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ハイブリッド型微細加工技術を用いた金ナノ粒子の単電子トンネル効果の観測

机译：混合微细加工技术观察金纳米粒子的单电子隧穿效应

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We would like to share our recent results from a research on the single electron tunneling effect in a double-barrier tunneling junction (DBTJ) structure. Single Au nanoparticles were trapped in a nanogap electrodes, whose gap size was precisely controlled using a combination of electron beam lithography and molecular ruler technique. Here, we introduce how the novel combination technique was utilized to obtain the nanogap electrode. We also introduce the size effect of Au particles on the single electron tunneling behavior as a Coulomb island. Finally, we introduce the relation between the geometrical and electrical properties of the DBTJ.%シリコンを基盤とした半導体デバイスの集積化は，ムーアrnの法則にて提言されているように，その集積度は2年毎にrn約2倍の増加を実現しており，現在，素子のサイズはナノrn領域にまで迫っている．そのため，これまでの動作原理とはrnまったく異なる量子力学的効果を積極的に取り入れた新概念rnによるナノデバイスの開発が求められている．
机译：我们想分享我们在双势垒隧穿结（DBTJ）结构中单电子隧穿效应研究的最新结果。单Au纳米颗粒被困在纳米间隙电极中，其间隙大小是通过电子的结合而精确控制的在此，我们介绍了如何利用新型组合技术获得纳米间隙电极，还介绍了金颗粒对库仑岛单电子隧穿行为的尺寸效应，最后介绍了它们之间的关系。根据摩尔定律的建议，基于DBTJ。％硅的半导体器件的集成每2年使密度增加2倍左右。已经实现，并且装置的尺寸现在接近纳米区域。因此，需要开发基于新概念rn的纳米器件，其积极地结合了与常规操作原理完全不同的量子力学效应。

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