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Characterization of heavily doped SOI wafers under pseudo-MOSFET configuration

机译：伪MOSFET配置下重掺杂SOI晶圆的特性

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摘要

The pseudo-MOSFET (Ψ-MOSFET) method is extended for the electrical characterization of heavily doped (10~(19)-10~(20) cm~(-3)) SOI wafers with 10-40 nm film thickness. The field-effect modulation is small and does not enable the formation of an inversion channel. Only accumulation and depletion-controlled volume conduction modes are activated by increasing the back-gate voltage to 40 V. An updated model describing the conduction regimes for heavily doped SOI wafers is derived. This model provides a simple method for parameters extraction such as surface and volume mobility and doping level. Four-point probe and Hall effect measurements fully validate our Ψ-M0SFET results. It is found that high-dose implantation results in good redistribution and electrical activation of impurities, without affecting the quality of the buried oxide and Si-SiO_2 interface.
机译：扩展了伪MOSFET（Ψ-MOSFET）方法，以对膜厚度为10-40 nm的重掺杂（10〜（19）-10〜（20）cm〜（-3））SOI晶片进行电学表征。场效应调制很小，并且无法形成反向通道。通过将背栅电压提高到40 V，仅激活累积和耗尽控制的体积导电模式。得出描述重掺杂SOI晶片的导电方式的更新模型。该模型提供了一种简单的参数提取方法，例如表面和体积迁移率以及掺杂水平。四点探针和霍尔效应测量完全验证了我们的Ψ-M0SFET结果。发现高剂量注入导致杂质的良好再分布和电活化，而不影响掩埋氧化物和Si-SiO_2界面的质量。

著录项

  • 来源
    《Solid-State Electronics》 |2013年第12期|55-72|共18页
  • 作者

    F.Y. Liu; A. Diab; I. Ionica; K. Akarvardar; C. Hobbs; T. Ouisse; X. Mescot; S. Cristoloveanu;

  • 作者单位

    MEP-LAHC, INP-Crenoble, MINATEC, 3 Parvis Louis Neel, BP257, 38016 Grenoble, France;

    MEP-LAHC, INP-Crenoble, MINATEC, 3 Parvis Louis Neel, BP257, 38016 Grenoble, France;

    MEP-LAHC, INP-Crenoble, MINATEC, 3 Parvis Louis Neel, BP257, 38016 Grenoble, France;

    SEMATECH, 257 Fuller Rd., Suite 2200, Albany, NY 12203, USA;

    SEMATECH, 257 Fuller Rd., Suite 2200, Albany, NY 12203, USA;

    LMCP, INP-Crenoble, MINATEC, 3 Parvis Louis Neel, BP 257, 38016 Grenoble, France;

    MEP-LAHC, INP-Crenoble, MINATEC, 3 Parvis Louis Neel, BP257, 38016 Grenoble, France;

    MEP-LAHC, INP-Crenoble, MINATEC, 3 Parvis Louis Neel, BP257, 38016 Grenoble, France;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    Ψ-MOSFET; Heavily doped SOI; Four-point probe; Hall effect;

    机译：Ψ-MOSFET;重掺杂SOI;四点探针;霍尔效应;

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