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Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.
Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.
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1.
Modern applications of power electronics to marine propulsion systems
机译:
电力电子技术在船舶推进系统中的现代应用
作者:
Hodge C.G.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
2.
Review of compound semiconductor devices for RF power applications
机译:
回顾用于射频功率应用的化合物半导体器件
作者:
Ueda D.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
3.
Investigation on the short-circuit capability of 1200 V trench gate field-stop IGBTs
机译:
1200 V沟槽栅场截止IGBT的短路能力研究
作者:
Otsuki M.
;
Onozawa Y.
;
Kirisawa M.
;
Kanemaru H.
;
Yoshihara K.
;
Seki Y.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
4.
5 kV 4H-SiC SEJFET with low RonS of 69mΩcm
2
机译:
5 kV 4H-SiC SEJFET,低RonS为69mΩcm
2 sup>
作者:
Asano K.
;
Sugawara Y.
;
Hayashi T.
;
Ryu S.
;
Singh R.
;
Palmour J.
;
Takayama D.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
5.
120 V multi RESURF junction barrier Schottky rectifier (MR-JBS)
机译:
120 V多RESURF结势垒肖特基整流器(MR-JBS)
作者:
Kunori S.
;
Kitada M.
;
Shimizu T.
;
Oshima K.
;
Sugai A.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
6.
150-V class superjunction power LDMOS transistor switch on SOI
机译:
SOI上的150V类超结功率LDMOS晶体管开关
作者:
Amberetu M.A.
;
Salama C.A.T.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
7.
1700 V-IGBT3: field stop technology with optimized trench structure $trend setting for the high power applications in industry and traction
机译:
1700 V-IGBT3:场截止技术,具有优化的沟槽结构,为工业和牵引领域的高功率应用提供了趋势设定
作者:
Pfaffenlehner M.
;
Laska T.
;
Mallwitz R.
;
Mauder A.
;
Pfirsch F.
;
Schaeffer C.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
8.
750 A, 75 V MOSFET power module with sub-nH inductance
机译:
具有亚nH电感的750 A,75 V MOSFET电源模块
作者:
Mourick P.
;
Steger J.
;
Tursky W.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
9.
A new lateral conductivity modulated thyristor with current saturation and low turn-off time
机译:
具有电流饱和和低关断时间的新型横向电导率可控硅
作者:
You-Sang Lee
;
Soo-Seung Kim
;
Jae-Keun Oh
;
Yearn-Ik Choi
;
Min-Koo Han
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
10.
A thin-layer high-voltage silicon-on-insulator hybrid LDMOS/LIGBT device
机译:
薄层高压绝缘体上硅混合LDMOS / LIGBT器件
作者:
Petruzzello J.
;
Letavic T.
;
van Zwol H.
;
Simpson M.
;
Mukherjee S.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
11.
Conductivity modulation improvement in 6.5 kV trench UMOS insulated gate bipolar transistors
机译:
改进6.5 kV沟槽UMOS绝缘栅双极晶体管的电导率调制
作者:
Natarajan R.
;
Chow T.P.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
12.
Correlation between static and dynamic SOA (energy capability) of RESURF LDMOS devices in smart power technologies
机译:
智能电源技术中RESURF LDMOS器件的静态SOA与动态SOA(能量功能)之间的相关性
作者:
Khemka V.
;
Parthasarathy V.
;
Zhu R.
;
Bose A.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
13.
Cryogenic operation of 4H-SiC Schottky rectifiers
机译:
4H-SiC肖特基整流器的低温运行
作者:
Shanbhag M.
;
Chow T.P.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
14.
Ultra low on-resistance SBD with p-buried floating layer
机译:
超低导通电阻SBD,带有p型浮置层
作者:
Saitoh W.
;
Omura I.
;
Tokano K.
;
Ogura T.
;
Ohashi H.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
15.
Hybrid all-SiC MOS-gated bipolar transistor (MGT)
机译:
混合全SiC MOS门控双极晶体管(MGT)
作者:
Yi Tang
;
Banerjee S.
;
Chow T.P.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
16.
Optimization of low voltage n-channel LDMOS devices to achieve required electrical and lifetime SOA
机译:
优化低压n通道LDMOS器件以实现所需的电气和寿命SOA
作者:
Pendharkar S.
;
Higgins R.
;
Debolske T.
;
Efland T.
;
Nehrer B.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
17.
Double-RESURF 700 V n-channel LDMOS with best-in-class on-resistance
机译:
具有一流导通电阻的Double-RESURF 700 V n通道LDMOS
作者:
Hossain Z.
;
Imam M.
;
Fulton J.
;
Tanaka M.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
18.
Double-side IGBT phase leg architecture for reduced recovery current and turn-on loss
机译:
双面IGBT相支路架构可降低恢复电流和导通损耗
作者:
Neilson J.M.
;
Kub F.J.
;
Hobart K.D.
;
Brandmier K.
;
Ancona M.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
19.
Design of a 4 MHz, 5V to 1V monolithic voltage regulator chip
机译:
4 MHz,5V至1V单片稳压器芯片的设计
作者:
Sun N.X.
;
Xiaoming Duan
;
Xin Zhang
;
Alex Huang
;
Lee F.C.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
20.
Power performance optimization of a new smart power IC technology targeted for 42V automotive electrical system and high-power applications
机译:
针对42V汽车电气系统和大功率应用的新型智能功率IC技术的功率性能优化
作者:
Chung Y.S.
;
Jiangkai Zuo
;
Macary V.
;
Won-Gi Min
;
Huber J.
;
Hongning Yang
;
Baird B.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
21.
Dynamics of maximum junction temperature of power MOSFETs
机译:
功率MOSFET最大结温的动态
作者:
Chung Y.S.
;
Baird B.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
22.
Investigations on the stability of dynamic avalanche in IGBTs
机译:
IGBT动态雪崩稳定性研究
作者:
Rose P.
;
Silber D.
;
Porst A.
;
Pfirsch F.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
23.
Robust 80 V LDMOS and 100 V DECMOS in a streamlined SOI technology for analog power applications
机译:
采用流线型SOI技术的强大80 V LDMOS和100 V DECMOS,适用于模拟电源应用
作者:
Merchant S.
;
Efland T.
;
Haynie S.
;
Headen W.
;
Kajiyama K.
;
Paiva S.
;
Shaw R.
;
Tachikake I.
;
Tani T.
;
Chin-Yu Tsai
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
24.
Switching properties of 2 kV SiC-SIT
机译:
2 kV SiC-SIT的开关特性
作者:
Onose H.
;
Watanabe A.
;
Someya T.
;
Kobayashi Y.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
25.
The concave junction: an attractive topology to design specific junction terminations
机译:
凹形结:设计特定结终端的引人入胜的拓扑
作者:
Hakim H.
;
Sanchez J.-L.
;
Laur J.-P.
;
Austin P.
;
Breil M.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
26.
Tunable oxide-bypassed VDMOS (OBVDMOS): breaking the silicon limit for the second generation
机译:
可调节的绕过氧化物的VDMOS(OBVDMOS):突破了第二代的硅极限
作者:
Liang Y.C.
;
Xin Yang
;
Samudra G.S.
;
Gan K.P.
;
Yong Liu
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
27.
Very low R
ON
measured on 4H-SiC accu-MOSFET high power device
机译:
在4H-SiC Accu-MOSFET高功率器件上测得的R
ON sub>非常低
作者:
Nallet F.
;
Godignon P.
;
Planson D.
;
Raynaud C.
;
Chante J.P.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
28.
Drain profile engineering of RESURF LDMOS devices for ESD ruggedness
机译:
RESURF LDMOS器件的漏极剖面工程设计,具有ESD耐用性
作者:
Parthasarathy V.
;
Khemka V.
;
Zhu R.
;
Whitfield J.
;
Ida R.
;
Bose A.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
29.
Analytical model for thermal instability of low voltage power MOS and SOA in pulse operation
机译:
低压功率MOS和SOA在脉冲操作中的热不稳定性分析模型
作者:
Spirito P.
;
Breglio G.
;
dAlessandro V.
;
Rinaldi N.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
30.
A high performance complementary bipolar process using PBSOI technique
机译:
使用PBSOI技术的高性能互补双极工艺
作者:
Kim J.H.
;
Lee S.H.
;
Lee K.H.
;
Park H.J.
;
Cha G.
;
Kang H.S.
;
Song C.S.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
31.
Lateral 10-15 V DMOST with very low 6 mohm.mm
2
on-resistance
机译:
横向10-15 V DMOST,导通电阻非常低,为6 mohm.mm
2 sup>
作者:
Ludikhuize A.W.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
32.
Advanced wide cell pitch CSTBTs having light punch-through (LPT) structures
机译:
具有光穿通(LPT)结构的高级宽单元间距CSTBT
作者:
Nakamura K.
;
Kusunoki S.
;
Nakamura H.
;
Ishimura Y.
;
Tomomatsu Y.
;
Minato T.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
33.
New collector design concept for 4.5 kV injection enhanced gate transistor (IEGT)
机译:
4.5 kV注入增强型栅极晶体管(IEGT)的新集电极设计概念
作者:
Inoue T.
;
Ninomiya H.
;
Sugiyama K.
;
Matsusihta K.
;
Ogura T.
;
Ohashi H.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
34.
10 kV IGBT press pack modules with series connected chips
机译:
具有串联芯片的10 kV IGBT压装模块
作者:
Kaufmann S.
;
Zwick F.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
35.
Guard ring assisted RESURF: a new termination structure providing stable and high breakdown voltage for SiC power devices
机译:
保护环辅助的RESURF:一种新型的端接结构,可为SiC功率器件提供稳定且高的击穿电压
作者:
Kinoshita K.
;
Hatakeyama T.
;
Takikawa O.
;
Yahata A.
;
Shinohe T.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
36.
A new junction termination technique using ICP RIE for ideal breakdown voltages
机译:
使用ICP RIE的新型结终止技术可实现理想的击穿电压
作者:
Chanho Park
;
Nungpyo Hong
;
Kim D.J.
;
Kwyro Lee
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
37.
Low on-resistance and low feedback-charge, lateral power MOSFETs with multi-drain regions for high-efficient DC/DC converters
机译:
具有高漏极区域的低导通电阻和低反馈电荷的横向功率MOSFET,用于高效DC / DC转换器
作者:
Sakamoto K.
;
Shiraishi M.
;
Iwasaki T.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
38.
Fully self-aligned power trench-MOSFET utilising 1 μm pitch and 0.2 μm trench width
机译:
利用1μm间距和0.2μm沟槽宽度的完全自对准功率沟槽MOSFET
作者:
Peake S.T.
;
Grover R.
;
Farr R.
;
Rogers C.
;
Petkos G.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
39.
Dual gate lateral inversion layer emitter transistor
机译:
双栅极横向反转层发射极晶体管
作者:
Sheng K.
;
Udugampola U.N.K.
;
Khoo G.F.W.
;
Udrea F.
;
Amaratunga G.A.J.
;
McMahon R.A.
;
Narayanan E.M.S.
;
De Souza M.M.
;
Hardikar S.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
40.
24 mΩcm
2
680 V silicon superjunction MOSFET
机译:
24mΩcm
2 sup> 680 V硅超结MOSFET
作者:
Onishi Y.
;
Iwamoto S.
;
Sato T.
;
Nagaoka T.
;
Ueno K.
;
Fujihira T.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
41.
Defect-less trench filling of epitaxial Si growth by H
2
annealing
机译:
H
2 sub>退火进行外延硅生长的无缺陷沟槽填充
作者:
Yamauchi S.
;
Urakami Y.
;
Tuji N.
;
Yamaguchi H.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
42.
Growth and reliability of thick gate oxide in U-trench for power MOSFETs
机译:
功率MOSFET U型沟槽中厚栅极氧化物的生长和可靠性
作者:
Wu C.-T.
;
Ridley R.S.
;
Dolny G.
;
Grebs T.
;
Knoedler C.
;
Suliman S.
;
Venkataraman B.
;
Awadelkarim O.
;
Ruzyllo J.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
43.
Highly reliable LDMOSFETs employing uneven racetrack sources for PDP driver applications
机译:
在PDP驱动器应用中采用不均匀跑道源的高度可靠LDMOSFET
作者:
Tae Moon Roh
;
Dae Woo Lee
;
Jin Gun Koo
;
Sang-Gi Kim
;
Il-Yong Park
;
Jongdae Kim
;
Kyoung-Ik Cho
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
44.
High-voltage UMOSFETs in 4H SiC
机译:
4H SiC中的高压UMOSFET
作者:
Khan I.A.
;
Cooper J.A. Jr.
;
Capano M.A.
;
Isaacs-Smith T.
;
Williams J.R.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
45.
IGBT driver chipset for high power applications
机译:
适用于大功率应用的IGBT驱动器芯片组
作者:
Herzer R.
;
Pawel S.
;
Lehmann J.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
46.
Switching performance of low-voltage N-channel trench MOSFETs
机译:
低压N沟道沟槽MOSFET的开关性能
作者:
Hueting R.J.E.
;
Hijzen E.A.
;
Ludikhuize A.W.
;
t Zandt M.A.A.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
47.
Optimization of IGBT in power factor correction module for home appliance
机译:
家用电器功率因数校正模块中IGBT的优化
作者:
Chong Man Yun
;
Bum Suk Suh
;
Tae Hoon Kim
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
48.
The MOS controlled super junction transistor (SJBT): a new, highly efficient, high power semiconductor device for medium to high voltage applications
机译:
MOS控制的超结晶体管(SJBT):一种适用于中高压应用的新型高效大功率半导体器件
作者:
Bauer F.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
49.
A 3V to 6V in, 6A out synchronous buck PWM integrated FET switcher design uses state-of-art power IC technology
机译:
3V至6V输入,6A输出同步降压PWM集成FET开关设计采用了先进的电源IC技术
作者:
Grant D.
;
Briggs D.
;
Daniels D.
;
Efland T.
;
King B.
;
Ramani R.
;
Skelton D.
;
Tsai C.Y.
;
Tucker J.
;
Miftakhutdinov R.
;
Martinez R.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
50.
Break-through of the Si limit under 300 V breakdown voltage with new concept power device: super 3D MOSFET
机译:
采用新概念功率器件:超级3D MOSFET,突破了300 V击穿电压下的Si极限
作者:
Sakakibara J.
;
Suzuki N.
;
Yamaguchi H.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
51.
Manufacturing of high aspect-ratio p-n junctions using vapor phase doping for application in multi-Resurf devices
机译:
使用气相掺杂制造高纵横比p-n结,以用于Multi-Resurf器件
作者:
Rochefort C.
;
van Dalen R.
;
Duhayon N.
;
Vandervorst W.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
52.
Thin-layer silicon-on-insulator high-voltage PMOS device and application
机译:
薄层绝缘体上硅高压PMOS器件及应用
作者:
Letavic T.
;
Albu R.
;
Dufort B.
;
Petruzzello J.
;
Simpson M.
;
Mukherjee S.
;
Weijland I.
;
van Zwol H.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
53.
120 V BiC-DMOS process for the latest automotive and display applications
机译:
适用于最新汽车和显示器应用的120 V BiC-DMOS工艺
作者:
Terashima T.
;
Yamamoto F.
;
Hatasako K.
;
Hine S.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
54.
27 mΩ-cm
2
, 1.6 kV power DiMOSFETs in 4H-SiC
机译:
在4H-SiC中使用27mΩ-cm
2 sup>,1.6 kV功率DiMOSFET
作者:
Sei-Hyung Ryu
;
Agarwal A.
;
Richmond J.
;
Palmour J.
;
Saks N.
;
Williams J.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
55.
Integration of multi-voltage analog and power devices in a 0.25μm CMOS + flash memory process
机译:
在0.25μmCMOS +闪存工艺中集成多电压模拟和功率器件
作者:
de Fresart E.
;
De Souza R.
;
Morrison J.
;
Parris P.
;
Heddleson J.
;
Venkatesan V.
;
Paulson W.
;
Collins D.
;
Nivison G.
;
Baumert B.
;
Cowden W.
;
Blomberg D.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
56.
4H-SiC npn bipolar junction transistors with BV
CEO
> 3,200 V
机译:
BV
CEO sub 3,200 V的4H-SiC npn双极结型晶体管
作者:
Chih-Fang Huang
;
Cooper J.A. Jr.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
57.
Author Index
机译:
作者索引
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
58.
Extending the boundary limits of high voltage IGBTs and diodes to above 8 kV
机译:
将高压IGBT和二极管的边界限制扩展到8 kV以上
作者:
Rahimo M.
;
Kopta A.
;
Eicher S.
;
Kaminski N.
;
Bauer F.
;
Schlapbach U.
;
Linder S.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
59.
Active pull-down protection for full substrate current isolation in smart power IC's
机译:
有源下拉保护可在智能电源IC中实现完全衬底电流隔离
作者:
Laine J.P.
;
Gonnard O.
;
Charitat G.
;
Bertolini L.
;
Peyre-Lavigne A.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
60.
Robust, 1000 V, 130 mΩ-cm
2
, lateral, two-zone RESURF MOSFETs in 6H-SiC
机译:
坚固的1000 V,130mΩ-cm
2 sup>,横向,两区RESURF MOSFET采用6H-SiC
作者:
Banerjee S.
;
Chow T.P.
;
Gutmann R.J.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
61.
Ultra high frequency oscillations in the reverse recovery current of fast diodes
机译:
快速二极管反向恢复电流中的超高频振荡
作者:
Mourick P.
;
Gutsmann B.
;
Silber D.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
62.
I3T80: a 0.35 μm based system-on-chip technology for 42 V battery automotive applications
机译:
I3T80:基于0.35μm的片上系统技术,用于42 V电池汽车应用
作者:
Moens P.
;
Bolognesi D.
;
Delobel L.
;
Villanueva D.
;
Hakim H.
;
Trinh S.C.
;
Reynders K.
;
De Pestel F.
;
Lowe A.
;
De Backer E.
;
Van Herzeele G.
;
Tack M.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
63.
A comparison of electron, proton and helium ion irradiation for the optimization of the CoolMOS™ body diode
机译:
比较电子,质子和氦离子辐照以优化CoolMOS™体二极管
作者:
Schmitt M.
;
Schulze H.-J.
;
Schlogl A.
;
Vosseburger A.
;
Willmeroth A.
;
Deboy G.
;
Wachutka G.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
64.
3 kV 600 A 4H-SiC high temperature diode module
机译:
3 kV 600 A 4H-SiC高温二极管模块
作者:
Sugawara Y.
;
Takayama D.
;
Asano K.
;
Singh R.
;
Kodama H.
;
Ogata S.
;
Hayashi T.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
65.
Reliability of pressure contacted intelligent integrated power modules
机译:
压力接触式智能集成电源模块的可靠性
作者:
Scheuermann U.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
66.
Ultra high switching speed 600 V thin wafer PT-IGBT based on new turn-off mechanism
机译:
基于新型关断机制的超高开关速度600 V薄晶圆PT-IGBT
作者:
Matsudai T.
;
Nakagawa A.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
67.
Enhanced IGBT self clamped inductive switching (SCIS) capability through vertical doping profile and cell optimization
机译:
通过垂直掺杂分布和单元优化增强了IGBT自钳制电感开关(SCIS)功能
作者:
Yedinak J.
;
Wojslawowicz J.
;
Czeck B.
;
Baran R.
;
Reichl D.
;
Lange D.
;
Shenoy P.
;
Doiny G.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
68.
Analysis of LDMOS structure with inclined p-bottom region
机译:
倾斜p-底部区域的LDMOS结构分析
作者:
Jeon C.K.
;
Kim J.J.
;
Choi Y.S.
;
Kim M.H.
;
Kim S.L.
;
Kang H.S.
;
Song C.S.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
69.
A 30 V class extremely low on-resistance meshed trench lateral power MOSFET
机译:
30 V类极低导通电阻的网状沟槽横向功率MOSFET
作者:
Sugi A.
;
Tabuchi K.
;
Sawada M.
;
Kajiwara S.
;
Matsubara K.
;
Fujishima N.
;
Salama C.A.T.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
70.
Extended (180 V) voltage in 0.6 μm thin-layer-SOI A-BCD3 technology on 1 μm BOX for display, automotive and consumer applications
机译:
在1μmBOX上以0.6μm薄层SOI A-BCD3技术提供的扩展电压(180 V),适用于显示器,汽车和消费类应用
作者:
Ludikhuize A.W.
;
van der Pol J.A.
;
Heringa A.
;
Padiy A.
;
Ooms E.R.
;
van Kessel P.
;
Hessels G.J.J.
;
Swanenberg M.J.
;
van Velzen B.
;
van der Vlist H.
;
Egbers J.H.H.A.
;
Stoutjesdijk M.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
71.
10 kV power semiconductors - breakthrough for 6.9 kV medium voltage drives
机译:
10 kV功率半导体-6.9 kV中压驱动器的突破
作者:
Weber A.
;
Eicher S.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
72.
Proceedings of the 14th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (Cat. No.02CH37306)
机译:
第十四届国际功率半导体器件和集成电路研讨会论文集(目录号02CH37306)
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
73.
Safe operating area - a new frontier in Ldmos design
机译:
安全的操作区域-Ldmos设计的新领域
作者:
Hower P.L.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
74.
New SiGe power bipolar transistors with the optimum base and emitter structures
机译:
具有最佳基极和发射极结构的新型SiGe功率双极晶体管
作者:
Hirose F.
;
Souda Y.
;
Nakano K.
;
Okumura S.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
75.
Non thermal destruction mechanisms of IGBTs in short circuit operation
机译:
短路操作中IGBT的非热破坏机制
作者:
Takata I.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
76.
Super junction LDMOST in silicon-on-sapphire technology (SJ-LDMOST)
机译:
蓝宝石上硅技术(SJ-LDMOST)的超级结LDMOST
作者:
Nassif-Khalil S.G.
;
Salama C.A.T.
会议名称:
《Computers and Communications, 2005. ISCC 2005.》
|
2005年
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