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机译:衬底温度和沉积厚度对离子束溅射沉积制备硅化铁的影响
Tokai Research Establishment, Japan Atomic Energy Research Institute, 2-4 Shirakata-Shirane, Tokai-mura, Ibaraki-ken 319-1195, Japan;
ion beam sputter deposition; β-FeSi_2; crystal structure;
机译:电子束下金属有机化学气相沉积法在硅衬底上形成硅化铁纳米岛
机译:电子束下金属有机化学气相沉积法在硅衬底上形成硅化铁纳米岛
机译:镁膜厚度和退火温度对磁控溅射在硅(111)衬底上形成Mg_2Si膜的影响
机译:直接沉积自组装方法溅射Ti厚度和沉积后退火温度对Si上Ti_5Si_4纳米晶形成的影响
机译:通过轧制溅射沉积工艺沉积在柔性玻璃基板上的氧化铟锌,氧化铟锡和钼薄膜的表征
机译:靶成分和溅射沉积参数对沉积在聚合物基底上的氮化银-坡莫合金柔性薄膜功能性能的影响
机译:离子束溅射沉积法对氧化铁氧化铁膜生长的辐照气氛对辐射气氛的影响