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International Conference on Microelectronic Test Structures
International Conference on Microelectronic Test Structures
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1.
Algorithm based adaptive parametric testing for outlier detection and test time reduction
机译:
基于算法的自适应参数测试,用于离群值检测和测试时间减少
作者:
Veenadhar Katragadda
;
Martin Muthee
;
Arthur Gasasira
;
Frank Seelmann
;
Jiun-Hsin Liao
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Adaptive algorithms;
Current measurement;
Testing;
Logic gates;
Heuristic algorithms;
Capacitance measurement;
Semiconductor device measurement;
2.
All-digital on-chip heterogeneous sensors for tracking the minimum energy point of processors
机译:
全数字片上异构传感器,用于跟踪处理器的最小能量点
作者:
Shu Hokimoto
;
Jun Shiomi
;
Tohru Ishihara
;
Hidetoshi Onodera
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Program processors;
Temperature sensors;
Runtime;
Power demand;
Energy consumption;
Temperature measurement;
3.
Efficient parameter-extraction of SPICE compact model through automatic differentiation
机译:
通过自动微分有效地提取SPICE紧凑模型的参数
作者:
Michihiro Shintani
;
Masayuki Hiromoto
;
Takashi Sato
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Mathematical model;
Parameter extraction;
Computational modeling;
Semiconductor device modeling;
Numerical models;
Voltage measurement;
MOSFET;
4.
Measurement time reduction technique for input referred noise of dynamic comparator
机译:
动态比较器输入参考噪声的测量时间减少技术
作者:
Yuki Ishijima
;
Shuya Nakagawa
;
Hiroki Ishikuro
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Noise measurement;
Voltage measurement;
Semiconductor device measurement;
Clocks;
Probability density function;
Integrated circuits;
5.
Measurement of IGBT trench MOS-gated region characteristics using short turn-around-time MOSFET test structures
机译:
使用短周转时间MOSFET测试结构测量IGBT沟槽MOS门控区域特性
作者:
Kiyoshi Takeuchi
;
Munetoshi Fukui
;
Takuya Saraya
;
Kazuo Itou
;
Shinichi Suzuki
;
Toshihiko Takakura
;
Toshiro Hiramoto
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Current measurement;
Electrical resistance measurement;
Insulated gate bipolar transistors;
Logic gates;
Voltage measurement;
MOSFET;
6.
Measurement of temperature effect on random telegraph noise induced delay fluctuation
机译:
温度对随机电报噪声引起的延迟波动的影响的测量
作者:
A.K.M. Mahfuzul Islam
;
Masashi Oka
;
Hidetoshi Onodera
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Delays;
Temperature measurement;
MOSFET circuits;
Logic gates;
Transistors;
Correlation;
Electric potential;
7.
Importance of complete characterization setup on on-wafer TRL calibration in sub-THz range
机译:
低于THz范围内完整的特性设置对晶圆上TRL校准的重要性
作者:
Chandan Yadav
;
Marina Deng
;
Magali De Matos
;
Sebastien Fregonese
;
Thomas Zimmer
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Calibration;
Data models;
Frequency measurement;
Probes;
Semiconductor device modeling;
Solid modeling;
Standards;
8.
Modeling split-gate flash memory cell for advanced neuromorphic computing
机译:
建模分裂门闪存单元以进行高级神经形态计算
作者:
Mandana Tadayoni
;
Santosh Hariharan
;
Steven Lemke
;
Thibaut Pate-Cazal
;
Bernard Bertello
;
Vipin Tiwari
;
Nhan Do
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Nonvolatile memory;
Computational modeling;
Split gate flash memory cells;
Computer architecture;
Microprocessors;
Logic gates;
Integrated circuit modeling;
9.
Novel test structures for extracting interface state density of advanced CMOSFETs using optical charge pumping
机译:
利用光电荷泵提取高级CMOSFET的界面状态密度的新型测试结构
作者:
Hyeong-Sub Song
;
Dong-Jun Oh
;
So-Yeong Kim
;
Sung-Kyu Kwon
;
Sungju Choi
;
Dae Hwan Kim
;
Dong-Hwan Lim
;
Chang-Hwan Choi
;
Dong Myong Kim
;
Hi-Deok Lee
会议名称:
《》
|
2018年
关键词:
Optical device fabrication;
Optical pumping;
Charge pumps;
Logic gates;
Interface states;
Optical films;
Optical variables measurement;
10.
NPN mismatch dependence on layout
机译:
NPN不匹配对布局的依赖性
作者:
Cory Compton
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Current measurement;
Layout;
Oscillators;
Phase change materials;
Kelvin;
Standards;
Integrated circuits;
11.
Addressable test structure design enabling parallel testing of reliability devices
机译:
可寻址的测试结构设计,可对可靠性设备进行并行测试
作者:
Lee DeBruler
;
Dennis Pretti
;
Mike Violette
;
Dave Peterson
;
Salil Mujumdar
;
Xia Li
;
Ken Marr
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Stress;
Force;
Testing;
Integrated circuit reliability;
Multiplexing;
12.
Process variation estimation using a combination of ring oscillator delay and FlipFlop retention characteristics
机译:
结合使用环形振荡器延迟和FlipFlop保留特性的过程变化估计
作者:
Takuma Konno
;
Shinichi Nishizawa
;
Kazuhito Ito
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Threshold voltage;
Latches;
Voltage measurement;
MOSFET;
Inverters;
13.
A test structure to reveal short-range correlation effects of mismatch fluctuations in backend metal fringe capacitors
机译:
揭示后端金属边缘电容器失配波动的短程相关效应的测试结构
作者:
Hans Tuinhout
;
Adrie Zegers-van Duijnhoven
;
Ihor Brunets
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Capacitors;
Metals;
Standards;
Capacitance;
Fluctuations;
Layout;
Sea measurements;
14.
Quantitative model of CMOS inverter chain ring oscillator's effective capacitance and its improvements in 14nm FinFET technology
机译:
CMOS反相链式环形振荡器有效电容的量化模型及其在14nm FinFET技术中的改进
作者:
Seong Yeol Mun
;
J. Cho
;
B. Zhu
;
P. Agnihotri
;
C. Y. Wong
;
T. J. Lee
;
V. Mahajan
;
B. W. Liu
;
Y. J. Shi
;
W. Hong
;
J. Ciavatti
;
J. G. Lee
;
S. B. Samavedam
;
D. K. Sohn
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Capacitance;
Logic gates;
Inverters;
Mathematical model;
Silicon;
Semiconductor device modeling;
Correlation;
15.
Test structure design for model-based electromigration
机译:
基于模型的电迁移的测试结构设计
作者:
Ertugrul Demircan
;
Mehul D. Shroff
;
Hsun-Cheng Lee
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Stress;
Mathematical model;
Integrated circuit interconnections;
Current density;
Metals;
Cathodes;
Geometry;
16.
Test structure for electrical assessment of UV laser direct fine patterned material
机译:
紫外激光直接精细图案材料的电气评估测试结构
作者:
Naoto Usami
;
Akio Higo
;
Ayako Mizushima
;
Yuki Okamoto
;
Yoshio Mita
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Resistance;
Measurement by laser beam;
Electrical resistance measurement;
Wires;
Laser beam cutting;
Heating systems;
Semiconductor device measurement;
17.
Test structures for debugging variation of critical devices caused by layout-dependent effects in FinFETs
机译:
用于调试关键器件的测试结构的测试结构,这些关键器件是由FinFET的布局相关效应引起的
作者:
Qi Lin
;
Hans Pan
;
Jonathan Chang
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Layout;
Silicon;
FinFETs;
Monitoring;
Inverters;
Microelectronics;
18.
Test structures for evaluating Al
2
O
3
dielectrics for graphene field effect transistors on flexible substrates
机译:
用于评估柔性基板上石墨烯场效应晶体管的Al
2 inf> O
3 inf>电介质的测试结构
作者:
Xinxin Yang
;
Marlene Bonmann
;
Andrei Vorobiev
;
Kjell Jeppson
;
Jan Stake
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Graphene;
Electrodes;
Dielectrics;
Substrates;
Voltage measurement;
Leakage currents;
Hysteresis;
19.
Test structures for seed layer optimisation of electroplated ferromagnetic films
机译:
电镀铁磁膜种子层优化的测试结构
作者:
C. M. Mackenzie Dover
;
A. W. S. Ross
;
S. Smith
;
J. G. Terry
;
A. R. Mount
;
A. J. Walton
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Plating;
Films;
Resistance;
Resists;
Fixtures;
Nickel;
Layout;
20.
Test structures to evaluate the impact of parasitic edge FET on circuits operating in weak inversion
机译:
测试结构以评估寄生边沿FET对弱反相工作的电路的影响
作者:
Dale McQuirk
;
Chris Baker
;
Brad Smith
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Temperature measurement;
Voltage measurement;
Microcontrollers;
Current measurement;
Analog circuits;
Photonic band gap;
Field effect transistors;
21.
Test structures without metal contacts for DC measurement of 2D-materials deposited on silicon
机译:
不带金属触点的测试结构,用于直流测量沉积在硅上的2D材料
作者:
L. K. Nanver
;
X. Liu
;
T. Knezevic
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Substrates;
Doping;
Temperature measurement;
Electrical resistance measurement;
Pollution measurement;
Surface treatment;
22.
Monte Carlo analysis by direct measurement using V
th
-shiftable SRAM cell TEG
机译:
使用第V
inf>可移位SRAM单元TEG进行直接测量的蒙特卡洛分析
作者:
Shogo Yamaguchi
;
Daisuke Nishikata
;
Hitoshi Imi
;
Kazuyuki Nakamura
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Monte Carlo methods;
MOSFET;
SRAM cells;
Microelectronics;
Capacitors;
Semiconductor device measurement;
23.
Versatile chip-level integrated test vehicle for dynamic thermal evaluation
机译:
多功能芯片级集成测试工具,用于动态热评估
作者:
Suresh Parameswaran
;
Saravanan Balakrishnan
;
Boon Ang
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Temperature measurement;
Heating systems;
Temperature sensors;
Cooling;
Semiconductor device measurement;
Silicon;
24.
On-chip reconfigurable monitor circuit for process variation and temperature estimation
机译:
片上可重构监控电路,用于过程变化和温度估计
作者:
Tadashi Kishimoto
;
Tohru Ishihara
;
Hidetoshi Onodera
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Temperature sensors;
Temperature measurement;
Temperature;
Sensitivity;
Temperature dependence;
Threshold voltage;
Monitoring;
25.
Wafer level characterisation of microelectrodes for electrochemical sensing applications
机译:
用于电化学传感应用的微电极的晶圆级表征
作者:
E. O. Blair
;
L. Parga Basanta
;
I. Schmueser
;
J. R. K. Marland
;
A. Buchoux
;
A. Tsiamis
;
C. Dunare
;
M. Normand
;
A.A. Stokes
;
A.J. Walton
;
S. Smith
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Electrodes;
Probes;
Sensor phenomena and characterization;
Current measurement;
Resists;
Liquids;
26.
Comprehensive investigation on parameter extraction methodology for short channel amorphous-InGaZnO thin-film transistors
机译:
短沟道非晶InGaZnO薄膜晶体管参数提取方法的综合研究
作者:
Chika Tanaka
;
Keiji Ikeda
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Thin film transistors;
Logic gates;
Parameter extraction;
Integrated circuit modeling;
Silicon;
SPICE;
Capacitance;
27.
Open model for external mechanical stress of semiconductors and MEMS
机译:
半导体和MEMS的外部机械应力的开放模型
作者:
R. T. Buhler
;
R. C. Giacomini
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Strain;
Stress;
Probes;
Substrates;
Steel;
Strain measurement;
Silicon;
28.
An on-chip test structure for studying the frictional behavior of deep-RIE MEMS sidewall surfaces
机译:
用于研究深RIE MEMS侧壁表面摩擦行为的片上测试结构
作者:
R Ranga Reddy
;
Yuki Okamoto
;
Yoshio Mita
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Actuators;
Friction;
Force;
Micromechanical devices;
Etching;
Silicon;
29.
Sensitivity of high-k encapsulated MoS
2
transistors to I-V measurement execution time
机译:
高k封装的MoS
2 inf>晶体管对I-V测量执行时间的敏感性
作者:
Pavel Bolshakov
;
Ava Khosravi
;
Peng Zhao
;
Robert M. Wallace
;
Chadwin D. Young
;
Paul K. Hurley
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Molybdenum;
Sulfur;
Logic gates;
Voltage measurement;
Transistors;
High-k dielectric materials;
Hafnium compounds;
30.
System aware DUT design for optimum on-wafer noise measurement
机译:
系统感知的DUT设计可实现最佳的晶圆上噪声测量
作者:
Chih-Hung Chen
;
Benson Yang
;
Pei-Hsien Chu
;
Graham Brown
;
Saswati Das
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Noise measurement;
Receivers;
MOSFET;
Impedance;
Frequency measurement;
Radio frequency;
Instruments;
31.
Electrostatic test structures for transmission line pulse and human body model testing at wafer level
机译:
晶圆级传输线脉冲的静电测试结构和人体模型测试
作者:
Robert Ashton
;
Stephen Fairbanks
;
Adam Bergen
;
Evan Grund
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Electrostatic discharges;
Current measurement;
Stress;
Voltage measurement;
Integrated circuits;
Testing;
Transistors;
32.
DFT-enabled within-die AC uniformity and performance monitor structure for advanced process
机译:
支持DFT的晶粒内AC均匀性和性能监控器结构,用于高级工艺
作者:
Nui Chong
;
I-Ru Chen
;
Da Cheng
;
Amitava Majumdar
;
Ping-Chin Yeh
;
Jonathan Chang
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Frequency measurement;
Temperature measurement;
Discrete Fourier transforms;
Monitoring;
Clocks;
IP networks;
Current measurement;
33.
Validation of the BSIM4 irregular LOD SPICE model by characterization of various irregular LOD test structures
机译:
通过表征各种不规则LOD测试结构来验证BSIM4不规则LOD SPICE模型
作者:
Bob Peddenpohl
;
Max Otrokov
;
Jeremy Wells
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Layout;
Stress;
Mathematical model;
Field effect transistors;
MOS devices;
Market research;
Semiconductor device modeling;
34.
Total ionizing dose effects on analog performance of 65 nm bulk CMOS with enclosed-gate and standard layout
机译:
总电离剂量对带有封闭门和标准布局的65 nm块状CMOS模拟性能的影响
作者:
Matthias Bucher
;
Aristeidis Nikolaou
;
Alexia Papadopoulou
;
Nikolaos Makris
;
Loukas Chevas
;
Giulio Borghello
;
Henri D. Koch
;
Federico Faccio
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
MOS devices;
Layout;
Threshold voltage;
Transistors;
Standards;
CMOS technology;
Radiation effects;
35.
Evaluation of Qss on SOI back Si/SiO
2
interface by newly designed charge pumping method-TEG
机译:
通过新设计的电荷泵方法TEG评估SOI背面Si / SiO
2 inf>界面的Qss
作者:
Kazuma Takeda
;
Jiro Ida
;
Takayuki Mori
;
Yasuo Arai
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
MOSFET;
Charge pumps;
Substrates;
Current measurement;
Microelectronics;
Surface states;
36.
Passive permutation multiplexer to detect hard and soft open fails on short flow characterization vehicle test chips
机译:
无源置换多路复用器在短流量表征车辆测试芯片上检测硬打开和软打开失败
作者:
Christopher Hess
;
Shia Yu
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Resistance;
Routing;
Multiplexing;
Current measurement;
Electrical resistance measurement;
Sociology;
Statistics;
37.
Design of ultraflexible organic differential amplifier circuits for wearable sensor technologies
机译:
用于可穿戴传感器技术的超柔性有机差分放大器电路的设计
作者:
Masaya Kondo
;
Takafumi Uemura
;
Mihoko Akiyama
;
Naoko Namba
;
Masahiro Sugiyama
;
Yuki Noda
;
Teppei Araki
;
Shusuke Yoshimoto
;
Tsuyoshi Sekitani
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Organic thin film transistors;
Differential amplifiers;
Gain;
Threshold voltage;
Stress;
38.
Reliability analysis of the metal-graphene contact resistance extracted by the transfer length method
机译:
转移长度法提取的金属-石墨烯接触电阻的可靠性分析
作者:
Stefano Venica
;
Francesco Driussi
;
Amit Gahoi
;
Satender Kataria
;
Pierpaolo Palestri
;
Max C. Lenirne
;
Luca Scimi
会议名称:
《International Conference on Microelectronic Test Structures》
|
2018年
关键词:
Graphene;
Nickel;
Reliability;
Resistance;
Contact resistance;
Microelectronics;
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