机译:可变k介电埋层SOI高压器件的电场和击穿电压的新结构及其解析模型
University of Electronic Science and Technology of China, State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Chengdu, Sichuan 610054, PR China;
low-k dielectric; electric field; modulation; breakdown voltage; RESURf;
机译:埋入式层状不可移动电荷的高压SOI器件的新结构及其分析故障模型
机译:埋入式层状不可移动电荷的高压SOI器件的新结构及其分析故障模型
机译:具有复合k介电埋层的高压SOI器件的解析模型
机译:复合电介质层SOI高压器件的分析模型和新结构
机译:高压介电应用中氧化锌和二氧化钛中电击穿和热故障的建模和仿真
机译:由Al2O3和膦酸自组装单层组成的混合电介质可改善低压有机场效应晶体管的性能
机译:n +埋层上植入的resurf p-LDMOS器件的击穿电压模型