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Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000
Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000
召开年:
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Anaheim, CA
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-
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1.
The importance of standardizing CDM ESD test head parameters toobtain data correlation
机译:
标准化CDM ESD测试头参数的重要性获得数据关联
作者:
Henry L.G.
;
Kelly M.A.
;
Diep T.
;
Barth J.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
2.
TLP calibration, correlation, standards, and new techniques ESDtest
机译:
TLP校准,相关性,标准和新技术ESD测试
作者:
Barth J.
;
Verhaege K.
;
Henry L.G.
;
Richner J.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
3.
A method for determining a transmission line pulse shape thatproduces equivalent results to human body model testing methods
机译:
确定传输线脉冲形状的方法产生与人体模型测试方法相同的结果
作者:
Lee J.C.
;
Hoque M.A.
;
Croft G.D.
;
Liou J.J.
;
Young W.R.
;
Bernier J.C.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
4.
Investigation on different ESD protection strategies devoted to 3.3V RF applications (2 GHz) in a 0.18 μm CMOS process
机译:
针对3.3的不同ESD保护策略的调查采用0.18μmCMOS工艺的V RF应用(2 GHz)
作者:
Richier C.
;
Salome P.
;
Mabboux G.
;
Zaza I.
;
Juge A.
;
Mortini P.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
5.
ESD protection in fully-depleted CMOS/SIMOX with a tungsten-cladsource/drain
机译:
镀钨的全耗尽CMOS / SIMOX中的ESD保护源极/漏极
作者:
Koizumi H.
;
Komine Y.
;
Ohtomo Y.
;
Shimaya M.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
6.
Comparison and correlation of ESD HBM (human body model) obtainedbetween TLPG, wafer-level, and package-level tests
机译:
ESD HBM(人体模型)的比较和相关性TLPG,晶圆级和封装级测试之间
作者:
Lee M.T.
;
Liu C.H.
;
Chung-Chiang Lin
;
Jin-Tau Chou
;
Tang H.T.H.
;
Chang Y.J.
;
Fu K.Y.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
7.
Advancements in inherently dissipative polymer (IDP) alloys providenew levels of clean, consistent ESD protection
机译:
固有耗散聚合物(IDP)合金的进步提供了全新级别的清洁,一致的ESD保护
作者:
Kim K.J.
;
Hardwick M.
;
Pham H.
;
Fahey T.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
8.
Controlling ESD and cleanliness by using new thermoplasticcompounds for injection molded and corrugated packaging products
机译:
使用新型热塑性塑料控制ESD和清洁度用于注塑和瓦楞纸包装产品的化合物
作者:
Narkis M.
;
Lidor G.
;
Vaxman A.
;
Zuri L.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
9.
Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings2000 (IEEE Cat. No.00TH8476)
机译:
电气过应力/静电释放研讨会论文集2000(IEEE目录号00TH8476)
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
10.
ESD-level circuit simulation-impact of gate RC-delay on HBM and CDMbehavior
机译:
ESD级电路仿真-栅极RC延迟对HBM和CDM的影响行为
作者:
Mergens M.P.J.
;
Wilkening W.
;
Kiesewetter G.
;
Mettler S.
;
Wolf H.
;
Hieber J.
;
Fichtner W.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
11.
VerifyESD: a tool for efficient circuit level ESD simulations ofmixed-signal ICs
机译:
验证ESD:用于高效电路级ESD仿真的工具混合信号IC
作者:
Baird M.
;
Ida R.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
12.
The effects of EMI from cell phones on GMR magnetic recording headsand test equipment
机译:
手机的EMI对GMR磁记录头的影响和测试设备
作者:
Kraz V.
;
Wallash A.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
13.
Investigation of ESD transient EMI causing spurious clock trackread transitions during servo-write
机译:
ESD瞬态EMI引起虚假时钟轨迹的研究伺服写入期间的读取转换
作者:
Ber-Chin Yap
;
Patton C.R.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
14.
Electrostatic discharge characterization of epitaxial-basesilicon-germanium heterojunction bipolar transistors
机译:
外延基的静电放电特性硅锗异质结双极晶体管
作者:
Voldman S.
;
Juliano P.
;
Schmidt J.
;
Johnson R.
;
Lanzerotti L.
;
Joseph A.
;
Brennan C.
;
Dunn J.
;
Harame D.
;
Rosenbaum E.
;
Meyerson B.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
15.
Wafer cost reduction through design of high performance fullysilicided ESD devices
机译:
通过充分设计高性能来降低晶圆成本硅化ESD器件
作者:
Verhaege K.G.
;
Russ C.C.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
16.
Silicon-on-insulator dynamic threshold ESD networks and activeclamp circuitry
机译:
绝缘体上硅动态阈值ESD网络并处于活动状态钳位电路
作者:
Voldman S.
;
Hui D.
;
Young D.
;
Williams R.
;
Dreps D.
;
Howard J.
;
Sherony M.
;
Assaderaghi F.
;
Shahidi G.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
17.
ESD immunity in system designs, system field experiences andeffects of PWB layout
机译:
系统设计,系统现场经验和PWB布局的影响
作者:
Smith D.C.
;
Nakauchi E.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
18.
Generalized model of electrostatic discharge (ESD) for bodies inapproach: analyses of multiple discharges and speed of approach
机译:
人体静电放电的通用模型进近:多次放电和进近速度的分析
作者:
Greason W.D.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
19.
New methods for measuring resistance and charge decay ofworksurfaces
机译:
测量电阻和电荷衰减的新方法工作面
作者:
Uchida H.
;
Kurosaki H.
;
Numaguchi T.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
20.
Mechanical and electrical properties of poly(ether ether ketone)(PEEK) with various conductive fillers
机译:
聚醚醚酮的机械和电气性能(PEEK)与各种导电填料
作者:
Extrand C.W.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
21.
Evaluation of materials used in cleanrooms with ESD sensitivehardware
机译:
评估具有ESD敏感性的洁净室中使用的材料硬件
作者:
Lesniewski T.
;
Yates K.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
22.
Limitations of the adiabatic model for ESD failure in GMRstructures
机译:
GMR中ESD失效的绝热模型的局限性结构
作者:
Granstrom E.
;
Tabat N.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
23.
A study of methods to eliminate metal contact in GMR headmanufacturing
机译:
消除GMR头中金属接触的方法研究制造业
作者:
Snyder H.
;
Wallash A.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
24.
HDA-level ESD testing of giant magnetoresistive (GMR) recordingheads
机译:
巨磁阻(GMR)记录的HDA级ESD测试头
作者:
Nordin D.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
25.
Evaluation of tribocharging and ESD protection schemes on GMRmagnetic recording heads during CO
2
jet cleaning
机译:
对GMR的摩擦充电和ESD保护方案的评估CO
2 sub>喷射清洁过程中的磁记录头
作者:
Vickers D.
;
Carradero D.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
26.
Measuring and specifying limits on current transients andunderstanding their relationship to MR head damage
机译:
测量并指定电流瞬变和了解他们与MR头部损伤的关系
作者:
Ogle W.
;
Moore C.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
27.
On-chip ESD protection design by using polysilicon diodes in CMOStechnology for smart card application
机译:
在CMOS中使用多晶硅二极管的片上ESD保护设计智能卡应用技术
作者:
Tai-Ho Wang
;
Ming-Dou Ker
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
28.
Hot carrier degradation and ESD in submicron CMOS technologies: howdo they interact?
机译:
亚微米CMOS技术中的热载流子退化和ESD:如何他们互动吗?
作者:
Groeseneken G.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
29.
Breakdown and latent damage of ultra-thin gate oxides under ESDstress conditions
机译:
ESD下超薄栅极氧化物的击穿和潜在损坏压力条件
作者:
Wu J.
;
Juliano P.
;
Rosenbaum E.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
30.
High current characteristics of devices in a 0.18 μm CMOStechnology
机译:
0.18μmCMOS器件的高电流特性技术
作者:
Worley E.
;
Salem A.
;
Sittampalam Y.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
31.
Engineering the cascoded NMOS output buffer for maximum V
t1
机译:
工程级联的NMOS输出缓冲器以获得最大V
t1 sub>
作者:
Miller J.W.
;
Khazhinsky M.G.
;
Weldon J.C.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
32.
Considerations for an HBM ESD standard for measuring and testing ofmagneto resistive heads
机译:
测量和测试HBM ESD标准的注意事项磁阻磁头
作者:
Henry L.G.
;
Wallash A.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
33.
A comparison of quasi-static characteristics and failure signaturesof GMR heads subjected to CDM and HBM ESD events
机译:
准静态特性和失效特征的比较经受CDM和HBM ESD事件的GMR磁头的数量
作者:
Moore C.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
34.
In-situ spin stand ESD testing of giant magnetoresistive (GMR)recording heads
机译:
巨磁阻(GMR)的原位自旋支架ESD测试记录头
作者:
Wallash A.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
35.
Measurement technique developed to evaluate transient EMI in aphoto bay with and without air ionization
机译:
开发了一种评估技术来评估瞬态EMI有和没有空气电离的照片舱
作者:
Rudack A.C.
;
Pendley M.
;
Levit L.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
36.
A novel NMOS transistor for high performance ESD protection devicesin 0.18 μm CMOS technology utilizing salicide process
机译:
用于高性能ESD保护器件的新型NMOS晶体管采用自对准硅化物工艺的0.18μmCMOS技术
作者:
Chang-Su Kim
;
Hong-Bae Park
;
Bung-Gwan Kim
;
Dae-Gwan Kang
;
Myoung-Goo Lee
;
Si-Woo Lee
;
Chan-Hee Jeon
;
Wan-Gu Kim
;
Young-Jae Yoo
;
Han-Sub Yoon
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
37.
Advanced 2D/3D ESD device simulation-a powerful tool already usedin a pre-Si phase
机译:
先进的2D / 3D ESD器件仿真-已经使用的功能强大的工具在硅前阶段
作者:
Esmark K.
;
Stadler W.
;
Wendel M.
;
Gossner H.
;
Guggenmos X.
;
Fichtner W.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
38.
Electrothermal modeling of ESD diodes in bulk-Si and SOItechnologies
机译:
体硅和SOI中ESD二极管的电热建模技术
作者:
Yu Wang
;
Juliano P.
;
Joshi S.
;
Rosenbaum E.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
39.
Wafer charging in process equipment and its relationship to GMRheads charging damage
机译:
工艺设备中的晶圆充电及其与GMR的关系头部充电损坏
作者:
Lukaszek W.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
40.
Floating gate EEPROM as EOS indicators during wafer-level GMRprocessing
机译:
晶圆级GMR期间的浮栅EEPROM作为EOS指示器处理中
作者:
Granstrom E.
;
Cermak R.
;
Tesarek P.
;
Tabat N.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
41.
Investigation of GMR sensor microstructural changes induced by HBMESD using advanced microscopy approach
机译:
HBM诱发GMR传感器微结构变化的研究使用高级显微镜方法的ESD
作者:
Bordeos R.
;
Zhang Lianzhu
;
Hung S.T.F.
;
Wong C.Y.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
42.
A study of static-dissipative tweezers for handling giantmagneto-resistive recording heads
机译:
静电消散镊子的研究磁阻记录头
作者:
Lam C.F.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
43.
Electrostatic voltmeter and fieldmeter measurements on GMRrecording heads
机译:
GMR上的静电电压表和现场表测量记录头
作者:
Pritchard D.
会议名称:
《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2000》
|
2000年
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