摘要:研究了V<,2>O<,5>与Y<,2>O<,3>共掺杂对BaTi<,0.85>Zr<,0.15>O<,3>(BTZ)陶瓷结构和性能的影响.发现适量的V<,2>O<,5>掺杂与Y<,2>O<,3>共同作用,在保证较高常温介电常数的情况下,使材料的介温曲线更加平缓,移峰作用明显.通过控制二者的含量,可以在1280°C烧出结构致密、介电性能和绝缘性能良好的陶瓷材料.Y<,2>O<,3>能够促进材料烧结,提高材料的烧成收缩.在还原气氛烧成的条件下,部分V<'5+>可以进入钛酸钡晶格,起到受主掺杂的功效,中和材料中的自由电子,增加V<,2>O<,5>掺杂的数量可以有效地提高材料的绝缘电阻.