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首页> 外文期刊>Thin Solid Films >One-dimensional simulation study of micro crystalline silicon thin films for solar cell and thin film transistor applications using AMPS-1D
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One-dimensional simulation study of micro crystalline silicon thin films for solar cell and thin film transistor applications using AMPS-1D

机译：使用AMPS-1D的用于太阳能电池和薄膜晶体管的微晶硅薄膜的一维模拟研究

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Electronic transport in hydrogenated microcrystalline silicon (mu c-Si:H) films largely depends on size and shape of small crystallites columnar grains, the fraction of amorphous silicon (a-Si:H) matrix, and the highly defective grain boundaries (GBs). Based on these we describe two simple 1-D models of mu c-Si:H depending upon the conduction path. Two applications of these models are presented using A-MPS-1D. First, we study the electronic transport in intrinsic mu c-Si:H for thin-film transistor (TFT) application. Second, we analyze the performance of thin film p-i-n mu c-Si:H solar cells with varying column heights in the intrinsic mu c-Si:H layer. Such a study should lead to the identification of optimum process conditions of the preparation of these films by the Cat-CVD process. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：氢化微晶硅（mu c-Si：H）膜中的电子传输在很大程度上取决于小晶粒柱状晶粒的尺寸和形状，非晶硅（a-Si：H）基质的比例以及高度缺陷的晶界（GBs） 。基于这些，我们根据导电路径描述了μc-Si：H的两个简单的一维模型。使用A-MPS-1D展示了这些模型的两个应用。首先，我们研究薄膜晶体管（TFT）应用中固有的mu c-Si：H中的电子传输。其次，我们分析了本征mu c-Si：H层中具有不同列高度的p-i-n mu c-Si：H薄膜太阳能电池的性能。这样的研究应导致确定通过Cat-CVD工艺制备这些薄膜的最佳工艺条件。 （c）2005 Elsevier B.V.保留所有权利。

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