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International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
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1.
New Failure Analysis of Tungsten Plug Corrosion in Via Process
机译:
通孔过程中钨塞腐蚀的新故障分析
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
corrosion;
etching;
failure analysis;
integrated circuit interconnections;
integrated circuit reliability;
tungsten;
CMOS technology;
contact-metal-via structure;
corrosion failure;
electrochemical reaction;
failure bit map;
pair bit failure;
plasma charging;
plug corrosion;
product yield;
via over-etch;
via process;
2.
100 nm Gate Length Pt-Germanosilicide Schottky S/D PMOSFET on SGOI substrate fabricated by novel condensation approach
机译:
通过新颖的缩合方法制造的100nm栅极长度Pt-MegentICIDE PT-MANEDICIDE SCHOTKY S / D PMOSFET制造的SGOI衬底
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
Ge-Si alloys;
MOSFET;
condensation;
nanotechnology;
oxidation;
substrates;
100 nm;
HfOlt;
subgt;
2lt;
/subgt;
-TaN;
SGOI PMOSFET;
Schottky PMOSFET;
SiGe-Si;
condensation approach;
multistep oxidation;
self-aligned process;
3.
A Study of Sulphur Assisted Corrosion in Technologies with Copper Interconnects
机译:
用铜互连技术辅助腐蚀研究
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
chemical mechanical polishing;
copper;
corrosion;
delays;
dielectric materials;
diffusion;
integrated circuit interconnections;
integrated circuit manufacture;
silicon compounds;
RC delay;
Silt;
subgt;
3lt;
/subgt;
Nlt;
subgt;
4lt;
/subgt;
back-end related delays;
chemical metal polishing;
dielectric barrier deposition;
integrated circuit interconnects;
integrated circuit manufacturing;
metal resistance;
packing density;
semiconductor industry;
sheet resistance;
4.
Backside Fault Isolation Technique in 0.13??m and 90nm Product Prototyping
机译:
0.13的背面故障隔离技术M和90nm产品原型设计
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
failure analysis;
fault simulation;
integrated circuit manufacture;
integrated circuit reliability;
integrated circuit testing;
nanotechnology;
0.13 micron;
90 nm;
IC manufacturing;
backside fault isolation;
emission microscope;
product prototyping;
scanning laser microscope;
5.
A Review of New Characterization Methodologies of Gate Dielectric Breakdown and Negative Bias Temperature Instability
机译:
栅极介电击穿和负偏置温度不稳定性新表征方法综述
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
electric breakdown;
measurement systems;
semiconductor device reliability;
transistors;
NBTI;
TDDB;
gate dielectric breakdown;
logic/memory transistors;
negative bias temperature instability;
time dependent dielectric breakdown;
6.
Lead frame Hillock-Induced Silicon Crack
机译:
铅架丘陵诱导硅裂纹
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
failure analysis;
integrated circuit packaging;
integrated circuit reliability;
integrated circuit testing;
microcracks;
production testing;
electrical failure analysis;
lead frame;
physical failure analysis;
production test program;
wire bonding;
7.
Non-Volatile Memory Technology-Today and Tomorrow
机译:
非易失性记忆技术 - 今天和明天
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
flash memories;
random-access storage;
2-bit/cell NROM;
BE-SONOS;
Moore law;
NAND flash memory;
NOR flash memory;
TANOS;
nonvolatile memory technology;
phase-change chalcogenide memory;
8.
Reliability Failures in Small Optocoupling and DC/DC Converter Devices
机译:
小型光耦合和DC / DC转换器设备中的可靠性故障
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
DC-DC power convertors;
circuit reliability;
light emitting diodes;
opto-isolators;
power electronics;
DC/DC converters;
electrically isolated coupling;
light emission diodes;
optocoupling devices;
system reliability;
9.
Hot-Carrier Reliability of NLDEMOS in 0.13??m SOI CMOS Technology
机译:
NLDEMOS的热载波可靠性在0.13中的MOI CMOS技术
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
CMOS integrated circuits;
MOSFET;
hot carriers;
interface states;
semiconductor device reliability;
silicon-on-insulator;
0.13 micron;
CMOS;
NLDEMOS transistor;
SOI;
degradation mechanisms;
hot carrier injections;
hot carrier reliability;
interface trap generation;
reliability tests;
10.
A novel empirical model for NBTI recovery with the modulated measurement time frame
机译:
用调制测量时间帧进行NBTI恢复的新型实证模型
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
MOSFET;
recovery;
semiconductor device models;
time measurement;
NBTI recovery;
critical measurement time;
electrical measurement;
modulated measurement time frame;
negative bias temperature instability;
p-MOSFET;
11.
Bond Pad Optimization for CMOS Imager with Chip Scale Package
机译:
CMOS成像器的键合焊盘优化芯片尺度包装
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
CMOS image sensors;
chip scale packaging;
copper;
integrated circuit interconnections;
0.18 micron;
CMOS image sensor;
Cu;
bond pad optimization;
interconnect technology;
wafer level chip scale package;
12.
Diffractive lenses for high resolution laser based failure analysis
机译:
基于高分辨率激光的衍射镜片的衍射镜片
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
diffraction gratings;
failure analysis;
focused ion beam technology;
ion implantation;
semiconductor device reliability;
semiconductor lasers;
sputter etching;
FIB ion implantation lithography;
IR microscope objective;
diffraction limited resolution;
diffractive lenses;
high resolution laser;
laser based techniques;
monochromatic light;
plasma etching;
13.
Dynamic Optical Techniques for IC Debug and Failure Analysis
机译:
IC调试和故障分析的动态光学技术
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
failure analysis;
integrated circuit reliability;
integrated circuit testing;
180 nm;
defect localization;
dynamic laser stimulation;
dynamic optical techniques;
emission microscopy;
integrated circuit debug;
light emission;
time-resolved emission;
14.
Factorial Analysis of Chip-on-Metal WLCSP Technology with Fan-Out Capability
机译:
扇形电容芯片 - 金属WLCSP技术的因子分析
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
chip scale packaging;
filled polymers;
fine-pitch technology;
microassembling;
solders;
chip-on-metal;
factorial analysis;
fan-out WLCSP;
filler polymer;
fine-pitched chip;
solder bumps;
wafer level chip scaled packaging;
15.
Effect of Wire Thickness on Electromigration and Stress Migration Lifetime of Cu
机译:
钢丝厚度对Cu电迁移和应力迁移寿命的影响
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
copper;
electromigration;
integrated circuit interconnections;
0.13 micron;
400 nm;
50 nm;
Cu;
electromigration lifetimes;
stress migration lifetime;
vias landing;
wire thickness;
16.
Detectivity Optimization of InGaAs Photon Emission Microscope Systems
机译:
InGaAs光子发射显微镜系统的探测优化
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
II-VI semiconductors;
III-V semiconductors;
cadmium compounds;
gallium arsenide;
indium compounds;
integrated optoelectronics;
mercury compounds;
optical variables measurement;
photodetectors;
tellurium compounds;
HgCdTe;
InGaAs;
detectivity optimization;
digital integration;
emission image;
integrated circuit failure analysis;
normal time integration;
photon emission microscope systems;
sensitivity performance;
signal to noise ratio;
spectral detectivity measurements;
17.
Simulation Study of Hot-electron Reliability in strained-Si n-MOSFETs
机译:
紧张-Si n-MOSFET中热电子可靠性的仿真研究
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
MOSFET;
hot carriers;
semiconductor device reliability;
silicon;
technology CAD (electronics);
Si;
TCAD;
ac performances;
dc performances;
electric field mobility;
hot electron degradation;
hot electron reliability;
n-MOSFET;
process induced strain;
substrate strain;
threshold voltage shift;
18.
A Study of Center Field Stripe Yield Loss Mechanism
机译:
中心场条纹屈服损失机制研究
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
VLSI;
electron beam testing;
fault location;
focused ion beam technology;
inspection;
integrated circuit interconnections;
integrated circuit testing;
SRAM;
Silterra devices;
VLSI fabrication;
barrier deposition;
bright-field inspection tools;
center field stripe yield loss;
dark-field inspection tools;
electron beam inspection tools;
killer defects;
nuisance defects;
via etch;
wafer sort maps;
19.
Modeling of the Leakage Current in Ultrathin La2O3 Films Using a Generalized Power Law Equation
机译:
用广义电力法方程建模超薄LA2O3薄膜漏电流
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
MIS structures;
annealing;
dielectric thin films;
electric breakdown;
equivalent circuits;
lanthanum compounds;
leakage currents;
vacuum deposition;
Lalt;
subgt;
2lt;
/subgt;
Olt;
subgt;
3lt;
/subgt;
MOS structures;
constant voltage stress;
current-time characteristic;
current-voltage characteristics;
dielectric breakdown conduction;
electron-beam evaporation;
generalized power law equation;
in-situ annealing;
leakage current modeling;
power-law model;
successive voltage ramps;
ultra-high vacuum conditions;
ultrathin films;
20.
Low-k Dielectric Breakdown Improvement with Co(W,P) Cap Barrier
机译:
利用CO(W,P)帽屏障的低k介电击穿改善
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
cobalt compounds;
dielectric materials;
electric breakdown;
silicon compounds;
Co(WP);
Poole-Frenkel emission;
Schottky emission;
SiN;
cap barrier;
dielectric breakdown;
diffusion barrier;
leakage mechanism;
low-k interconnects;
21.
Three-Dimensional Transient Interconnect Analysis With Regard to Mechanical Stress
机译:
关于机械应力的三维瞬态互连分析
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
electromigration;
heat sinks;
integrated circuit interconnections;
thermal analysis;
thermal expansion;
thermal stresses;
3D transient interconnect analysis;
STAP;
electromigration analysis;
electrothermal analysis;
heat sources;
material adhesion;
material interfaces;
mechanical stress;
self heating;
thermal volume expansion coefficients;
thermomechanical simulators;
22.
Characterization of Binding Energy of Al Hexafluoride AlF63- in X-Ray Photoelectron Spectroscopy
机译:
X射线光电子谱的Al六氟化族Alf6 3-α3-α的结合能表征
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
ESCA;
X-ray spectroscopy;
aluminium compounds;
binding energy;
carbon compounds;
corrosion;
failure analysis;
integrated circuit manufacture;
AlFlt;
subgt;
6lt;
/subgt;
CFlt;
subgt;
4lt;
/subgt;
CHFlt;
subgt;
3lt;
/subgt;
X-ray photoelectron spectroscopy;
carbon contamination;
chemical binding;
electron spectroscopy for chemical analysis;
semiconductor industries;
wafer fabrication;
23.
Inductance Considerations of on-Chip Interconnections for Best Electrostatic Discharge Protection Performance
机译:
用于最佳静电放电保护性能的片上互连的电感注意事项
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
electrostatic discharge;
inductance;
integrated circuit design;
integrated circuit interconnections;
system-on-chip;
electrostatic discharge protection;
inductance considerations;
on-chip interconnections;
resonating oscillations;
voltage resonant effects;
24.
Reliability Improvement in Multi-level Cu/SiOC Low k Integration
机译:
多级Cu / Sioc低k集成的可靠性改进
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
copper;
cryogenic electronics;
dielectric properties;
semiconductor device breakdown;
semiconductor device reliability;
silicon compounds;
Cu-SiOC;
breakdown reliability;
dielectric characteristic;
low k integration;
multiplayer interconnect;
voltage breakdown;
25.
TetraMax Diagnosis and Laker Software on Failure Analysis For ATPG/Scan Failures
机译:
Tetramax诊断和Laker软件ATPG /扫描故障的故障分析
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
automatic test pattern generation;
automatic test software;
boundary scan testing;
failure analysis;
integrated circuit testing;
Laker diagnosis software;
TetraMax diagnosis;
scan failures;
wafer fabrication;
26.
The New Concept for Particle Remove in Wet Bench Cleaning
机译:
颗粒的新概念在湿凳清洁中删除
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
ULSI;
silicon;
surface cleaning;
DIW;
particle removal;
quick dump rinse;
silicon wafer surface;
wet bench cleaning;
27.
Understanding Protective Overcoat Damages: Failure Analysis to the Next Level
机译:
了解保护性外涂层损坏:对新级别的故障分析
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
electrostatic discharge;
failure analysis;
integrated circuit manufacture;
integrated circuit reliability;
integrated circuit testing;
protective coatings;
burnt metals;
electrical overstress;
protective overcoat damages;
root cause identification;
28.
Electroluminescence spectroscopy for reliability investigations of 1.55??m bulk semiconductor optical amplifier
机译:
用于可靠性调查的电致发光光谱法散装半导体光放大器
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
electroluminescent devices;
semiconductor device reliability;
semiconductor optical amplifiers;
spectroscopy;
1.55 micron;
bulk semiconductor optical amplifier;
electroluminescence spectroscopy;
reliability;
29.
Twin-GD: A New Twin Gated-Diode Measurement for the Interface Characterization of Ultra-Thin Gate Oxide MOSFET's with EOT Down to 1nm
机译:
双GD:用于超薄栅极氧化物MOSFET的界面表征的新型双门控二极管测量,用EOT向下到1nm
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
MOSFET;
high-k dielectric thin films;
interface states;
semiconductor device measurement;
thin film transistors;
PBTI effects;
high-k gate dielectric devices;
oxide interface characterization;
twin gated-diode measurement;
twin-GD;
ultra-thin gate oxide MOSFET;
30.
A Spectroscopic SEM: First Results
机译:
光谱SEM:第一个结果
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
aberrations;
electron spectrometers;
scanning electron microscopy;
7 to 8 nm;
SPSSEM;
aberration limited final probe;
circular beam separator;
magnetic leakage fields;
post-deflector lens;
spectroscopic SEM;
31.
Carbon Nanotube Interconnects in Electrical and Biological Systems
机译:
电气和生物系统中的碳纳米管互连
会议名称:
《International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits》
|
2006年
关键词:
biological techniques;
carbon nanotubes;
cellular biophysics;
interconnections;
microelectrodes;
nanotube devices;
biological systems;
carbon nanofiber arrays;
carbon nanofiber devices;
carbon nanostructure arrays;
carbon nanotube devices;
carbon nanotube interconnects;
carbon-based nanostructures;
electrical signal detection;
electrical systems;
embryonic rat hippocampal neurons;
graphite conduction principles;
high-resolution scanning transmission electron microscopy;
microelectrode array;
Carbon Nanofiber;
Carbon Nanotube;
Interconnect;
Neuron;
Scanning Transmission Electron Microscopy;
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