Characterization and optimization of partially depleted SOI MOSFETs for high power RF switch applications

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• 来源
  《Solid-State Electronics》 |2013年第12期|94-98|共5页
• 作者

  Donggu Im; Kwyro Lee;

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• 作者单位

  Dept. EECS, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon 305-701, Republic of Korea;

  Dept. EECS, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon 305-701, Republic of Korea,National NanoFab Center (NNFC), Daejeon 305-806, Republic of Korea;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  Gate induced drain leakage (GIDL); Power handling capability; RF switch; Silicon-on-lnsulator (SOI) CMOS; Source-drain punch through; Stacked transistors;

  机译：栅极感应漏极泄漏（GIDL）;功率处理能力;射频开关;绝缘体上硅（SOI）CMOS;源漏穿透;堆叠式晶体管;