Plasma etch challenges for FinFET transistors

KEREN J. KANARIK; GOWRI KAMARTHY; RICHARD A. GOTTSCHO

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Plasma etch challenges for FinFET transistors

机译：FinFET晶体管的等离子蚀刻挑战

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High-precision etching is more important than ever, and new etch techniques may be needed to achieve the requirements of 3D transistor architectures. While there is still work to be done, bias pulsing offers a viable approach to achieve directional etching with minimal structural damage that will be needed for manufacturing FinFET devices.

机译：高精度蚀刻比以往任何时候都重要，并且可能需要新的蚀刻技术来满足3D晶体管架构的要求。尽管仍有工作要做，但偏置脉冲提供了一种可行的方法来实现定向刻蚀，且制造FinFET器件所需的结构损坏最少。

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来源
《Solid state technology》 |2012年第3期|p.15-1726|共4页
作者
KEREN J. KANARIK; GOWRI KAMARTHY; RICHARD A. GOTTSCHO;
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作者单位

Etch Product Group at Lam Research Corp., 4650 Cushing Pfeiuy, Fremont, CA 94538 USA;

Lam Research Corp., Fremont, CA.;

Lam Research Corp., Fremont, CA.;

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
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