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ULSI science and technology/1997
ULSI science and technology/1997
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1.
TRENDS IN CMOS PROCESS INTEGRATION
机译:
CMOS工艺集成的趋势
作者:
Richard A. Chapman
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
2.
IMPROVED SHALLOW TRENCH ISOLATION (STI) PROCESS FOR SUB-1/4 μm CMOS TECHNOLOGIES
机译:
小于1/4μmCMOS技术的改进的浅沟槽隔离(STI)工艺
作者:
P. Sallagoity
;
F. Gaillard
;
M. Rivoire
;
S. McClathie
;
M. Paoli
;
M. Haond
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
3.
MODELING OF SURFACE-SCATTERING MECHANISMS AND SOFT-THRESHOLD IMPACT-IONIZATION IN THE ANALYSIS OF REALISTIC MOS DEVICES
机译:
实际MOS器件分析中的散射机理和软阈值冲击电离建模。
作者:
M. C. Vecchi
;
A. Pierantoni
;
A. Greiner
;
M. Rudan
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
4.
MODELING OF CARRIER TRANSPORT AND QUANTUM MECHANICAL EFFECTS IN MOS INVERSION AND ACCUMULATION LAYERS
机译:
MOS反演和积聚层中载流子输运和量子力学效应的建模
作者:
Al F. Tasch
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
5.
MILESTONES IN SILICON MATERIAL TECHNOLOGY
机译:
硅材料技术的里程碑
作者:
E. Sirtl
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
6.
TWENTIETH CENTURY SILICON MICROELECTRONICS
机译:
二十世纪硅微电子学
作者:
Howard R. Huff
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
7.
STRESS IN AlNiCr FILMS AND STACKS OF FILMS
机译:
AlNiCr薄膜的应力和薄膜叠层
作者:
J.P. Lokker
;
J.F. Jongste
;
D.J. den Boer
;
G.C.A.M. Janssen
;
S. Radelaar
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
8.
A 0.18 μm CMOS TECHNOLOGY FOR ELEVATED SOURCE /DRAIN MOSFETs USING SELECTIVE SILICON EPITAXY
机译:
采用选择性硅外延的0.18μmCMOS技术用于高电压源极/漏极MOSFET
作者:
A. Srivastava
;
J. Sun
;
K. Bellur
;
R.F. Bartholomew
;
P. ONeil
;
S.M. Celik
;
C. M. Osburn
;
N. A. Masnari
;
M.C. OEztuerk
;
R. Westhoff
;
B. Fowler
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
9.
Ultra-shallow junction and salicide techniques for advanced CMOS devices
机译:
适用于高级CMOS器件的超浅结和自对准硅化物技术
作者:
T. Ohguro
;
S. Nakamura
;
M. Saito
;
M. Ono
;
H. Harakawa
;
E. Morifuji
;
T. Yoshitomi
;
T. Morimoto
;
H. S. Momose
;
Y. Katsumata
;
H. Iwai
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
10.
FABRICATION OF ULTRASHORT VERTICAL MOS-TRANSISTORS
机译:
ULTHORTHORT垂直晶体管的制造
作者:
Th. Aeugle
;
L. Risch
;
W. Roesner
;
H. Schaefer
;
M. Franosch
;
M. Eller
;
T. Ramcke
会议名称:
《》
|
1997年
11.
IN-SITU BORON DOPED Si_(1-x)Ge_x GATE TECHNOLOGY FOR SUBMICRON NMOS- AND PMOS-FETS
机译:
用于亚微米NMOS和PMOS FET的原位硼掺杂Si_(1-x)Ge_x门技术
作者:
V. Z-Q Li
;
M. R. Mirabedini
;
B. Hornung
;
R. T. Kuehn
;
I J. Wortman
;
M. C. Oztuerk
;
D. Batchelor
;
D. Venables
;
D. M. Maher
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
12.
SCALING CHALLENGES FOR DRAM AND MICROPROCESSORS IN THE 21ST CENTURY
机译:
21世纪DRAM和微处理器的规模挑战
作者:
Robert H. Dennard
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
13.
TECHNOLOGY TREND OF FLASH MEMORY
机译:
闪存的技术趋势
作者:
Fujio Masuoka
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
14.
REDUCTION IN CONTACT RESISTANCE WITH IN-SITU O_2-RIE TREATMENT
机译:
原位O_2-RIE处理可降低接触电阻
作者:
Kazumasa Yonekura
;
Shigenori Sakamori
;
Kenji Kawai
;
Hiroshi Miyatake
;
Masahiro Yoneda
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
15.
RESIDUAL END-OF-RANGE DAMAGE REDUCTION IN LOW- TEMPERATURE-ANNEALED ION-IMPLANTED JUNCTIONS BY USING LOW-DOPED SILICON SUBSTRATE
机译:
通过使用低掺杂硅基质降低低温退火离子注入结中的残余末端损伤
作者:
Y. Tamai
;
M. M. Oka
;
A. Nakada
;
T. Shibata
;
T. Ohmi
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
16.
PARASITIC RESISTANCE CONSIDERATIONS OF USING ELEVATE SOURCE/DRAIN FOR DEEP SUBMICRON MOSFET TECHNOLOGY
机译:
深亚微米MOSFET技术使用源极/漏极寄生电阻的考虑
作者:
J. Sun
;
A. Srivastava
;
R. F. Bartholomew
;
K. Bellur
;
C. M. Osburn
;
N. A. Masnari
;
R. Westhoff
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
17.
THE DEPENDENCE OF Cu REMOVAL EFFICIENCY ON THE INITIAL Cu CONCENTRATION OF Si SURFACE
机译:
Cu去除效率与Si表面初始Cu浓度的关系
作者:
J.S.Kim
;
H.Morita
;
J.D.Joo
;
T.Ohml
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
18.
INTEGRATED THREE-DIMENSIONAL TOPOGRAPHY SIMULATION OF CONTACT HOLE PROCESSING
机译:
接触孔加工的三维三维地形学模拟
作者:
E. Baer
;
A. Benvenuti
;
W. Henke
;
B. Juenemann
;
C. Kalus
;
P. Niedermaier
;
J. Lorenz
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
19.
OXIDE DEFECT ANNIHILATION/GENERATION FOLLOWING HIGH TEMPERATURE ANNEALING: A GATE OXIDE INTEGRITY EVALUATION
机译:
高温退火后的氧化物缺陷消除/生成:栅极氧化物完整性评价
作者:
M.Tamatsuka
;
T.Sasaki
;
K.Hagimoto
;
G.A.Rozgonyi
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
20.
ION IMPLANTATION - THE CRITICAL ROLES OF DEFECTS, DIFFUSION AND DOPANT PROFILE CONTROL
机译:
离子注入-缺陷,扩散和掺杂剂轮廓控制的关键作用
作者:
D. C. Jacobson
;
J. M. Poate
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
21.
DRAIN ENGINEERING OF SUB-QUARTER-MICROMETER MOSFET DEVICES
机译:
准四极MOSFET器件的漏极工程
作者:
Jiunn-Yann Tsai
;
Carlton M. Osburn
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
22.
LOW-TEMPERATURE DEPOSITION OF (Ba,Sr)TiO_3 THIN FILMS FOR ULSI DRAM APPLICATIONS BY THE INITIAL RF-SPUTTERING STEP CONTROL
机译:
初始RF溅射步骤控制用于ULSI DRAM的(Ba,Sr)TiO_3薄膜的低温沉积
作者:
Shinobu Takehiro
;
Satoshi Yamauchi
;
Masaki Yoshimaru
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
23.
Ultra-thin gate oxide technology for high performance CMOS
机译:
用于高性能CMOS的超薄栅极氧化物技术
作者:
Hisayo Sasaki Momose
;
Shin-ichi Nakamura
;
Yasuhiro Katsumata
;
Hiroshi Iwai
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
24.
OXIDIZED AMORPHOUS SILICON IMPROVED - LOCOS(OASI- LOCOS) PROCESS FOR LOW VOLTAGE, LOW POWER SUB QUARTER MICRON DEVICES ISOLATION
机译:
氧化的非晶硅改进了-LOCOS(OASI-LOCOS)工艺,可实现低电压,低功率子次级微电子器件的隔离
作者:
S.Deleonibus
;
F.Martin
;
M.Heitzmann
;
F.Vinet
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
25.
Excellent Electrical Characteristics of Ultra-fine Trench Isolation
机译:
超细沟槽隔离的出色电气特性
作者:
K. Shiozawa
;
T. Oishi
;
H. Maeda
;
T. Murakami
;
K. Yasumura
;
Y. Abe
;
Y. Tokuda
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
26.
DEVICE MODELING CHALLENGES INTO THE NEXT CENTURY
机译:
到下个世纪的设备建模挑战
作者:
Robert W. Dutton
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
27.
0.1μm MOSFET with Super Self-aligned Shallow junction Electrodes
机译:
具有超级自对准浅结电极的0.1μmMOSFET
作者:
Makoto Ishii
;
Kinya Goto
;
Masao Sakuraba
;
Takashi Matsuura
;
Junichi Murota
;
Yoshiharu Kudoh
;
Mitsumasa Koyanagi
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
28.
OPTIMIZATION OF POLYSILICON ENCAPSULATED LOCOS FOR 0.25 MICRON CMOS: CORRELATION BETWEEN CAVITY DIMENSIONS, MECHANICAL STRESS, AND GATE OXIDE INTEGRITY
机译:
0.25微米CMOS的多晶硅包封的优化:腔尺寸,机械应力和氧化栅完整性之间的相关性
作者:
G. Badenes
;
R. Rooyackers
;
S. K. Jones
;
D. Bazley
;
R. Beanland
;
I. De Wolf
;
L. Deferm
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
29.
CHARGE CARRIER QUANTIZATION EFFECTS IN DOUBLE-GATED SOI MOSFETS
机译:
双栅极SOI MOSFET中的电荷载流子量化效应
作者:
Andreas Wettstein
;
Andreas Schenk
;
Andreas Scholze
;
Gilda Garreton
;
Wolfgang Fichtner
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
30.
OXIDATION ENHANCED DIFFUSION OF BORON IN SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATES
机译:
绝缘硅基衬底中硼的氧化增强扩散
作者:
S. Pindl
;
M. Biebl
;
E. Hammerl
;
H. Schaefer
;
H. von Philipsborn
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
31.
INNOVATED SILICON CRYSTAL GROWTH AND WAFERING TECHNOLOGIES
机译:
创新的硅晶体生长和晶片技术
作者:
TAKAO ABE
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
32.
ULTRASMALL CONTACT HOLE FORMATION AND ITS ETCHING CHARACTERISTICS
机译:
超小接触孔的形成及其刻蚀特性
作者:
Naokatsu Ikegami
;
Atsushi Yabata
;
Jun Kanamori
;
Yasuhiro Horiike
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
33.
THERMAL PROCESSING ISSUES FOR 300 mm SILICON WAFERS: CHALLENGES AND OPPORTUNITIES
机译:
300毫米硅晶圆的热加工问题:挑战与机遇
作者:
Howard R. Huff
;
Randal K. Goodall
;
Robert H. Nilson
;
Stewart K. Griffiths
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
34.
THE INVENTION OF THE POINT-CONTACT TRANSISTOR: A CASE STUDY IN SERENDIPITY
机译:
点接触式晶体管的发明:一个偶然性的案例研究
作者:
Ralph Bray
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
35.
HIGHLY RELIABLE RAISED SOURCE/DRAIN FORMATION PROCESS BY SELECTIVE Si DEPOSITION FOR 50nm JUNCTION-DEPTH MOSFET
机译:
50nm结深度MOSFET的选择性Si沉积实现高可靠的源/漏形成过程
作者:
T. Yasunaga
;
S. Shishiguchi
;
S. Saito
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
36.
Selectivity Mechanism of Cerium Oxide CMP for Global Planarization of Low-Parasitic-Capacitance Interconnection
机译:
氧化铈CMP对低寄生电容互连整体平面化的选择性机制
作者:
Yoshio Homma
;
Takeshi Furusawa
;
Kikuo Kusukawa
;
Masayuki Nagasawa
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
37.
BORON PENETRATION OF THIN POLYSILICON GATES / ULTRATHIN GATE DIELECTRICS FROM B~+ IMPLANTATION AND THERMAL PROCESSING
机译:
B〜+注入对薄多晶硅门/超薄门介电体的硼渗透作用及热加工
作者:
Richard B. Fair
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
38.
CURRENT STATUS OF SIMOX TECHNOLOGY: HIGH-QUALITY ITOX-SIMOX WAFERS AND THEIR APPLICATION TO QUARTER-MICRON CMOS LSIS
机译:
SIMOX技术的当前状态:高质量的ITOX-SIMOX晶片及其在四分之一CMOS LSIS中的应用
作者:
Katsutoshi Izumi
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
39.
ELECTROMIGRATION AND STRESS-INDUCED VOIDING IN FINE Al(Cu) LINES
机译:
精细Al(Cu)线的电沉积和应力诱发空洞
作者:
C.-K. Hu
;
K.P. Rodbell
;
K. Y. Lee
;
T. Sullivan
;
D.P. Bouldin
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
40.
SUB-0.25 μm OPTICAL LITHOGRAPHY USING DEEP-UV AND OPTICAL ENHANCEMENT TECHNIQUES
机译:
使用深紫外和光学增强技术进行小于0.25μm的光学光刻
作者:
L. Van den hove
;
K. Ronse
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
41.
The Removal Efficiency of Copper Impurity on Various Si Surfaces
机译:
各种硅表面上铜杂质的去除效率
作者:
Katsuyuki SEKINE
;
Geun-Min CHOI
;
Hiroshi MORITA
;
Tadahiro OHMI
会议名称:
《ULSI science and technology/1997》
|
1997年
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