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首页> 外文期刊>Thin Solid Films >Electrodeposition of CuInSe_2 thin films onto Mo-glass substrates
【24h】

Electrodeposition of CuInSe_2 thin films onto Mo-glass substrates

机译：CuInSe_2薄膜在Mo-玻璃衬底上的电沉积

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The mechanism of the underpotential electrodeposition of copper indium diselenide (CIS) in the presence of an excess of In~(3+) was studied. It was found that the value of indium and copper ratio (In/Cu) in the films electrodeposited in the potentials area from - 0.2 to - 0.6 V (vs. SCE) is independent of the concentration ratio of Cu~(2+)/In~(3+). At the same time, the concentration of indium in the films obtained is determined both by the deposition potential and the ratio of Se(IV)/Cu~(2+) in the solution. The proposed model provides the list of the formed compounds as a function of the solution concentration and the applied potential.
机译：研究了在过量的In〜（3+）存在下铜铟二硒化物（CIS）欠电沉积的机理。发现电沉积在-0.2至-0.6 V（vs. SCE）的电位区域中的薄膜中铟和铜之比（In / Cu）的值与Cu〜（2 +）/在〜（3+）。同时，所获得的膜中铟的浓度取决于沉积电位和溶液中Se（IV）/ Cu〜（2+）的比值。建议的模型提供了所形成化合物的列表，该列表是溶液浓度和所施加电势的函数。

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