掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
电子学、通信
>
Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996
Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
相关中文期刊
电子制作
信息产业报道
舰船电子对抗
通信技术
电子器件
电源技术学报
音响世界
空间电子技术
电子世界
电波科学学报
更多>>
相关外文期刊
IEEE personal communications
Microelectronics & Reliability
Telecommunications Americas
Circuits and Systems for Video Technology, IEEE Transactions on
Radio Science
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
MMIS Commentator
Elektronika
Australian Telecommunication Research
Elektronik wireless
更多>>
相关中文会议
信息产业部雷达网第十七届年会暨雷达技术应用研讨会
中国通信学会2001光缆电缆学术年会
第10届全国光电技术学术交流会
第一届中国微电子计量与测试技术研讨会
2006光电器件及光电显示产业论坛
2007年机械电子学学术会议
武汉市第二届学术年会通信学会2006年学术年会
中国密码学会2012年会
2013年全国电子显微学学术会议
第九届中国安防论坛
更多>>
相关外文会议
Security, Steganography, and Watermarking of Multimedia Contents VIII; Electronic Imaging Science and Technology
Optical fibers and their applications 2011
European Conference on Antennas and Propagation;EuCAP 2009
IASTED (the International Association of Science and Technology for Development) International Conference on Signal Processing, Pattern Recognition, and Application, Jun 25-28, 2002, Crete, Greece
Atmospheric Propagation, Adaptive Systems, and Lidar Techniques for Remote Sensing II
Communicating Process Architectures 2008
EPP-vol.6; American Society of Mechanical Engineers(ASME) International Mechanical Engineering Congress and Exposition; 20061105-10; Chicago,IL(US)
Surveillance Technologies II
2013 3rd International Conference on Wireless Communications, Vehicular Technology, Information Theory and Aerospace & Electronic Systems
Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications 3
更多>>
热门会议
Meeting of the internet engineering task force;IETF
日本建築学会;日本建築学会大会
日本建築学会(Architectural Institute of Japan);日本建築学会年度大会
日本建築学会学術講演会;日本建築学会
日本建築学会2010年度大会(北陸)
Korean Society of Noise & Vibration Control;Institute of Noise Control Engineering;International congress and exposition on noise control engineering;ASME Noise Control & Acoustics Division
土木学会;土木学会全国大会年次学術講演会
応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会
総合大会;電子情報通信学会
The 4th International Conference on Wireless Communications, Networking and Mobile Computing(第四届IEEE无线通信、网络技术及移动计算国际会议)论文集
更多>>
最新会议
2011 IEEE Cool Chips XIV
International workshop on Java technologies for real-time and embedded systems
Supercomputing '88. [Vol.1]. Proceedings.
RILEM Proceedings PRO 40; International RILEM Conference on the Use of Recycled Materials in Buildings and Structures vol.1; 20041108-11; Barcelona(ES)
International Workshop on Hybrid Metaheuristics(HM 2007); 20071008-09; Dortmund(DE)
The 57th ARFTG(Automatic RF Techniques Group) Conference, May 25, 2001, Phoenix, AZ
Real Time Systems Symposium, 1989., Proceedings.
Conference on Chemical and Biological Sensing V; 20040412-20040413; Orlando,FL; US
American Filtration and Separations Society conference
Combined structures congress;North American steel construction conference;NASCC
更多>>
全选(
0
)
清除
导出
1.
Change rfrom quantum interference to incoherent hopping magnetoresistance in doped n-GaAs and n-CdTe
机译:
掺杂n-GaAs和n-CdTe中从量子干涉到非相干跳变磁阻的变化
作者:
R.Rentzsch
;
A.N.Onov
;
N.V.Agrinskaya
;
B.Sandow
;
P.Fozooni
;
M.J.Lea
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
2.
Comparison of power gain for stimulated raman scattering in zinc-blende GaP and chalcopyrite CuAlS_2
机译:
闪锌矿GaP和黄铜矿CuAlS_2中受激拉曼散射的功率增益比较
作者:
B.H.Bairamov
;
A.Aydinli
;
I.V.Bodnar
;
Yu. V.Rud
;
V.K.Nogodyuko
;
V.V.Toporov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
3.
Chemical vapro deposition of GaAs containing nanometer size clusters
机译:
含有纳米尺寸簇的GaAs的化学vapro沉积
作者:
V.V.Chaldyshev
;
I.V.Ivonin
;
A.E.Kunitsyn
;
L.G.Lavrentieva
;
A.I.Veinger
;
M.D.Vilisova
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
4.
AlGaAs/GaAs LPE grown concentrator solar cells
机译:
AlGaAs / GaAs LPE生长的聚光太阳能电池
作者:
V.M.Andreev
;
V.P.Khvostikov
;
E.V.Paleeva
;
M.z.Shvarts
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
5.
Asymmetric coupled double quantum well structures for low electric field optical modulation
机译:
低电场光调制的非对称耦合双量子阱结构
作者:
R.W.Martin
;
J.Thompson
;
A.J.Moseley
;
D.J.Robbins
;
N.Carr
;
M.Q.Kearley
;
J.EMetcalf
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
6.
Application of ODMR and level-anticrossing specttroscopy for characterization of GaAs/AlAs superlattices
机译:
ODMR和能级反交叉光谱技术在GaAs / AlAs超晶格表征中的应用
作者:
P.G.Baranov
;
N.G.Romanpov
;
A.Hofstaetter
;
A.Scharmann
;
C.Schorr
;
F.J.Ahlers
;
K.Pierz
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
7.
XPS and TLM characterization of ohmic contacts on SiC
机译:
SiC欧姆接触的XPS和TLM表征
作者:
O.Noblanc
;
C.Arnodo
;
C.BSrylinski
;
S.Cassette
;
R.Kakanakaov
;
L.Kassamakova
;
M.Neshev
;
A.Kakanakova-Georgieva
;
V.Krastev
;
Ts.Marinova
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
8.
Microwave modulated relfectance as a method of novel modulation spectroscopy of semiconductor heterostructures
机译:
微波调制相关性作为半导体异质结构新型调制光谱的一种方法
作者:
O.A.Ryabushkin
;
V.A.Sablikov
;
M.P.Meleshkevich
;
A.N.Pershikov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
9.
Determination of valence-band offset of p-Al_xGa_(1-x)As/p-Al_xGa_(1-x)As-heterojunctions from C-V-measurements
机译:
从C-V测量确定p-Al_xGa_(1-x)As / p-Al_xGa_(1-x)As异质结的价带偏移
作者:
M.A.Melnik
;
A.N.Pikhtin
;
A.V.Solomonov
;
V.I.Zubkov
;
F.Bugge
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
10.
Simulating the modulation response of quantum well laser diodes
机译:
模拟量子阱激光二极管的调制响应
作者:
Matt Grupen
;
Karl hess
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
11.
MOVPE slef-assembling growth of nanoscale InP and InAsP islands
机译:
纳米级InP和InAsP岛的MOVPE自组装
作者:
O.V.Kovalenkov
;
D.A.Vinokurov
;
D.A.Livshits
;
I.S.TSarasov
;
N.A.Bert
;
S.G.Konnikov
;
Zh.I.Alferov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
12.
Modelling of species transport and excess phases formation during sublimation growth of SiC in formation during sublimation growth of SiC in sandwich system
机译:
SiC升华生长过程中SiC升华生长过程中物种迁移和过量相形成的建模
作者:
S.Yu.Karpov
;
Yu.N.Makarov
;
E.N.Mokhov
;
M.G.Ramm
;
M.S.Ramm
;
A.D.Roenkov
;
R.a.Talalaev
;
Yu.A.Vodakov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
13.
New method for quantitative characterization of ordered QD arrays
机译:
有序QD阵列定量表征的新方法
作者:
P.N.Brounkov
;
N.N.Faleev
;
Yu.G.Musikhin
;
A.A.Suvorova
;
V.M.Ustinov
;
A.E.Zhukov
;
A.Yu.Egorov
;
V.M.Maximov
;
A.F.STsatsulnikov
;
N.N.Ledentsov
;
P.S.Kopev
;
S.G.Konnikov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
14.
Montre carlo modelling of impact ionisation in GaAs
机译:
砷化镓中碰撞电离的蒙特卡洛建模
作者:
R.Ghin
;
G.M.Dunn
;
S.a.Plimmer
;
J.P.R.David
;
G.J.Rees
;
D.C.Herbert
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
15.
Nonlinear behaviour of the high-frequency conductivity of the 2DEG in the quantum hall regime as studied by an acoustical method
机译:
声学方法研究的量子大厅中2DEG高频电导率的非线性行为
作者:
I.L.Drichko
;
a.M.Diakonov
;
V.D.Kagan
;
A.M.Kreshchuk
;
S.V.Novikov
;
T.a.Polyanskaya
;
I.G.Savelev
;
I.Yu.Smirnov
;
A.V.Suslov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
16.
New dynamic model for laterlally nonuniform MQW FP ridge laser including parasitics
机译:
包含寄生效应的横向非均匀MQW FP脊形激光器的新动态模型
作者:
S.A.Gurevich
;
G.S.Simin
;
M.S.Shatalov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
17.
A novel structure incorproating ordered (InAs)_1(GaAs)_1 quantum wells on GaAs(111)B for high speed long wavelength lasers up to and beyond 1.3 mu m
机译:
一种新颖的结构,在GaAs(111)B上并入有序(InAs)_1(GaAs)_1量子阱,用于1.3μm及以上的高速长波长激光器
作者:
Joseph Greenberg
;
Lester F.Estman
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
18.
Optical properties of InAlAs/InP type II heterostructures grown on (111)B InP substrates
机译:
(111)B InP衬底上生长的InAlAs / InP II型异质结构的光学性质
作者:
Y.Kawamura
;
A.Kamada
;
K.Yoshimatsu
;
H.Kobayashi
;
H.Iwamura
;
N.Inoue
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
19.
Observation of shapiro steps and direct evidence of bloch oscillations in semiconductor suer;attoces
机译:
Shapiro步骤的观察和半导体表面原子团膨胀振荡的直接证据
作者:
K.Unterrainer
;
B.J.Keay
;
M.C.Wanke
;
S.J.Allen
;
D.Leonard
;
G.Medeiros-Ribeiro
;
U.Bhattacharya
;
M.J.W.Rodwell
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
20.
Parameters of AlGaAs epitaxial layers grown using ultrafast cooling of the growth solution
机译:
使用生长溶液的超快冷却生长的AlGaAs外延层的参数
作者:
A.V.Abramov
;
Ya.B.Ber
;
A.G.Deryagin
;
N.G.Deryagin
;
V.I.Kuchinskii
;
A.V.Merkulov
;
DN.Tretyakov
;
N.N.Faleev
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
21.
Optical characteristics of submicron structures grown on patterned GaAs(111)A substrates by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延在图案化GaAs(111)A衬底上生长的亚微米结构的光学特性
作者:
K.Fujita
;
H.Ohnishi
;
P.O.Vaccaro
;
T.Watanabe
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
22.
Novel surface cleaning of GaAs and formation of high quality SiN_x films by cat-CVD method
机译:
通过Cat-CVD法对GaAs进行新颖的表面清洁并形成高质量的SiN_x膜
作者:
Akira Izumi
;
Atsushi Masuda
;
SHinya Okada
;
Hideki Matsumura
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
23.
Observation of the ZnSe/GaAs heterojunctions with the BeTe buffer by cross-sectional STM
机译:
用截面STM观察BeTe缓冲液对ZnSe / GaAs异质结的影响
作者:
A.V.Ankudinov
;
N.m.Smidt
;
A.N.STitkov
;
J.-J.Lugauer
;
A.Waag
;
G.Landwehr
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
24.
Pulse photoluminescence of proous 6H-SiC films
机译:
6H-SiC薄膜的脉冲光致发光
作者:
V.F.Agekyan
;
A.A.Lebedev
;
A.a.Lebedev
;
Yu.V.Rud
;
Yu.A.Stepanov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
25.
Pure green ( lambda chemical bounds 555 nm) light emitting diodes based on GaP:Y
机译:
基于GaP:Y的纯绿色(λ化学界限为555 nm)发光二极管
作者:
A.T.Gorelenok
;
A.V.Kamanin
;
M.V.Shpakov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
26.
Periodical grating of quantum wires inside a semiconductor microcavity
机译:
半导体微腔内部量子线的周期性光栅
作者:
A.V.Kavokin
;
M.A.Kaliteevski
;
M.R.Vladimirova
;
S.V.Goupalov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
27.
Quantum interference and spin effects in VRH conductivity o f CdTe: a suppression of negative magnetoresistance in coulomb gap regime
机译:
CdTe的VRH电导率中的量子干涉和自旋效应:库仑间隙条件下负磁阻的抑制
作者:
N.V.Agrinskaya
;
V.I.Kozub
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
28.
Radiative recombination at the interface of type II broken-gap p-GaInAsSb/p-InAs heterojunctions at low temperature
机译:
低温下II型破碎间隙p-GaInAsSb / p-InAs异质结界面的辐射复合
作者:
N.L.Bazhenov
;
G.G.Zegrya V.I.Ivanov-Omskii
;
K.D.Moiseev
;
M.P.Mikhailova
;
V.a.Smirnov
;
Yu.P.Yakovlev
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
29.
Potential utility of nanoscale semiconductor heterostructures from the persopective of telecommunication and information technology
机译:
从电信和信息技术的角度看纳米级半导体异质结构的潜在用途
作者:
El-Hang Lee
;
Kyoungwan Park
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
30.
Photoluminescence analysis of hydrogen-implanted CuInSe_2
机译:
氢注入CuInSe_2的光致发光分析
作者:
R.W.Martin
;
M.V.Yakushev
;
R.D.Tomlinson
;
A.E.Hill
;
R.D.Pilkington
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
31.
Photoluminescence studies of epitaxial InAsSb and INAsSb:Be grown on GaSb substrates
机译:
外延InAsSb和INAsSb的光致发光研究:在GaSb衬底上生长
作者:
M.A.Marchiniak
;
R.L.hengehold
;
Y.K.Yeo
;
G.W.STurnerp
;
M.W.Prarie
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
32.
Optical studies of monocrystalline beta -FeSi_2
机译:
β-FeSi_2单晶的光学研究
作者:
E.K.Arushanov
;
R.Carles
;
C.h.Kloc
;
EBucher
;
J.Leotin
;
D.V.Smirnov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
33.
A_3B_5 structures characterization by scanning proble microscopy
机译:
A_3B_5结构的扫描探针显微镜表征
作者:
V.A.Fedirko
;
M.D.Eremtchenko
;
V.M.Daniltzxev
;
O.I.Khrykin
;
V.I.Shashkin
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
34.
Acousto-optic effects of surface acoustic waves in semiconductor quantum well structures
机译:
半导体量子阱结构中表面声波的声光效应
作者:
C.Rocke
;
A.Wixforth
;
J.P.Kotthaus
;
W.Klein
;
H.Ohm
;
G.Weimann
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
35.
All-optical modulation near 1.55 mu m using In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs coupled quantum wells
机译:
使用In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs耦合量子阱在1.55μm附近进行全光调制
作者:
R.W.Martin
;
F.McGow
;
M.Hopkinson
;
J.P.R.David
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
36.
Asymmetric growth behavior of selectively grown InP epilayers on vicinal (100) InP by low pressure netalorganic chemical vapor depolsition
机译:
低压金属有机化学气相沉积法在邻近(100)InP上选择性生长的InP外延层的不对称生长行为
作者:
STaewan Lee
;
Youngboo Moon
;
Euijoon Yoon
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
37.
Band offsetasymmetry and optical anisotropy in semiconductor heterostructures with no-common atom
机译:
具有非公共原子的半导体异质结构的能带偏移不对称性和光学各向异性
作者:
Olivier Kerebs
;
Wofgang Seidel
;
Paul Voisin
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
38.
Calculation of the intervalence band absorption coefficient for the long wavelength lasers on the base of InAs
机译:
基于InAs的长波长激光器的间隔带吸收系数的计算
作者:
V.B.Khafin
;
z.N.Sokolova
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
39.
CHF_3BCl_3 reactive ion etching if AlGaAs/GaAs heterostructures
机译:
如果AlGaAs / GaAs异质结构,则CHF_3BCl_3反应离子刻蚀
作者:
Li-Shyue Lai
;
Yi-Jen Chan
;
Hung-Chung Kao
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
40.
Characterization of esaki-tsu superlattices using X-Ray and transport investigations
机译:
使用X射线和传输研究表征es崎超晶格
作者:
J.Gernzer
;
E.Schomburg
;
T.Blomeier
;
I.Lingott
;
I.Lagleder
;
K.Hofbeck
;
A.A.Ignatov
;
K.F.Renk
;
U.Pietsch
;
D.G.Pavelev
;
Yu.Koschurinov
;
B.Ya.Melzer
;
V.Ustinov
;
A.Zhukov
;
S.Ivanov
;
S.Cchaposchnikov
;
N.N.Faleev
;
P.S.Kopev
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
41.
Combined exciton-electron transitions in a quantum well with low-dense two-dimensional electron gas
机译:
具有低密度二维电子气的量子阱中的激子-电子结合跃迁
作者:
V.P.Kochereshko
;
R.A.Suris
;
D.R.Yakovlev
;
AV.Platonov
;
W.Ossau
;
A.Waag
;
G.Landwehr
;
Franck Bassani
;
R.T.Cox
;
P.C.M.Christianen
;
J.C.Maan
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
42.
Controlled growth of SiC by sublimation sandwich method
机译:
通过升华夹心法控制SiC的生长
作者:
E.N.Mokhov
;
Y.a.Vodakov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
43.
Doping and non-equilibrium during low-temperature growth (application to MBE)
机译:
低温生长过程中的掺杂和非平衡(应用于MBE)
作者:
I.Kuskovsky
;
G.F.Neumark
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
44.
Deviation from ideality in AlGaP solid solutions
机译:
AlGaP固态解决方案偏离理想状态
作者:
A.V.Abramov
;
N.G.Deryagin
;
D.N.Tretyyakov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
45.
Effective-mass theory of optical intersubband transitions in semiconductor quantum sells
机译:
半导体量子出售中光学子带间跃迁的有效质量理论
作者:
E.E.Takhtamirov
;
V.a.Volkov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
46.
Experimental observation of acoustic plasma oscillations in p-GaAs associated with inter-valence-band photoeffect
机译:
与价带间光效应相关的p-GaAs中声等离子体振荡的实验观察
作者:
B.H.Bairamov
;
V.K.Negoduyko
;
V.V.Toporov
;
B.P.Zakharchenya
;
A.V.Voitenko
;
G.Irmer
;
J.Monecke
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
47.
Extremely low threshod alGaAs/InGaAs quantum DOT injection laser
机译:
极低阈值的AlGaAs / InGaAs量子DOT注入激光器
作者:
V.M.Ustinov
;
A.E.Zhukov
;
a.Yu.Egorov
;
A.R.Kovsh
;
A.F.Tsatsunikov
;
M.V.Maksimov
;
S.V.Zaitsev
;
N.Yu.Gordeev
;
P.S.Kopev
;
Ah.I.Alferov
;
N.N.ledentsov
;
D.Bimberg
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
48.
Direct extraction of lumped element models for 4H-SiC MESFET's on conducting and semi-insulating substrates
机译:
在导电和半绝缘衬底上直接提取4H-SiC MESFET集总元件模型
作者:
K.Moore
;
C.Weitzel
;
J.Palmour
;
S.allen
;
C.Carter
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
49.
Electron phase transitions and ordered states engineering in multiple quantum wells
机译:
多量子阱中的电子相变和有序态工程
作者:
Yu.V.Kopaev
;
N.V.Kornyakov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
50.
Epitaxial CdF_2 layers on silicon: structural studies and luminescence of rare-earth ions
机译:
硅上的外延CdF_2层:稀土离子的结构研究和发光
作者:
A.Yu.Khilko
;
R.N.Kyutt
;
N.S.Sokolov
;
M.V.Zamoryanskaya
;
L.J.Schowalter
;
Yu.V.Shusterman
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
51.
Electron microscopy and optical characterization of lattice of photonic crystals
机译:
电子显微镜和光子晶体晶格的光学表征
作者:
Yu.G.Musikhin
;
V.N.Astratov
;
N.a.Bert
;
V.N.Bogomolov
;
A.A.Kaplynskii
;
O.Z.Karimov
;
Yu.a.Vlasov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
52.
Far-infrared and capacitance spectroscopy of self-assembled InAs quantum dots
机译:
自组装InAs量子点的远红外和电容光谱
作者:
A.Lorke
;
M.Ficke
;
B.T.Miller
;
M.Haslinger
;
J.P.Kotthaus
;
G.Medeiros-ARibeiro
;
P.M.Petroff
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
53.
Exciton orientation-to-aligument convertion in type-II GaAs/AlAs superlattices
机译:
II型GaAs / AlAs超晶格中的激子取向到取向转换
作者:
R.I.Dzhioev
;
H.M.Gibbs
;
E.L.Ivchenko
;
G.Khitrova
;
V.L.Korenev
;
M.N.Tkachuk
;
B.P.Zakharchenya
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
54.
Growth and characterization of (in, Ga) (N,P) on GaP
机译:
GaP上(in,Ga)(N,P)的生长和表征
作者:
C.W.Tu
;
W.G.Bi
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
55.
Fabrication of monolithic voltage controlled oscillator using selective-area metalorganic chemical vapor deposition
机译:
使用选择性区域金属有机化学气相沉积法制造单片压控振荡器
作者:
Jong-Wan Jung
;
Yong-Se Kwon
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
56.
High thermal conductive passivation films on AlGaAs/GaAs heterojunction diodes and bipolar transistors
机译:
AlGaAs / GaAs异质结二极管和双极晶体管上的高导热钝化膜
作者:
H.-P.Hwang
;
Y.-S.Cheng
;
J.pL.Shieh
;
J.-W.Pan
;
J.-I.Chyi
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
57.
Gas-source molecular beam epitaxy of GaN on SIMOX(111) substrates using hydraxine
机译:
使用氢氧在SIMOX(111)衬底上的GaN气源分子束外延
作者:
V.G.Antipov
;
A.I.Guriev
;
VA.Elyukhin
;
R.N.Kyutt
;
A.B.Smirnov
;
N.N.Faleev
;
S.A.Nikishin
;
G.A.Nikishin
;
G.A.Seregin
;
H.Temkin
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
58.
GaInP/AlGaAs/GaAs laser diodes with high ouput power
机译:
高输出功率的GaP / AlGaAs / GaAs激光二极管
作者:
F.Bugge
;
G.Beister
;
G.Erbrt
;
S.Gramlich
;
K.Vogel
;
U.zeimer
;
M.Weyer
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
59.
High temperature magnetoresistance oscillations in a delta -l;ayer InAs< delta -Si>
机译:
δ-l; ayer InAs <δ-Si>中的高温磁阻振荡
作者:
M.V.Yakunin
;
T.I.Baturina
;
I.a.Panaev
;
B.R.Semyagin
;
S.A.Studentikin
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
关键词:
754;
60.
GaAs metal-semiconductor-metal photodetectors with recessed cathodes and/or anodes
机译:
具有凹入式阴极和/或阳极的GaAs金属-半导体-金属光电探测器
作者:
Rong-heng Yuang
;
Lia-Lin Shieh
;
Jen-Inn Chyi
;
Jyh-Shin Chen
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
61.
Growth and characterization o f coherent quantum dots formed by single-and multi-cycle InGaAs-GaAs metal-organic chemical vapor deposition
机译:
单周期和多周期InGaAs-GaAs金属-有机化学气相沉积形成的相干量子点的生长和表征
作者:
I.V.Kochnev
;
N.N.Ledentsov
;
M.V.Maximov
;
A.F.Tsatsulnikov
;
a.V.Sakharov
;
B.V.Volovik
;
P.S.Kopev
;
Zh.I.Alferov
;
J.Bohere
;
D.Bimberg
;
A.O.Kosogov
;
S.SRuvimov
;
P.Werner
;
U.Gosele
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
62.
Growth, optical and electrical properties of a new compound semiconductor: HgBr_(1.6)I_(0.4)
机译:
新型化合物半导体HgBr_(1.6)I_(0.4)的生长,光电性能
作者:
M.Daviti
;
K.paraskevopoulos
;
A.N.Anagnostopoulos
;
E.K.Polychroniadis
;
M.M.Gospodinov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
63.
Heavy-hole g-factor in zinc-blende-based heterostructures
机译:
闪锌矿基异质结构中的重空穴g因子
作者:
A.A.Kiselev
;
L.V.Mosieev
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
64.
Growth-induced self-organization of composition-modulated structures in InGaAsP alloys
机译:
InGaAsP合金中生长诱导的成分调制结构的自组织
作者:
I.S.Tarasov
;
L.S.Vavilova
;
I.P.Ipatova
;
A.V.Lyutetskiy
;
A.V.Murashova
;
N.A.Pikhtin
;
V.A.Shchukin
;
Zh.I.Alferov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
65.
III-V interband and intraband far-infrared detectors
机译:
III-V带间和带内远红外检测器
作者:
Manijeh Razeghi
;
Christopher jelen
;
Steve Slivken
;
Jim Hoff
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
66.
Hole mixing at GaAs/AlAs(001) interfaces under normal incidence
机译:
法向入射下GaAs / AlAs(001)界面处的空穴混合
作者:
E.L.Ivhcenko
;
A.Yu.Kaminski
;
U.Rossler
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
67.
Hot holes in strained MQW InGaAs/GaAs and Ge/GeSi heterostructures
机译:
MQW InGaAs / GaAs和Ge / GeSi异质结构中的热孔
作者:
V.Ya Aleshkin
;
A.A.Andronov
;
A.V.Antonov
;
N.A.Bekin
;
I.V.Erofeeva
;
V.I.Gavirilenko
;
O.A.Kuznetsov
;
E.R.Linkova
;
I.G.Malkina
;
M.D.Moldavskaya
;
D.G.Revin
;
E.A.Uskova
;
B.N.Zvonkov
会议名称:
《》
|
1996年
68.
Identification of Mn and Ni trace impurities in GaN crystals by electron paramagnetic resonance
机译:
电子顺磁共振鉴定GaN晶体中的Mn和Ni微量杂质
作者:
P.G.Baranov
;
I.V.Ilyin
;
E.N.Mokhov
;
A.D.Roenkov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
69.
High current drive InP/InGaAs/InP DHBT with a composite step-graded collector
机译:
大电流驱动InP / InGaAs / InP DHBT,带有复合阶梯式集电极
作者:
E.F.Chor
;
C.J.Peng
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
70.
High-resolution raman study of (001) n-GaP-GaP and n-GaP-Si
机译:
(001)n-GaP / n-GaP和n-GaP / n-Si的高分辨率拉曼研究
作者:
B.H.Bairamov
;
E.Kernohan
;
R.T.Phillips
;
A.Aydinli
;
G.Ulu
;
N.Nazarov
;
V.K.Negoduyko
;
V.V.Toporov
;
Yu.V.Zhilyaev
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
71.
GSrowth of GaN layers on GaAs and GaP (111) and (001) substrates by molecular beam epitaxy
机译:
GaAs和GaP(111)和(001)衬底上GaN的分子束外延生长
作者:
T.S.Cheng
;
C.T.Foxon
;
G.B.Ren
;
N.J.jeffs
;
J.S.Orton
;
SV.Novikov
;
Y.Xin
;
P.D.Brown
;
C.J.Humphreys
;
M.H.alliell
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
72.
Influence of surface nitridation and of strain effect on the electrical characteristics of pseudomorphic AlInAs/GaInAs HEMT passivated with ECR-deposited Si_3N_4
机译:
表面氮化和应变效应对ECR沉积Si_3N_4钝化的准晶AlInAs / GaInAs HEMT的电学特性的影响
作者:
J.Tardy
;
M.P.Besland
;
P.Rojo-Romeo
;
M.Lapeyrade
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
73.
Influence of the arsenic molecular form on the stoichiometry of the growth surface during MBE of GaAs
机译:
砷分子形式对GaAs MBE过程中生长表面化学计量的影响
作者:
V.V.Preobrazhensikii
;
R.I.Nizamov
;
M.A.Putyato
;
B.R.Putyato
;
B.R.Semyagin
;
D.I.Lubyshev
;
O. P.Chelyakov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
74.
Influence of strain compensation in InAlAs/InGaAs pseudomorphic HEMTs on InP
机译:
InAlAs / InGaAs伪晶HEMT中的应变补偿对InP的影响
作者:
X.Letartere
;
J.Tardy
;
P.ROjo Romeo
;
Y.Venet
;
M.Gendry
;
C.Lugand
;
TS.Benyattoup
;
G.Guillot
;
Y.Monteil
;
Pabraham
;
M.P.Ay
;
M.Beck
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
75.
Infrared and far-infrared absorption and emission by hot carriers in GaAs/AlGaAs and Ge/GeSi multiple quantum wells
机译:
GaAs / AlGaAs和Ge / GeSi多量子阱中热载流子的红外和远红外吸收和发射
作者:
L.E.Vorobjev
;
L.E.Golub
;
D.V.Donetsky
;
E.A.Zibik
;
Yu.V.Kochegarov
;
D.A.Firsov
;
V.A.Shalygin
;
V.Ya.Aleshkin
;
O.A.Kuznetsov
;
L.K.Orlov
;
E.Towe
;
I.I.Saydashev
;
T.S.Cheng
;
C.T.Foxon
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
76.
Interrelation between XRD and TEM characterization of high quality (ZnMg)(SSe) based epilayers and heterostructures grown by MBE
机译:
XRD和TEM表征基于高质量(ZnMg)(SSe)的外延层和MBE生长的异质结构之间的相互关系
作者:
S.V.Ivanov
;
R.N.Kyutt
;
G.N.Mosina
;
L.M.Sorokin
;
S.V.Sorokin
;
Yu.G.Musikhinp
;
P.S.Kopev
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
77.
Intensive photoluminescence of proous SiC layers deposited on silicon substrates
机译:
沉积在硅基板上的SiC层的强光致发光
作者:
A.M.Danishevskii
;
V.B.Shuman
;
E.G.Guk
;
A.Yu.Rogachev
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
78.
Investigation of Be-distribution profiles in MBE-grown GaINAs for optimization of HBT based structures
机译:
研究MBE生长的GaINA中的Be分布轮廓,以优化基于HBT的结构
作者:
W.Passenberg
;
P.Harde
;
AParaskevopoulos
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
79.
Investigatkon of ohmic and schottky contacts to n-GaN
机译:
研究n-GaN的欧姆和肖特基接触
作者:
B.V.Pushnyi
;
B.V.Egorov
;
N.M.Shmidt
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
80.
Visible photoluminescence of CdTe anodically etched layers
机译:
CdTe阳极蚀刻层的可见光致发光
作者:
A.a.Lebedev
;
Yu.V.Rud
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
81.
MBE of GaN with DC-plasma source for ntrogen activation
机译:
GaN的MBE与DC等离子体源的氮活化作用
作者:
S.V.Novikov
;
G.D.Kpshidze
;
V.B.Lebedev
;
L.V.Sharonvoa
;
A.Ya.Shik
;
V.V.Tretyakov
;
V.N.Jmerik
;
V.M.Kuznetsov
;
A.M.Gurevich
;
N.N.Zinovev
;
C.T.Foxon
;
T.S.Ceng
;
G.B.Ren
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
82.
Reducing optical absorption in the tunnel diode in tandem solar cells
机译:
减少串联太阳能电池中隧道二极管的光吸收
作者:
R.Jaakkola
;
J.Lammasniemi
;
a.Kazantsev
;
M.Pessa
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
83.
All-optical switches based on light-induced field enhancement
机译:
基于光致场增强的全光开关
作者:
C.Knorr
;
T.Riedl
;
E.Fehrenbacher
;
M.Geiger
;
D.Ottenwalder
;
F.Scholz
;
A.Hangleiter
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
84.
Wide band GaP semiconductors. good results and great expectations
机译:
宽带GaP半导体。好的结果和很高的期望
作者:
Michael S.Shur
;
M.Asif Khan
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
85.
k-space indirect magnetoexcitons in double-quantum-well direct gap heterostructures
机译:
双量子阱直接间隙异质结构中的k空间间接磁激子
作者:
A.A.Gorbatsevich
;
I.V.Tokatly
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
86.
Comparative study of the junction characteristics and performance of SiC p~+ and schottky power rectifiers
机译:
SiC p〜+ / n与肖特基功率整流器的结特性和性能的比较研究
作者:
J.Scofield
;
M.Dunn
;
J.Wiemeri
;
K.Reinhardt
;
YU.K.yeo
;
R.L.hengehold
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
87.
Self-consistent field approach to the study of potential in quantum wires
机译:
自洽场方法研究量子线中的电势
作者:
L.Fedickin
;
M.Karlsteen
;
M.Willander
;
V.Ryzhii
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
88.
Impact iopnisation and temperature dependence of breakdown in Ga_(0.52)In_(0.48)P
机译:
Ga_(0.52)In_(0.48)P中击穿的冲击强度和温度依赖性
作者:
R.Ghin
;
J.P.R.David
;
M.Hopkinson
;
M.A.Pate
;
G.J.Rees
;
P.N.Robson
;
D.C.Herbert
;
A.w.Higgs
;
D.R.Wight
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
89.
Ultra-high frequency operation of mesoscopic field-effect transistor with one-dimensional quantum ballistic channel
机译:
一维量子弹道通道的介观场效应晶体管的超高频工作
作者:
V.a.Sablikov
;
E.V.Chensky
会议名称:
《》
|
1996年
90.
origin of short period oscillation near GaAs band-gap energy in photoreflectance
机译:
GaAs带隙能量在光反射中的短时振荡起因
作者:
Insum Hwang
;
Jae-Eun Kim
;
Hae Yong Park
;
D.C.Lee
;
Sam Kyu Noh
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
91.
III/V-materials for tandem-concentrator solar cell application
机译:
III / V-串联聚光太阳能电池材料
作者:
O.V.Sulima
;
A.w.Bett
;
F.Dimroth
;
S.Keser
;
G.Stollwerck
;
W.Wettling
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
92.
In-plane polarization properties of GaAsP/AlAs strained quantum wells on GaAs(113)A and (114)A substrates
机译:
GaAs(113)A和(114)A衬底上GaAsP / AlAs应变量子阱的面内极化特性
作者:
Naozumi Hiroyasu
;
Hiroyuki Yaguchi
;
Kentaro Onabe
;
Yasuhiro SHiraki
;
Ryoichi Ito
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
93.
Self-organized InSb quantum dots grown by atomic layer molecular beam epitaxy
机译:
原子层分子束外延生长的自组织InSb量子点
作者:
Ferrer Jc
;
J.Peiro
;
A.Cornet
;
Jr.Morante
;
T.Utzmeier
;
G.Armelles
;
F.Briones
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
94.
Regular 3-dimensional ensembles of InSb quantum dots-realization and conductivity regimes
机译:
InSb量子点的规则3维集成-实现和电导率机制
作者:
S.G.Romanov
;
D.V.Shamshur
;
A.V.Chernjaev
;
I.A.Larkin
;
D.K.Maude
;
J.C.Portal
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
95.
Compositionally graded buffers on GaAs as substrates for Al_(0.48)In_(0.52)As/Ga_(0.47)In_(0.53)As MODFETs
机译:
GaAs上成分分级的缓冲层作为Al_(0.48)In_(0.52)As / Ga_(0.47)In_(0.53)As MODFET的衬底
作者:
T.Fink
;
M.Haupt
;
G.Kaufelo
;
K.Kohler
;
J.Braunstein
;
H.Massler
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
96.
Control of spatial distribution of As clustrers in lt GaAs by indium delta-doping
机译:
铟三角洲掺杂控制lt GaAs中As团簇的空间分布
作者:
V.V.Caldyshev
;
N.A.Bert
;
N.N.Faleev
;
A.E.Kunitsyn
;
V.V.Tretyakov
;
V.V.Preobrazhenskii
;
M.A.Putyato
;
B.R.Semyagin
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
97.
Dispersion of bulk excition polaritons in a GaAs microcavity
机译:
GaAs微腔中本体激元极化子的色散
作者:
M.R.Valdimirova
;
A.V.Kavokin
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
98.
Dominant recombination center is 6H-SiC
机译:
复合中心为6H-SiC
作者:
A.M.Strelchuk
;
V.VEvstropov
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
99.
Investigations of lateral curent injection lasers: internal operating mechanisms and doping profile engineering
机译:
侧向电流注入激光器的研究:内部工作机制和掺杂轮廓工程
作者:
E.H.Sargent
;
G.L.Tan
;
J.M.Xu
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
100.
The origin of cublic polytype inclusions in CVD-grown epiaxial layers of silicon carbide
机译:
CVD生长的碳化硅外延层中立方多形夹杂物的起源
作者:
A.O.Konstantinov
;
C.Hallin
;
B.Petz
;
O.Kordina
;
E.Janzen
会议名称:
《Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996》
|
1996年
意见反馈
回到顶部
回到首页