且在非晶玻璃基板上呈柱状生长
机译:C轴取向Bi6Ti3Fe2O18 aurivillius相薄膜局部铁电性能的温度依赖性研究:说明新型无铅钙钛矿材料在高密度存储器应用中的潜力