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Fabrication of ZnO-based metal-insulator-semiconductor diodes by ion implantation

机译:离子注入法制备ZnO基金属-绝缘体-半导体二极管

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摘要

A ZnO-based metal-insulator-semiconductor junction has been fabricated using an isolation layer fabricated by N~+ ion implantation. Ⅰ-Ⅴ dependences show a good rectifying diode-like behavior with a low leakage current of 10~(-6) A and a threshold voltage of about 3 V. Ultraviolet light emission under forward bias exhibits a wavelength maximum of 388 nm and a full width at half maximum of 128 meV at room temperature.
机译:ZnO基金属-绝缘体-半导体结已经使用通过N +离子注入制造的隔离层来制造。 Ⅰ-Ⅴ依赖性表现出良好的整流二极管性能,漏电流为10〜(-6)A,阈值电压约为3 V,低。正向偏压下的紫外光发射最大波长为388 nm,全波长室温下最大宽度为128 meV的一半。

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