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Symposium on rapid thermal and integrated processing
Symposium on rapid thermal and integrated processing
召开年:
1998
召开地:
San Francisco, CA(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
In Situ Wafer Cleaning Prior to Selective Hemispherical Grain (HSG) Polysilicon Deposition Using RT-CVD
机译:
使用RT-CVD在选择性半球形晶粒(HSG)多晶硅沉积之前进行原位晶圆清洗
作者:
B.J.Brosilow
;
S.Levy
;
Y.E.gilboa
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
2.
A Novel Low Temperature Self-Aligned Ti Silicide Technology for Sub-0.18#mu#m CMOS Devices
机译:
低于0.18#mu#m CMOS器件的新型低温自对准Ti硅化物技术
作者:
L.P.Ren
;
P.Liu
;
g.Z.Pan
;
Jason C.S.Woo
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
3.
Alternative Gate Dielectrics with BST/TiO_2/(Barrier Oxide) Stacked Structure
机译:
具有BST / TiO_2 /(势垒氧化物)堆叠结构的替代栅极电介质
作者:
Yongjoo Jeon
;
byoung Hun Lee
;
Keith Zawadzki
;
Wen-Jie Qi
;
Jack C.Lee
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
4.
Annealing Studies on Low Energy As~+ and As~2+ Implants
机译:
低能As〜+和As〜2 +植入物的退火研究
作者:
Raghu Srinivasa
;
Vikas Agarwal
;
Jinning Liu
;
Daniel F.Downey
;
Sanjay Banerjee
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
5.
Bandgap Shifting of an Ultra-Thin InGaAs/InP quantum Well Infrared Photodetector via Rapid thermal Annealing
机译:
快速热退火的超薄InGaAs / InP量子阱红外光电探测器的带隙位移
作者:
D.K.Sengupta
;
S.Kim
;
H.C.Kuo
;
A.P.Curtis
;
K.C.Hsieh
;
S.G.Bishop
;
M.Feng
;
G.E.Stillman
;
S.D.Gunapala
;
S.V.Bandara
;
Y.C.Chang
;
H.C.Liu
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
6.
Beyond Thermal Budget: Using D.t in Kinetic Optimization of RTP
机译:
超出热预算:在RTP动力学优化中使用D.t
作者:
R.Ditchfield
;
E.G.Seebauer
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
7.
Calibration of Wafer Temperature to NIST Traceable Standards Using an Isothermal Cavity
机译:
使用等温腔将晶圆温度校准为NIST可追溯标准
作者:
Peter Vandenabeele
;
Wayne Renken
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
8.
Cathodoluminescence Studies of Si-SiO_2 Interfaces Prepared by Plasma-Assisted Oxidation and Subjected to Post-Oxidation Rapid Thermal Annealing
机译:
等离子体辅助氧化制备Si-SiO_2界面并进行后氧化快速热退火的阴极发光研究
作者:
J.Schaefer
;
A.P.Young
;
L.J.Brillson
;
h.Niimi
;
G.Lucovsky
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
9.
Chemical Stability of Advanced Metal Gate and Ultra-Thin Gate Dielectric Interface During Rapid Thermal Annealing
机译:
快速热退火过程中高级金属栅极和超薄栅极介电界面的化学稳定性
作者:
B.Claflin
;
M.Binger
;
G.Lucovsky
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
10.
Defect Reduction in Remote Plasma Deposited Silicon Nitride by Post-Deposition Rapid Thermal Annealing
机译:
沉积后快速热退火减少远程等离子体沉积氮化硅中的缺陷
作者:
G.Lucovsky
;
C.R.Parker
;
Y.Wu
;
J.R.Hauser
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
11.
Development and Characterization of a CVD System for Thin-Film Solar Cell Manufacturing
机译:
用于薄膜太阳能电池制造的CVD系统的开发和表征
作者:
F.R.Faller
;
A.Hurrle
;
N.Schillinger
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
12.
Difference Between Wafer Temperature and Thermocouple Reading during Rapid Thermal Processing
机译:
快速热处理过程中晶片温度与热电偶读数之间的差异
作者:
T.Borca-Tasciuc
;
D.A.Achimov
;
G.Chen
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
13.
Evaluation and Comparison of 3.0nm Gate-Stack Dielectrics for Tehth-Micron Technology NMOSFETs
机译:
用于Tehth-Micron技术的NMOSFET的3.0nm栅堆叠电介质的评估和比较
作者:
K.F.Yee
;
C.M.Osburn
;
N.A.Masnari
;
J.R.Hauser
;
C.G.Parker
;
G.Lucovsky
;
W.K.Henson
;
J.J.Wortman
;
T.Kippenberg
;
s.Kuerschner
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
14.
Facet Free Selective Silicon Epitaxy by Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition
机译:
快速热化学气相沉积的无面选择性硅外延
作者:
Katherine E.Violette
;
Rick Wise
;
Chih-Ping chao
;
Sreenath Unnikrishnan
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
15.
In Situ Boron-Doped Epitaxial Silicon Films Grown by UHV-RTCVD: Applications in Channel Engineering and Ultrashallow Junction Formation
机译:
UHV-RTCVD生长的原位掺杂硼的外延硅薄膜:在通道工程和超浅结形成中的应用
作者:
I.Ban
;
M.C.Oeztuerk
;
K.L.Lee
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
16.
In-Line Ambient Impurity Measurement on a Rapid Thermal Process Chamber by Atmospheric Pressure Ionization Mass Spectrometry
机译:
大气电离质谱法在快速热处理室中进行在线环境杂质测量
作者:
Eiichi Knodoh
;
Guy Vereecke
;
Marc M.Heyns
;
Karen Maex
;
Thomas Gutt
;
Zsolt Nenyei
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
17.
Laser Ultrasonic Instrumentation for Accurate Temperature Measurement of Silicon Wafers in Rapid Thermal Processing Systems
机译:
激光超声仪器,用于快速热处理系统中硅晶片的准确温度测量
作者:
Dan Klimek
;
Brian Anthony
;
Agostino Abbate
;
Petros Kotidis
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
18.
Model Based Temperature control in RTP Yielding +-0.1 deg C Accuracy on a 1000 deg C, 2 Second, 100 deg C/s Spike Anneal
机译:
RTP的基于模型的温度控制在1000摄氏度,2秒,100摄氏度/秒的尖峰退火中产生+ -0.1摄氏度的精度
作者:
Peter Vandenabeele
;
Wayne Renken
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
19.
New Approaches for formation of Ultra-Thin Ptsi Layers for Infrared Applications
机译:
形成用于红外应用的超薄Ptsi层的新方法
作者:
R.A.Donaton
;
S.Jin
;
H.Bender
;
M.Zagrebnov
;
K.Baert
;
K.Maex
;
A.Vantomme
;
G.Langouche
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
20.
Nitrogen Profile Engineering in Thin Gate Oxides
机译:
薄栅氧化物中的氮剖面工程
作者:
J.Kuehne
;
S.Hattangady
;
J.Piccirilo
;
G.C.Xing
;
G.Miner
;
D.Lopes
;
R.Tauber
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
21.
A Comparison of MOS Devices with In Situ Boron doped Polysilicon and Poly-SiGe Gates Deposited in an RTCVD System using Si_2H_6 and B_2H_6 Gas Mixture
机译:
使用Si_2H_6和B_2H_6混合气在RTCVD系统中沉积有原生硼掺杂多晶硅和多晶硅栅极的MOS器件的比较
作者:
M.R.Mirabedini
;
V.Z-Q.Li
;
A.R.Acker
;
R.T.Kuehn
;
D.Venables
;
M.C.Oeztuerk
;
J.J.Wortman
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
22.
A Study of Transistor Optimization in a 0.25 Micron CMOS Flow Using Soruce/Drain and Silicide Process Modules and their Interactions
机译:
含硅/漏极和硅化物工艺模块的0.25微米CMOS晶体管优化晶体管及其相互作用的研究
作者:
K.Vasanth
;
P.Apte
;
J.Davis
;
S.Saxena
;
R.Burch
;
S.Rao
;
R.K.Mozumder
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
23.
On the Entrance Effects and the Influence of Buoyancy Forces on the Fluid Flow in RTP Reactors
机译:
RTP反应器的入口效应和浮力对流体流动的影响
作者:
Yu.P.Rainova
;
K.I.Antonenko
;
J.Pezoldt
;
A.Schenk
;
G.Eichhorn
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
24.
Optimization of Ti and Co Self-Aligned Silicide RTP for 0.10#mu#m CMOS
机译:
适用于0.10#mu#m CMOS的Ti和Co自对准硅化物RTP的优化
作者:
J.A.Kittl
;
Q.Z.Hong
;
H.Yang
;
N.Yu
;
M.Rodder
;
P.P.Apte
;
W.T.Shiau
;
C.P.Chao
;
T.Breedijk
;
M.F.Pas
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
25.
Partial Transparency Effects of Silicon During rapid Thermal Processing
机译:
硅在快速热处理过程中的部分透明度效应
作者:
A.R.Abramson
;
H.Tada
;
P.Nieva
;
P.Zavracky
;
I.N.Miaoulis
;
P.Y.Wong
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
26.
Polycrystalline Si_1-x-yGe_xC_y for Suppression of Boron Penetration in PMOSStructures
机译:
用于抑制PMOS结构中硼渗透的多晶Si_1-x-yGe_xC_y
作者:
C.L.Chang
;
J.C.Sturm
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
27.
Process Design and Itnegration of Salicide and Source/Drain Process Modules for Improved Device Performance
机译:
硅化物和源/漏工艺模块的工艺设计和否定,以提高设备性能
作者:
Pushkar P.Apte
;
Sharad Saxena
;
Suraj Rao
;
Karthik Vasanth
;
Douglas A.Prinslow
;
Jorge A.Kittl
;
Terence Breedijk
;
Gordon Pollack
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
28.
Residual Gases and Their Influence on Processes in the Atmospheric Rapid Thermal Processing Equipment
机译:
大气快速热处理设备中的残留气体及其对工艺的影响
作者:
Yao Zhi Hu
;
Sing Pin Tay
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
29.
RTP Temperature Measurements Using Si Grating Prepared by Laser Ablation for Large diameter Wafer Applications
机译:
使用通过激光烧蚀制备的Si光栅对大直径晶圆应用进行RTP温度测量
作者:
C.W.Liu
;
M.H.Lee
;
C.Y.Chao
;
C.Y.Chen
;
C.C.Yang
;
Y.Chang
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
30.
Selective Oxidation of Si in the Presence of W and WN
机译:
W和WN存在下Si的选择性氧化
作者:
Boyang Lin
;
Ming Hwang
;
Jiong-Ping Lu
;
Wei-Yung Hsu
;
Mike Pas
;
Joe Piccirillo
;
Gary Miner
;
Kathy OConnor
;
Gary Xing
;
Dave Lopes
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
31.
SiGe Heteroepitaxy for High Frequency Circuits
机译:
高频电路的SiGe异质外延
作者:
B.Tillack
;
D.Bolze
;
G.Fischer
;
G.Kissinger
;
D.Knoll
;
G.Ritter
;
P.Schley
;
D.Wolansky
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
32.
The Effect of Chamber Components on Wafer Temperature Response in an RTP Systems
机译:
RTP系统中腔室组件对晶片温度响应的影响
作者:
N.Acharya
;
P.J.Timans
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
33.
An Atomic Force Microscopy and Ellipsometry Study of the Nucleation and Growth Mechanism of Polycrystalline Silicon Films on Silicon Dioxide
机译:
二氧化硅在二氧化硅上成核和生长机理的原子力显微镜和椭偏仪研究
作者:
C.Basa
;
M.Tinani
;
E.A.Irene
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
34.
Improved Thermal Stability of CVD WSi_x During Furnace Oxidation by a Rapid Thermal Anneal PRetreatment
机译:
通过快速热退火P再处理提高了CVD WSi_x在炉氧化过程中的热稳定性
作者:
Alain P.Blosse
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
35.
Meeting RTP Temperature Accuracy Requirements: Measurement and Calibratiosn at NIST
机译:
满足RTP温度精度要求:在NIST进行测量和校准
作者:
F.J.Lovas
;
B.K.Tsai
;
C.E.gibson
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
36.
Evaluation of 2.0nm Grown and Deposited Dielectrics in 0.1#mu#m PMOSFETs
机译:
在0.1#μ#m PMOSFET中评估2.0nm生长和沉积的电介质
作者:
A.Srivastava
;
H.H.Heinisch
;
E.Vogel
;
C.Parker
;
C.M.Osburn
;
N.A.Masnari
;
J.J.Wortman
;
J.R.Hauser
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
37.
Growth and characterization of Thin Wet Oxides Grown by Rapid Thermal Processing
机译:
快速热处理生长的薄湿氧化物的生长和表征
作者:
R.Sharangpani
;
J.Das
;
S.P.Tay
;
R.P.S.Thakur
;
T.C.Yang
;
K.C.Saraswat
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
38.
Issues in Emissivity of Silicon
机译:
硅的发射率问题
作者:
S.Abedrabbo
;
J.C.hensel
;
O.H.Gokce
;
F.M.Tong
;
B.Sopori
;
A.T.Fiory
;
N.M.Ravindra
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
39.
RTP Calibration Wafer Using Thin-Film Thermocouples
机译:
使用薄膜热电偶的RTP校准晶片
作者:
K.G.Kreider
;
D.P.Dewitt
;
B.K.Tsai
;
F.J.Lovas
;
D.W.Allen
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
40.
The Two-Step Rapid Thermal Annealing Effect of the Prepatterned a-Si Films
机译:
预图案化a-Si薄膜的两步快速热退火效应
作者:
Kee-Chan Park
;
Kwon-Young Choi
;
Min-Cheol Lee
;
Min-Koo Han
;
Chan-Eui Yoon
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
41.
Characterization of Low Energy Boron Implantation and Fast Ramp-Up Thermal Annealing
机译:
低能硼注入和快速升温热退火的表征
作者:
E.J.H.Collart
;
G.de Cock
;
A.J.Murrell
;
M.A.Foad
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
42.
Iron-Silicate Glassy Films by Sol-Gel Conversion Induced by Rapid Thermal Processing
机译:
快速热处理诱导的溶胶-凝胶转化铁硅酸盐玻璃质薄膜
作者:
Rene E.Van De Leest
;
Fred Roozeboom
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
43.
Novel Applications of Rapi Thermal Chemical Vapor Deposition for Nanoscale MOSFET's
机译:
Rapi热化学气相沉积在纳米MOSFET中的新应用
作者:
J.C.Sturm
;
M.Yang
;
C.L.Chang
;
M.S.Carroll
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
44.
The Effects of Small Concentrations of Oxygen in RTP Annealing of low Energy Boron, BF_2 and Arsenic Ion Implants
机译:
小浓度氧气在低能硼,BF_2和砷离子植入剂RTP退火中的作用
作者:
Daniel F.Downey
;
Judy W.Chow
;
Wilfried Lerch Juergen Niess
;
Steven D.marcus
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
45.
Control and Impact of Processing Ambient during rapid Thermal Silicidation
机译:
快速热硅化过程中加工环境的控制和影响
作者:
K.Maex
;
E.Kondoh
;
A.Lauweres
;
A.Steegen
;
M.De Potter
;
P.Besser J.Prosst
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
46.
Rapid Thermal Processes for future Nanometer MOS Devices
机译:
用于未来纳米MOS器件的快速热处理
作者:
John R.Hauser
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
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1998年
47.
Comparison of the Performance of Single Wafer and Batch Systems for Identical Processes
机译:
相同工艺的单晶圆和批处理系统的性能比较
作者:
T.Claasen
;
R.Van Driel
;
A.Hasper
;
S.Radelaar
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
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1998年
48.
Emissivity of Coated Silicon at Elevated Temperature
机译:
高温下涂层硅的发射率
作者:
H.Rogne
;
H.Ahmed
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
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1998年
49.
Novel Applicatiosn of Rapid Photothermal Chemical Vapor Deposition
机译:
快速光热化学气相沉积的新应用
作者:
R.Singh
;
V.Parihar
;
Y.Chen
;
K.F.Poole
;
S.DeBoer
;
R.P.S.Thakur
;
R.Sharangpani
;
P.K.Vasudev
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
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1998年
50.
Advances in RTP Temperature Measurement and Control
机译:
RTP温度测量和控制的进展
作者:
Bruce Peuse
;
Gary Miner
;
Mark Yam
;
Curtis Elia
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
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1998年
51.
Simulation of Rapid Thermal Annealed Boron Ultrashallow Junctions in Inert and Oxidizing Ambient
机译:
惰性和氧化环境中快速热退火硼超浅结的模拟
作者:
W.Lerch
;
M.Glueck
;
N.A.Stolwijk
;
H.Walk
;
M.Schaefer
;
S.D.Marcus
;
D.F.Downey
;
J.W.Chow
;
H.Marquardt
会议名称:
《Symposium on rapid thermal and integrated processing》
|
1998年
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