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Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92
Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92
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1.
Comparative stud of low temperature poly-Si TFTs obtained by various crystallization techniques for use in active matrix LCDs
机译:
通过各种结晶技术获得的用于有源矩阵LCD的低温多晶硅TFT的比较柱
作者:
Pattyn H.
;
Poortmans J.
;
Debenest P.
;
Caymax M.
;
Vetter P.
;
Elliq M.
;
Fogarassy E.
;
Nenyei Z.
;
Nijs J.
;
Mertens R.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
2.
Laser Crystallised Poly-Si TFTs
机译:
激光结晶多晶硅TFT
作者:
Brotherton S D
;
McCulloch D J
;
Gowers J P
;
Gill A
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
3.
A Silicon Vertical JFET Compatible with Standard 0.7 ÃÂÿm CMOS Technology
机译:
兼容标准0.7 µm CMOS技术的硅垂直JFET
作者:
Granier A.
;
Mouis M.
;
Degors N.
;
Kirtsch J.
;
Chantre A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
4.
Physics and modelling of polysilicon TFTs
机译:
多晶硅TFT的物理和建模
作者:
Migliorato P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
5.
A GIGABIT scalable SILO field isolation using Rapid Thermal Nitridation (RTN) of silicon
机译:
使用硅的快速热氮化(RTN)的GIGABIT可扩展SILO场隔离
作者:
Deleonibus S.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
6.
New Transient Characterization of Latchup Phenomenon in CMOS Cell
机译:
CMOS单元中闩锁现象的新瞬态特性
作者:
Roche F. M.
;
Bocus S. D.
;
Girard P.
;
Barille R.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
7.
First demonstration of sub-nanosecond photon timing with a Germanium photodiode
机译:
锗光电二极管首次演示亚纳秒光子计时
作者:
Lacaita A.
;
Cova S.
;
Zappa F.
;
Ripamonti G.
;
Lovati P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
8.
Total Quality Management (TQM) in Research and Development
机译:
研发中的全面质量管理(TQM)
作者:
Beasley Keith
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
9.
Experiments on Optoelectronic Bistability in Distributed AIAs/GaAs-Bragg Reflectors
机译:
分布AIAs / GaAs-Bragg反射镜中的光电双稳态实验
作者:
Knigge S.
;
Zumkley S.
;
Wingen G.
;
Humbach O.
;
Chaix C.
;
Jager D
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
10.
Surface emitting semiconductor laserdiodes based on surface mode emission
机译:
基于表面模式发射的表面发射半导体激光二极管
作者:
Kock A.
;
Seeberg A.
;
Rosenberger M.
;
Gornik E.
;
Thanner C.
;
Korte L.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
11.
Two-Dimensional Noise Calculations of Sub-Micrometer MESFETs
机译:
亚微米MESFET的二维噪声计算
作者:
Abou-Elnour A.
;
Schuenemann K.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
12.
Fast and Sensitive Two-Terminal Double-Heterojunction Optical Thyristors
机译:
快速灵敏的两端子双异质结光学晶闸管
作者:
Heremans P. L.
;
Kuijk M.
;
Vounckx R.
;
Borghs G.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
13.
Simulation of Compound Semiconductor Devices
机译:
复合半导体器件的仿真
作者:
Schoenmaker Wim
;
Vankemmel Rudi
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
14.
Numerical Analysis of InP-JFET by Use of a Quasi 2D-Model
机译:
准二维模型对InP-JFET的数值分析
作者:
Brockerhoff W.
;
Ellrodt P.
;
Guldner W.
;
Heime K.
;
Tegude F. J.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
15.
Device Characterisation of a High-Performance 0.25 ÃÂÿm CMOS Technology
机译:
高性能0.25μmCMOS技术的器件表征
作者:
Woerlee P.H.
;
Juffermans C.A.H.
;
Lifka H.
;
Manders W.H.
;
Pomp H.G.
;
Paulzen G.M.
;
Walker A.J.
;
Woltjer R.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
16.
Shallow P
+
-Junction Technology for 0.25 ÃÂÿm CMOS
机译:
适用于0.25μmCMOS的浅P
+ sup>-结技术
作者:
Pomp H.
;
Woerlee P.H.
;
Walker A.J.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
17.
Isolation design comparisons for 0.5 ÃÂÿm CMOS technology using SILO process
机译:
使用SILO工艺的0.5μmCMOS技术的隔离设计比较
作者:
Guegan G.
;
Deleonibus S.
;
Lerme M.
;
Blanc J.P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
18.
Investigations of the resistivity of TiSi/p+ contacts and their optimisation in a 0.5 ÃÂÿm CMOS technology
机译:
TiSi / p +接触电阻率的研究及其在0.5μmCMOS技术中的优化
作者:
Neumueller W.
;
Hoehnel F.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
19.
ULSI CMOS - The Next Ten Years
机译:
ULSI CMOS-未来十年
作者:
Chatterjee Pallab
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
20.
Recent Development of InP-based Optoelectronic Devices
机译:
基于InP的光电器件的最新发展
作者:
Suematsu Yasuharu
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
21.
Timetable
机译:
时间表
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
22.
Measurement of two-dimensional doping profiles
机译:
二维掺杂分布图的测量
作者:
Subrahmanyan Ravi
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
23.
Lateral spread of high energy P and B ions implanted in silicon along the 100 axis and in random direction
机译:
高能P和B离子沿100轴沿随机方向横向扩散到硅中
作者:
Privitera V.
;
Raineri V.
;
Rimini E.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
24.
Charge Trapping in Wafer Bonded MOS Structures
机译:
晶圆键合MOS结构中的电荷陷阱
作者:
Jauhiainen Anders
;
Bengtsson Stefan
;
Engstrom Olof
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
25.
Temperature and field effects on the conduction mechanisms in semi - insulating polycrystalline silicon
机译:
温度和场对半绝缘多晶硅导电机理的影响。
作者:
Lombardo S.
;
Campisano S. U.
;
Baroetto F.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
26.
Random Telegraph Signal Noise: A Probe for Hot-Carrier Degradation Effects in Submicrometer MOSFET's?
机译:
随机电报信号噪声:亚微米MOSFET的热载流子降解效应的探究?
作者:
Simoen E.
;
Dierickx B.
;
Claeys C.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
27.
Characterization of the Ionizing Radiation Sensitivity of a CCD Technology
机译:
CCD技术的电离辐射灵敏度的表征
作者:
Simone A.
;
Debusschere I.
;
Alaerts A.
;
Claeys C.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
28.
Technology and applications of high-density sensors
机译:
高密度传感器的技术与应用
作者:
Khosla R.P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
29.
A CCD delay line to determine low concentrations of bulk traps in silicon
机译:
CCD延迟线可确定硅中体阱的低浓度
作者:
Toren W.J.
;
Bisschop J.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
30.
A Defect-Limited Noise Model for a Charge-Coupled Device Pixel
机译:
电荷耦合器件像素的缺陷限制噪声模型
作者:
McGrath R. D.
;
Clark S. F.
;
Duane P. K.
;
Haque-Ahmed S.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
31.
Pixel structure with logarithmic response for intelligent and flexible imager architectures
机译:
具有对数响应的像素结构,适用于智能,灵活的成像器架构
作者:
Ricquier N.
;
Dierickx B.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
32.
A 3ÃÂÃÂ3 infrared matrix sensor using PVDF on silicon
机译:
在硅上使用PVDF的3×3×3红外矩阵传感器
作者:
Hammes P.C.A.
;
Regtien P.P.L.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
33.
Smart imager for fast and inexpensive mass-spectrometer back-ends
机译:
智能成像仪,用于快速廉价的质谱仪后端
作者:
Dierickx B.
;
Geeraert D.
;
Nevejans D.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
34.
Novel Contribution in Branch of Ultra-Fast Condensed Matter Spectroscopic Photon Counting System
机译:
超快凝聚物光谱光子计数系统分支的新贡献
作者:
Prochazka I.
;
Hamal K.
;
Sopko B.
;
Macha I.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
35.
Shallow Junctions, Silicide Requirements and Process Technologies for Sub 0.5 ÃÂÿm CMOS
机译:
0.5μm以下CMOS的浅结,硅化物要求和工艺技术
作者:
Davari Bijan
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
36.
Electrical properties of thin SiO
2
films nitrided in N
2
O by rapid thermal processing
机译:
通过快速热处理在N
2 inf> O中氮化的SiO
2 inf>薄膜的电性能
作者:
Severi M.
;
Mattei G.
;
Dori L.
;
Maccagnani P.
;
Baldini G.L.
;
Pizzochero G.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
37.
Implementation of a TiN cap layer into conventional self-aligned RTP titanium disilicide MOS process
机译:
在传统的自对准RTP二硅化钛MOS工艺中实现TiN覆盖层
作者:
Kaplan W.
;
Zhang S-L.
;
Norstrom H.
;
Ostling M.
;
Lindberg A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
38.
Thermal Stability of CoSi
2
on Submicron Polycrystalline Silicon Lines
机译:
CoSi
2 inf>在亚微米多晶硅线上的热稳定性
作者:
Schreutelkamp R.J.
;
Deweerdt B.
;
Verbeeck R.
;
Maex K.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
39.
Comparison of Self-Aligned Silicide Technologies for Shallow CoSi
2
-Contacts in VLSI-Devices
机译:
VLSI器件中浅层CoSi
2 inf>-触点自对准硅化物技术的比较
作者:
Schaffer C.
;
Depta D.
;
Niewohner L.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
40.
Shallow junction formation using MoSi
2
as diffusion source
机译:
以MoSi
2 inf>为扩散源的浅结形成
作者:
Angelucci R.
;
Impronta M.
;
Pizzochero G.
;
Poggi A.
;
Solmi S.
;
Canteri R.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
41.
On-wafer high-frequency device characterization
机译:
晶圆上高频器件表征
作者:
Koolen M.C.A.M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
42.
Transient Two-Dimensional Numerical Analysis of the Charge-Pumping Experiment
机译:
电荷泵实验的瞬态二维数值分析
作者:
Habas Predrag
;
Heinreichsbegrer Otto
;
Selberherr Siegfried
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
43.
Accurate determination of bandgap narrowing in heavilydoped epitaxial p-type silicon
机译:
重掺杂外延p型硅中带隙变窄的准确测定
作者:
Ghannam M. Y.
;
Mertens R.P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
44.
Emitter-Base Breakdown: Measurement and Simulation
机译:
发射极基础故障:测量和仿真
作者:
Bergner W.
;
Packan P.
;
Seidl B.
;
Klose H.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
45.
Explanation of Current Crowding Phenomena Induced by Impact Ionization in Advanced Si Bipolar Transistors by Means of Electrical Measurements and Light Emission Microscopy
机译:
借助电学测量和发光显微镜对高级Si双极晶体管中碰撞电离引起的电流拥挤现象的解释
作者:
Pavan Paolo
;
Vendrame Loris
;
Bigliardi Stefano
;
Marty Arlette
;
Chantre Alain
;
Zanoni Enrico
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
46.
Measuring the drain voltage dependent series resistance in submicron LDD MOSFET's
机译:
在亚微米LDD MOSFET中测量与漏极电压相关的串联电阻
作者:
Otten J.A.M.
;
Klaassen F.M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
47.
Small geometry effects on the maximum cutoff frequency of bipolar transistors
机译:
小几何形状对双极晶体管的最大截止频率有影响
作者:
Decoutere S.
;
Deferm L.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
48.
Low-Frequency Noise in BJTs and HBTs: Influence of Internal Series Resistances
机译:
BJT和HBT中的低频噪声:内部串联电阻的影响
作者:
Kleinpenning T.G.M.
;
Holden A.J.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
49.
A Silicon Technology for Active High Frequency Circuits
机译:
有源高频电路的硅技术
作者:
Strohm K. M.
;
Buechler J.
;
Luy J.-F.
;
Schaffler F.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
50.
Polyoxide edge tunnelling current reduction by top corner rounding
机译:
通过顶部拐角舍入降低多边边缘隧道电流
作者:
Haspeslagh L.
;
Vanhorebeek G.
;
Deferm L.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
51.
Thin High-Dielectric TiO
2
Films Prepared by Low Pressure MOCVD
机译:
低压MOCVD法制备高介电常数TiO
2 inf>薄膜
作者:
Rausch N.
;
Burte E.P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
52.
Laser direct writing of aluminum multilevel interconnects for VLSI applications
机译:
用于VLSI应用的铝多层互连的激光直接写入
作者:
Treiger L.M.
;
Popov A.A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
53.
Integration of Vertical/Quasivertical DMOS, CMOS and Bipolar Transistors in a 50 V SIMOX Process
机译:
在50 V SIMOX工艺中集成垂直/准垂直DMOS,CMOS和双极晶体管
作者:
Weyers J.
;
Vogt H.
;
Berger M.
;
Mach W.
;
Mutterlein B.
;
Raab M.
;
Richter F.
;
Vogt F.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
54.
Fabrication of submicron microwave bipolar transistors by direct write electron beam lithography
机译:
直接写入电子束光刻技术制备亚微米微波双极晶体管
作者:
Webster M.N.
;
Verbruggen A.H.
;
Romijn J.
;
Jos H.F.F.
;
Moors P.M.A.
;
Radelaar S.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
55.
A Systematic Investigation of N-Channel Delta-Doped Mosfets Grown by M.B.E
机译:
M.B.E种植的N沟道Delta掺杂Mosfets的系统研究
作者:
ONeill A.G.
;
Wood A.C.G.
;
Phillips P.
;
Whall T.E.
;
Parker E.H.C.
;
Gundlach A.
;
Taylor S.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
56.
Photon Emission from Sub-Micron p-Channel Mosfets Biased at High Fields
机译:
亚微米p沟道Mosfets的光子发射在高场下被偏置
作者:
Selmi Luca
;
Lanzoni Massimo
;
Bigliardi Stefano
;
Sangiorgi Enrico
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
57.
Effect of electron heating on RTS in deep submicron n-MOSFET's
机译:
电子加热对深亚微米n-MOSFET的RTS的影响
作者:
Shi Z.M.
;
Mieville J.P.
;
Dutoit M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
58.
Identification and Characterization of the l/f Low-Frequency Noise in GaAs MESFETs Grown on InP Substrates
机译:
InP衬底上生长的GaAs MESFET中的l / f低频噪声的识别和表征
作者:
Chertouk M.
;
Chovet A.
;
Clei A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
59.
White noise study of JFET's on a new mixed rad-hard technology
机译:
基于新型混合抗辐射技术的JFET的白噪声研究
作者:
Delevoye E.
;
Chovet A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
60.
Microwave Characterization of High T
c
Superconducting YBaCuO Thin Films and Preliminary Device Realization
机译:
高T
c inf>超导YBaCuO薄膜的微波表征及初步器件实现
作者:
Carru J.C.
;
Mehri F.
;
Chauvel D.
;
Crosnier Y.
;
Deneffe K.
;
Villegier J.C.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
61.
Accurate Modeling of Electro-Thermal Effects in Silicon Devices
机译:
硅器件中电热效应的精确建模
作者:
Pierantoni A.
;
Ciampolini P.
;
Baccarani G.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
62.
Analysis of Transient Behaviour of Floating Gate EEPROMs
机译:
浮栅EEPROM的瞬态行为分析
作者:
Concannon A.
;
Keeney S.
;
Mathewson A.
;
Bez R.
;
Lombardi C.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
63.
Accurate Analysis of Emitter Ballasting in HBT Power Transistors
机译:
HBT功率晶体管中发射极镇流的精确分析
作者:
Mezui-Mintsa R.
;
Hassaine N.
;
Riet M.
;
Villeforceix B.
;
Konczykowska A.
;
Vuye S.
;
Wang H.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
64.
Influence of short channel effects on microwave performances of AlGaAs/InGaAs HEMTs using Monte Carlo simulation
机译:
蒙特卡罗模拟的短通道效应对AlGaAs / InGaAs HEMT微波性能的影响
作者:
Dollfus P.
;
Bru C.
;
Galdin S.
;
Hesto P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
65.
Correlation between Mobility Degradation and Threshold-Voltage Behavior of Subhalf-micron MOSFETs
机译:
亚半微米MOSFET的迁移率下降与阈值电压行为之间的相关性
作者:
Wildau H.-J.
;
Bernt H.
;
Friedrich D.
;
Seifert W.
;
Staudt-Fischbach P.
;
Wagemann H.G.
;
Windbracke W.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
66.
The efficient simulation of point defects diffusion by an adaptive multigrid method
机译:
自适应多重网格法对点缺陷扩散的高效仿真
作者:
Pantic D.
;
Mijalkovic S.
;
Stojadinovic N.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
67.
Trends in Silicon-on-insulator Technology
机译:
绝缘体上硅技术的趋势
作者:
Colinge Jean-Pierre
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
68.
Physics and performances of accumulation-mode SOI p-MOSFET's from low (77 K) to high (150-320ÃÂðC) temperatures
机译:
从低温(77 K)到高温(150-320°C)的累积模式SOI p-MOSFET的物理和性能
作者:
Flandre D.
;
Terao A.
;
Loo T.
;
Colinge J.-P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
69.
Investigation of the Influence of the Film Thickness in Accumulation-Mode Fully-Depleted SIMOX MOSFET's
机译:
膜厚对累积模式全耗尽SIMOX MOSFET的影响的研究
作者:
Faynot O.
;
Auberton-Herve A-J.
;
Cristoloveanu S.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
70.
Analysis of the Latch Phenomenon in Thin Film Soi MOSFET's as a Function of Temperature
机译:
薄膜Soi MOSFET的锁存现象与温度的关系分析
作者:
Balestra F.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
71.
Characteristics of nMOS/GAA (Gate-All-Around) Transistors neal Threshold
机译:
nMOS / GAA(全能门)晶体管阈值的特性
作者:
Francis P.
;
Terao A.
;
Flandre D.
;
Van de Wielc F.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
72.
Analysis of Geometric Charge-Pumping Components in a Thin-Film SOI Device
机译:
薄膜SOI器件中几何电荷泵浦组件的分析
作者:
Heinreichsberger O.
;
Habas Predrag
;
Selberherr Siegfried
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
73.
Correlation between spectroscopic reflectrometry and electrical measurements of SIMOX SOI film thickness
机译:
光谱反射仪与SIMOX SOI膜厚度电学测量之间的相关性
作者:
Smeys P.
;
Magnusson U.
;
Colinge J.P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
74.
SOI Material Properties Determined by Electrical Characterization
机译:
通过电特性确定的SOI材料性能
作者:
Rai-Choudhury P.
;
Hillard R. J.
;
Heddleson J. M.
;
Weinzierl S. R.
;
Abe T.
;
Karulkar P.
;
Pawlik M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
75.
A Survey of MOS Device Physics for Low Temperature Electronics
机译:
低温电子器件MOS器件物理研究
作者:
Ghibaudo G.
;
Balestra F.
;
Emrani A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
76.
SiGe-Base Bipolar Transistors for Cryogenic BiCMOS Applications
机译:
用于低温BiCMOS应用的SiGe基双极晶体管
作者:
Cressler John D.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
77.
Base profile tail effects on the low temperature operation of silicon bipolar transistors
机译:
基本轮廓尾部对硅双极晶体管的低温操作的影响
作者:
Degors N.
;
Chantre A.
;
Nouailhat A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
78.
Electron heating and quantum transport in deep submicrometer n-MOSFET's at low temperatures and high magnetic fields
机译:
低温和强磁场下深亚微米n-MOSFET中的电子加热和量子传输
作者:
Mieville J.P.
;
Ouisse T.
;
Cristoloveanu S.
;
Revil N.
;
Shi Z.M.
;
Dutoit M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
79.
Low temperature behaviour of submicron accumulation mode p-channel SOI MOSFETs
机译:
亚微米累积模式p沟道SOI MOSFET的低温行为
作者:
Rotondaro A. L. P.
;
Magnusson U.
;
Simoen E
;
Claeys C.
;
Colinge J-P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
80.
Cryogenic behavior of ultrashort gate AlGaAs/GaAs and pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT's
机译:
超短栅AlGaAs / GaAs和拟晶AlGaAs / InGaAs / GaAs HEMT的低温行为
作者:
Crozat P.
;
Bouchon D.
;
de Lustrac A.
;
Aniel F.
;
Jin Y.
;
Adde R.
;
Vernet G.
;
Etienne B.
;
Launois H.
;
Van Hove M.
;
de Raedt W.
;
Van Rossum M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
81.
Experimental determination of selfheating in silicon resistors operated at cryogenic temperatures
机译:
在低温下工作的硅电阻器自热的实验确定
作者:
Gutierrez-D Edmundo A.
;
Deferm Ludo
;
Decoutere Stefaan
;
Declerck Gilbert
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
82.
New developments in Quantum Heterostructures
机译:
量子异质结构的新发展
作者:
Weisbuch C.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
83.
Improved triple resonant tunneling-diodes Using In
x
, Ga
1-x
As/GaAs/AlAs strained layers
机译:
使用In
x inf>,Ga
1-x inf> As / GaAs / AlAs应变层的改进的三重谐振隧道二极管
作者:
Lippens D.
;
Nagle J.
;
Grimbert B.
;
Sadaune V.
;
Lheurette E.
;
Vinter B.
;
Tilmant P.
;
Francois M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
84.
Sequential analysis of resonant tunneling diodes
机译:
共振隧穿二极管的顺序分析
作者:
Genoe J.
;
Van Hoof C.
;
Borghs G.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
85.
Generation of four negative differential resistance regions using two resonant tunnelling diodes
机译:
使用两个谐振隧穿二极管产生四个负差分电阻区域
作者:
Fobelets K.
;
Genoe J.
;
Vounckx R.
;
Borghs G.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
86.
Interface Properties of Strained InGaAs/InP Quantum Wells Grown by LP-MOVPE
机译:
LP-MOVPE生长的应变InGaAs / InP量子阱的界面性质
作者:
Schwedler R.
;
Gallmann B.
;
Wolter K.
;
Kohl A.
;
Leo K.
;
Kurz H.
;
Juillaguet S.
;
Camassel J.
;
Laurenti J. P.
;
Baumann F. H.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
87.
ElectroÃÂÿOptic Characterization of InGaAs/InP MQW p-i-n Modulator Structures
机译:
InGaAs / InP MQW p-i-n调制器结构的电特性
作者:
Schwedler R.
;
Mikkelsen H.
;
Kersting R.
;
Laschet D.
;
Kohl A.
;
Wolter K.
;
Leo K.
;
Kurz H.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
88.
Self-Consistent Modelling of Charge Storage Effects in Resonant Tunnel Diodes
机译:
谐振隧道二极管中电荷存储效应的自洽建模
作者:
Redhammer R.
;
Alisopp D.W.E.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
89.
High-Speed Integrated Quantum Well Self-Electrooptic Effect Device
机译:
高速集成量子阱自电动效应装置
作者:
Tolstikhin V.I.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
90.
Quantum electron ad optoelectonic devices
机译:
量子电子和光电设备
作者:
Capasso Federico
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
91.
Two-dimensional NOSFET Simulation by means of Multidimensional Spherical Harmonics Expansion of the Boltzmann Transport Equation
机译:
玻尔兹曼输运方程的多维球谐展开式二维NOSFET仿真
作者:
Gnudi A.
;
Ventura D.
;
Baccarani G.
;
Odeh F.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
92.
Author Index
机译:
作者索引
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
93.
Proceedings of the 22nd European Solid State Device Research Conference - ESSDERC '92
机译:
第22届欧洲固态设备研究会议论文集-ESSDERC '92
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
94.
Copyright page
机译:
版权页
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
95.
Preface
机译:
前言
作者:
Maes H.E.
;
Mertens R.P.
;
Van Overstraeten R.J.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
96.
Committees
机译:
委员会
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92》
|
1992年
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