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首页> 外文期刊>Solid-State Electronics >On the extension of ET-FDSOI rdadmap for 22 nm node and beyond
【24h】

On the extension of ET-FDSOI rdadmap for 22 nm node and beyond

机译：关于ET-FDSOI rdadmap在22 nm节点及以后的扩展

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摘要

With the current scenario of different candidates to lead the road to 14 nm node and beyond, this work presents a thorough Multi-Subband Ensemble Monte Carlo (MS-EMC) study of the scaling possibilities of Extremely Thin Silicon on Insulator technology (ETSOI) considering the impact of Buried Oxide (BOX) engineering on the electrostatic integrity of devices addressed for the forthcoming technological nodes. The simulations show that the combined use of Ultra Thin BOX (UTBOX) and Ground Plane/Back Bias (GP/ BB) plane are enabling techniques to ensure an adequate control of Short Channel Effects (SCEs) in order to extend the roadmap of ETSOI technology down to 11 nm node and beyond. BOX engineering also makes possible a redefinition of standard scaling rules relaxing the constraints on L_G/T_(Si) ratio with the advantage over Multiple Gate FETs (MuGFETs) based architectures of a fully compatible fabrication process with main stream planar technologies.
机译：在目前有不同的候选方案引领14纳米节点及更高节点发展的当前情况下，这项工作提出了一个全面的多子带集成蒙特卡罗（MS-EMC）研究，该研究考虑了极薄绝缘体上硅技术（ETSOI）的可扩展性埋藏式氧化物（BOX）工程对即将面世的技术节点解决的设备的静电完整性的影响。仿真显示，超薄BOX（UTBOX）和地平面/后偏置（GP / BB）平面的组合使用使技术能够确保适当控制短通道效应（SCE），从而扩展ETSOI技术的路线图低至11 nm节点及更高。 BOX工程还使重新定义标准缩放规则成为可能，从而放宽了对L_G / T_（Si）比率的限制，并具有优于基于多栅极FET（MuGFET）的架构与主流平面技术完全兼容的制造工艺的优势。

著录项

  • 来源
    《Solid-State Electronics》 |2013年第12期|23-27|共5页
  • 作者

    C. Sampedro; F. Gamiz; A. Godoy;

  • 作者单位

    Nanoelectronics Research Croup, Departamento de Electronica, Universidad de Granada, Campus Fuentenueva S/N, 18071 Granada, Spain OTIC Universidad de Granada, 18071 Granada, Spain;

    Nanoelectronics Research Croup, Departamento de Electronica, Universidad de Granada, Campus Fuentenueva S/N, 18071 Granada, Spain OTIC Universidad de Granada, 18071 Granada, Spain;

    Nanoelectronics Research Croup, Departamento de Electronica, Universidad de Granada, Campus Fuentenueva S/N, 18071 Granada, Spain OTIC Universidad de Granada, 18071 Granada, Spain;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    Multi-Subband Ensemble Monte Carlo; ETSOI; FDSOI; Ultra Thin BOX; BOX engineering;

    机译：多子乐队合奏Monte Carlo;ETSOI;FDSOI;超薄BOX;BOX工程;

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