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ナノチューブ電極を用いたナノギャップ有機トランジスタ

机译:使用纳米管电极的纳米间隙有机晶体管

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摘要

Application of carbon nanotube electodes with nano-scale gap and its fabrication method are reviewed. Contact resistance in nano-scale molecular electronics or organic electronics is serious issue to be solved for operation of future electronics. So far, conventional metal electrodes are widely used for the nano-device researches. Here, we proposed to use the carbon nanotube, and a pentacene nanocrystal transistor with carbon nanotube electrodes as a nanosize source and drain was fabricated. In the device fabrication, the evaporated pentacene selectively grew around the nanotube electrodes. This may be caused by the common nanounit combination of the carbon six-membered ring contained in the pentacene and the nanotube. The nanotransistor showed controllable transistor operation at room temperature and Coulomb blockade oscillations at 4.2 K in gate voltage characteristics.%ナノギャップ電極を使った有機トランジスタや分子エレクrnトロニクスでは,電極材料と伝導チャネル材料の組み合わせrnによる界面の巨大な接触抵抗が電気伝導特性を支配してしまrnうことが多々ある.電極材料と分子材料間の界面の大きな接rn触抵抗が電流注入に対する障壁となってしまうことによる.rn分子系伝導探究には,金(Au)電極が伝統的に広く使われrnているが,金は微細加工しやすく有機材料に対して表面変化rnが起こりにくいうえに,表面酸化もわずかであると考えられrnていることによる.
机译:综述了具有纳米级间隙的碳纳米管电极的应用及其制备方法。纳米级分子电子学或有机电子学中的接触电阻是未来电子学的运行需要解决的严重问题。迄今为止,常规的金属电极已被广泛用于纳米器件的研究。在这里,我们建议使用碳纳米管,并制造了以碳纳米管电极作为纳米级源漏的并五苯纳米晶体晶体管。在器件制造中,蒸发的并五苯选择性地在纳米管电极周围生长。这可能是由并五苯和纳米管中碳六元环的常见纳米单元组合引起的。纳米晶体管在室温下显示出可控的晶体管工作状态,栅极电压特性在4.2 K时发生库仑阻塞振荡。电极材料と分子材料间の界面の大きな接rn触电阻が电流注入に対する障壁となってしまうことによる.rn分子系伝导探究には,金(Au)电极が伝统的に広く使われrnているが,金は微细加工しやすく有机材料に対して表面変化rnが起こりにくいうえに,表面酸化もわずかであると考えられrnていることによる。

著录项

  • 来源
    《真空》 |2008年第7期|423-427|共5页
  • 作者

    塚越一仁;

  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
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