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Optoelectronic properties of Zn_(0.52)Se_(0.48)/Si Schottky diodes

机译：Zn_（0.52）Se_（0.48）/ Si肖特基二极管的光电性能

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Zn_(0.52)Se_(0.48)/Si Schottky diodes are fabricated by depositing zinc selenide (Zn_(0.52)Se_(0.48)) thin films onto Si(100) substrates by vacuum evaporation technique. Rutherford backscattering spectrometry (RBS) analysis shows that the deposited films are nearly stoichiometric in nature. X-ray diffractogram of the films reveals the preferential orientation of the films along (111) direction. Structural parameters such as crystallite size (D), dislocation density (δ), strain (ε), and the lattice parameter are calculated as 29.13 nm, 1.187x10~(-15) lin/m~2, 1.354x10~(-3) lin~(-2)m~(-4) and 5.676x10~(-10) m respectively. From the I-V measurements on the Zn_(0.52)Se_(0.48)/p-Si Schottky diodes, ideality and diode rectification factors are evaluated, as 1.749 (305 K) and 1.04x10~4 (305 K) respectively. The built-in potential, effective carrier concentration (N_A) and barrier height were also evaluated from C-V measurement, which are found to be 1.02 V, 5.907x10~(15) cm~(-3) and 1.359 eV respectively.
机译：Zn_（0.52）Se_（0.48）/ Si肖特基二极管是通过真空蒸发技术将硒化锌（Zn_（0.52）Se_（0.48））薄膜沉积到Si（100）衬底上而制成的。卢瑟福背散射光谱（RBS）分析表明，沉积的薄膜本质上几乎是化学计量的。薄膜的X射线衍射图揭示了薄膜沿（111）方向的优先取向。计算结构参数，如微晶尺寸（D），位错密度（δ），应变（ε）和晶格参数为29.13 nm，1.187x10〜（-15）lin / m〜2、1.354x10〜（-3） ）lin〜（-2）m〜（-4）和5.676x10〜（-10）m。根据Zn_（0.52）Se_（0.48）/ p-Si肖特基二极管的I-V测量，理想度和二极管整流系数分别评估为1.749（305 K）和1.04x10〜4（305 K）。还通过C-V测量评估了内置电势，有效载流子浓度（N_A）和势垒高度，分别为1.02 V，5.907x10〜（15）cm〜（-3）和1.359 eV。

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