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Nanoepitaxy: Materials and devices IV.

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1.Biofunctionalization of Si nanowires using a solution based technique

机译：使用基于溶液的技术对硅纳米线进行生物功能化
- 作者：Elissa H. Williams;Albert V. Davydov;Vladimir P. Oleshko;Nancy J. Lin;Kristen L. Steffens;Sergiy Krylyuk
- 会议名称：《Nanoepitaxy: Materials and devices IV.》 | 2012年
2.Contact metal effects in indium phosphide nanowire transistor

机译：磷化铟纳米线晶体管中的接触金属效应
- 作者：Jin-woo Han;Meyya Meyyappan
- 会议名称：《Nanoepitaxy: Materials and devices IV.》 | 2012年
3.High electron mobility AlGaN/AlN/GaN HEMT structure with a nano-scale AlN interlayer

机译：具有纳米AlN中间层的高电子迁移率AlGaN / AlN / GaN HEMT结构
- 作者：Shih-Chun Huang;Wen-Ray Chen
- 会议名称：《Nanoepitaxy: Materials and devices IV.》 | 2012年
4.Study on indium phosphide nanowires grown by metal organic chemical vapor deposition and coated with aluminum oxides deposited by atomic layer deposition

机译：金属有机化学气相沉积生长并原子层沉积沉积氧化铝包覆的磷化铟纳米线的研究
- 作者：Andrew J. Lohn;David Fryauf;Junce Zhang;Kate J. Norris;Nobuhiko P. Kobayashi
- 会议名称：《Nanoepitaxy: Materials and devices IV.》 | 2012年
5.Heterogeneous integration of epitaxial nanostructures: strategies and application drivers

机译：外延纳米结构的异质集成：策略和应用驱动力
- 作者：Chi On Chui;Kyeong-Sik Shin;Jorge Kina;Kun-Huan Shih
- 会议名称：《Nanoepitaxy: Materials and devices IV.》 | 2012年
6.Graded nanowire ultraviolet LEDs by polarization engineering

机译：通过偏振工程实现的分级纳米线紫外线LED
- 作者：Santino D. Carnevale;Thomas F. Kent;A.T.M. Golam Sarwar;Siddharth Rajan;Roberto C. Myers
- 会议名称：《Nanoepitaxy: Materials and devices IV.》 | 2012年
7.Novel optical properties of Ag films deposited by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD)

机译：通过等离子体增强原子层沉积（PEALD）沉积的Ag膜的新型光学性质
- 作者：S. M. Prokes;O. J. Glembocki;E. Cleveland
- 会议名称：《Nanoepitaxy: Materials and devices IV.》 | 2012年
8.Plasma enhanced atomic layer deposition of silver thin films for applications in plasmonics and surface enhanced Raman scattering

机译：银薄膜的等离子增强原子层沉积，用于等离子和表面增强拉曼散射
- 作者：Erin R. Cleveland;Orest Glembocki;S. M. Prokes
- 会议名称：《Nanoepitaxy: Materials and devices IV.》 | 2012年
9.3D silicon micro-pillars/-walls decorated with aluminum-ZnO/ZnO nanowires for opto-electronic device applications

机译：用铝-ZnO / ZnO纳米线装饰的3D硅微柱/壁，用于光电设备应用
- 作者：Hakan Karaagac;Logeeswaran V. J.;M. Saif Islam
- 会议名称：《Nanoepitaxy: Materials and devices IV.》 | 2012年
10.Enhanced field ionization current enabled by gold induced surface states to silicon nanowires

机译：金诱导的硅纳米线表面态增强了场电离电流
- 作者：Hakan Karaagac;M. Saif Islam
- 会议名称：《Nanoepitaxy: Materials and devices IV.》 | 2012年
11.Light extraction in individual GaN nanowires on Si for LEDs

机译：用于LED的Si上单个GaN纳米线中的光提取
- 作者：Jordan Chesin;Xiang Zhou;Silvija Gradečak
- 会议名称：《Nanoepitaxy: Materials and devices IV.》 | 2012年
12.MOCVD growth of GaN nanopyramid and nanopillar LED with emission in green to orange color

机译：GaN纳米金字塔和纳米柱状LED的MOCVD生长，发射绿色至橙色
- 作者：Hao-Chung Kuo
- 会议名称：《Nanoepitaxy: Materials and devices IV.》 | 2012年
13.Indium phosphide nanowire network: growth and characterization for thermoelectric conversion

机译：磷化铟纳米线网络：热电转换的生长和表征
- 作者：Kate J. Norris;Junce Zhang;David M. Fryauf;Amanda Flores;Timothy J. Longson;Andrew J. Lohn;Nobuhiko P. Kobayashi
- 会议名称：《Nanoepitaxy: Materials and devices IV.》 | 2012年