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首页> 外文期刊>Solid-State Electronics >Transparent ring oscillator based on indium gallium oxide thin-film transistors
【24h】

Transparent ring oscillator based on indium gallium oxide thin-film transistors

机译：基于铟镓氧化物薄膜晶体管的透明环形振荡器

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Highly transparent ring oscillators, exhibiting ～75% optical transmittance in the visible portion of the electromagnetic spectrum, are fabricated using indium gallium oxide as the active channel material and standard photolithography techniques. The n-channel indium gallium oxide transparent thin-film transistors (TTFTs) exhibit a peak incremental mobility of ～7 cm~2 V~(-1) s~(-1) and turn-on voltage of ～2 V. A five-stage ring oscillator circuit (which does not employ level-shifting) exhibits an oscillation frequency of ～2.2 kHz when the gate and drain of the load transistor are biased at 30 V; the maximum oscillation frequency observed is ～9.5 kHz, with the gate and drain of the load transistor biased at ～80 V.
机译：使用铟镓氧化物作为有源通道材料和标准光刻技术，制造了在电磁光谱的可见光部分具有约75％的光学透射率的高度透明的环形振荡器。 n沟道铟镓氧化物透明薄膜晶体管（TTFT）的峰值迁移率约为〜7 cm〜2 V〜（-1）s〜（-1），导通电压约为〜2V。当负载晶体管的栅极和漏极偏置为30 V时，级环形振荡器电路（不使用电平转换）的振荡频率约为2.2 kHz；观察到的最大振荡频率为〜9.5 kHz，负载晶体管的栅极和漏极偏置为〜80V。

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