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【24h】

X-band 5-bit MMIC phase shifter with GaN HEMT technology

机译：采用GaN HEMT技术的X波段5位MMIC相移器

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摘要

The design approach and performance of a 5-bit digital phase shifter implemented with 0.25 lm GaN HEMT technology for X-band phased arrays are described. The switched filter and high-pass/low-pass networks are proposed in this article. For all 32 states of the 5-bit phase shifter, the RMS phase error less than 5.5 degrees, RMS amplitude error less than 0.8 dB, insertion loss less than 12 dB and input/output return loss less than 8.5 dB are obtained overall 8-12 GHz. The continuous wave power capability is also measured, and a typical input RF P-1dB data of 32 dBm is achieved at 8 GHz. (c) 2017 Elsevier Ltd. All rights reserved.
机译：描述了采用0.25 lm GaN HEMT技术为X波段相控阵实现的5位数字移相器的设计方法和性能。本文提出了开关滤波器和高通/低通网络。对于5位移相器的所有32种状态，总的8-均得到RMS相位误差小于5.5度，RMS幅度误差小于0.8 dB，插入损耗小于12 dB，输入/输出回波损耗小于8.5 dB。 12 GHz。还测量了连续波功率能力，并且在8 GHz时获得了32 dBm的典型输入RF P-1dB数据。 （c）2017 Elsevier Ltd.保留所有权利。

著录项

  • 来源
    《Solid-State Electronics》 |2017年第10期|18-23|共6页
  • 作者

    Sun Pengpeng; Liu Hui; Zhang Zongjing; Geng Miao; Zhang Rong; Luo Weijun;

  • 作者单位

    Univ Chinese Acad Sci, Chinese Acad Sci, Inst Microelect, Beijing, Peoples R China;

    Univ Chinese Acad Sci, Chinese Acad Sci, Inst Microelect, Beijing, Peoples R China;

    Univ Chinese Acad Sci, Chinese Acad Sci, Inst Microelect, Beijing, Peoples R China;

    Univ Chinese Acad Sci, Chinese Acad Sci, Inst Microelect, Beijing, Peoples R China;

    Univ Chinese Acad Sci, Chinese Acad Sci, Inst Microelect, Beijing, Peoples R China;

    Univ Chinese Acad Sci, Chinese Acad Sci, Inst Microelect, Beijing, Peoples R China;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    Phase shifter; Switched filter; High-pass/low-pass; GaN HEMT; X-band;

    机译：移相器;开关滤波器;高通/低通;GaN HEMT;X波段;

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