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Influence of the wall material on N atom density in a downstream nitrogen plasma

机译：壁材料对下游氮等离子体中N原子密度的影响

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The effect of several wall materials on N atom destruction in N_2 D.C. flowing post-discharge has been studied from the N_2 first positive intensity. The γ-destruction probability of N atoms in the post-discharge tube containing several material foils has been determined from a kinetics analysis of volume (homogenous) and surface (heterogeneous) recombination processes, It has been found that the value of Teflon is as for Pyrex (γ～10~(-5)), γ=3(±1)x10~(-4) for plastic, γ = 6 (±3) x 10~(-4) for oxidized aluminium and γ > 2 x 10~(-3) for copper.%La destruction des atomes N issus d'une post-décharge D.C. de N_2 en écoulement, sur différents matériaux disposés sur la paroi du tube a été étudiée à partir de l'intensité du 1er svstème positive de N_2. La probabilité de destruction ? des atomes N sur différentes feuilles de matériaux a été déterminée à partir de l'analyse cinétique des processus de recombinaison en volume (homogène) et en surface (hétérogène). Il a été trouvé des valeurs de γ très voisines pour le Téjlon et le Pvrex : γ～ 10~(-5) , γ= 3 (± 1)x 10~(-4) pour le plastique, γ = 6 (±3) x 10~(-4) pour l'oxyde d'aluminium et γ > 2 x 10~(-3) pour le cuivre.
机译：从N_2的第一正强度开始研究了几种壁材料对N_2D.C。流动的放电后N原子破坏的影响。通过对体积（均质）和表面（异质）重组过程的动力学分析，确定了包含多个材料箔的放电后管中N原子的γ破坏概率，发现特氟隆的值与派热克斯（γ〜10〜（-5）），塑料γ= 3（±1）x10〜（-4），氧化铝为γ= 6（±3）x 10〜（-4），γ> 2 x对于铜，为10〜（-3）。％从第一个正极系统的强度研究了在管壁上放置的不同材料上，N_2的直流直流放电对N原子的破坏作用。 N_2。破坏的可能性？根据体积（均相）和表面（异相）重组过程的动力学分析确定了不同材料板上的N原子。 Téjlon和Pvrex的γ值非常相似：γ〜10〜（-5），塑料γ= 3（±1）x 10〜（-4），γ= 6（±3） ）x 10〜（-4）（对于氧化铝）和γ> 2 x 10〜（-3）（对于铜）。

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