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Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International

召开年：2002
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1.10-MB/s multi-level programming of Gb-scale flash memory enabled by new AG-AND cell technology

机译：新型AG-AND单元技术可实现Gb级闪存的10 MB / s多层编程
- 作者：Sasago Y.;Arigane T.;Kurata H.;Saeki S.;Goto Y.;Kamohara S.;Kobayashi T.;Kume H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
2.15-nm-thick Si channel wall vertical double-gate MOSFET

机译：15nm厚的Si沟道壁垂直双栅MOSFET
- 作者：Masahara M.;Matsukawa T.;Ishii K.;Yongxun Liu;Tanoue H.;Sakamoto K.;Sekigawa T.;Yamauchi H.;Kanemaru S.;Suzuki E.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
- MOSFET;
- etching;
- ion beam effects;
- silicon;
- elemental semiconductors;
- Si channel wall;
- vertical double-gate MOSFET;
- CMOS device;
- fabrication technology;
- IMOSFET;
- ion-bombardment-retarded etching;
- TMAH solution;
- 15 nm;
- Si;
3.A VLSI compatible conducting polymer composite based 'electronic nose' chip

机译：基于VLSI的导电聚合物复合材料“电子鼻”芯片
- 作者：Lewis N.S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
4.An organic optical bistable switch

机译：有机光双稳态开关
- 作者：Jiangeng Xue;Forrest S.R.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
5.Biomolecular optoelectronic devices and their application to artificial sight

机译：生物分子光电器件及其在人工视觉中的应用
- 作者：Greenbaum E.;Humayun M.S.;Kuritz T.;Lee J.W.;Sanders C.A.;Bruce B.;Lee I.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
6.Linearity and gain characteristics of AlGaN/GaN HEMTs

机译：AlGaN / GaN HEMT的线性和增益特性
- 作者：Wu Y.-F.;Chavarkar P.M.;Moore M.;Parikh P.;Mishra U.K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
7.Microfabricated near-field scanning microwave probes

机译：微型近场扫描微波探头
- 作者：Yaqiang Wang;Tabib-Azar M.
- 会议名称：《》 | 2002年
8.Performance enhancement on sub-70 nm strained silicon SOI MOSFETs on ultra-thin thermally mixed strained silicon/SiGe on insulator (TM-SGOI) substrate with raised S/D

机译：超薄热混合应变硅/绝缘体上的SiGe（TM-SGOI）衬底上具有提高的S / D的70 nm以下应变硅SOI MOSFET的性能增强
- 作者：Lee B.H.;Mocuta A.;Bedell S.;Chen H.;Sadana D.;Rim K.;ONeil P.;Mo R.;Chan K.;Cabral C.;Lavoie C.;Mocuta D.;Chakravarti A.;Mitchell R.M.;Mezzapelle J.;Jamin F.;Sendelbach M.;Kermel H.;Gribelyuk M.;Domenicucci A.;Jenkins K.A.;Narasimha S.;Ku S.H.;Ieong M.;Yang I.Y.;Leobandung E.;Agnello P.;Haensch W.;Welser J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
9.Chip technologies for Entertainment Robots - present and future

机译：娱乐机器人的芯片技术-现在和将来
- 作者：Makimoto T.;Doi T.T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
10.Lithography for sub-90nm applications

机译：适用于90nm以下应用的光刻
- 作者：Van den Hove L.;Goethals A.M.;Ronse K.;Van Bavel M.;Vandenberghe G.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
- CMOS integrated circuits;
- ultraviolet lithography;
- ULSI;
- scaling;
- CMOS;
- extreme ultra-violet lithography;
- technology nodes;
- ULSI;
- 157 nm;
- 193 nm;
11.A 90 nm generation copper dual damascene technology with ALD TaN barrier

机译：具有ALD TaN势垒的90 nm一代铜双镶嵌技术
- 作者：Peng C.H.;Hsieh C.H.;Huang C.L.;Lin J.C.;Tsai M.H.;Lin M.W.;Chang C.L.;Shue W.S.;Liang M.S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
12.A 90-nm CMOS device technology with high-speed, general-purpose, and low-leakage transistors for system on chip applications

机译：具有高速，通用和低泄漏晶体管的90nm CMOS器件技术，用于片上系统应用
- 作者：Wu C.C.;Leung Y.K.;Chang C.S.;Tsai M.H.;Huang H.T.;Lin D.W.;Sheu Y.M.;Hsieh C.H.;Liang W.J.;Han L.K.;Chen W.M.;Chang S.Z.;Wu S.Y.;Lin S.S.;Lin H.C.;Wang C.H.;Wang P.W.;Lee T.L.;Fu C.Y.;Chang C.W.;Chen S.C.;Jang S.M.;Shue S.L.;Lin H.T.;See Y.C.;Mii Y.J.;Diaz C.H.;Lin B.J.;Liang M.S.;Sun Y.C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
13.A broad-band scalable lumped-element inductor model using analytic expressions to incorporate skin effect, substrate loss, and proximity effect

机译：一种宽带可扩展的集总元件电感器模型，该模型使用解析表达式合并趋肤效应，基片损耗和邻近效应
- 作者：Rotella F.M.;Blaschke V.;Howard D.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
- inductors;
- skin effect;
- broadband scalable lumped-element model;
- skin effect;
- substrate loss;
- proximity effect;
- spiral inductor;
14.A capacitorless double-gate DRAM cell design for high density applications

机译：适用于高密度应用的无电容器双栅极DRAM单元设计
- 作者：Kuo C.;Tsu-Jae King;Chenming Hu
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
15.A CMOS magnetic latch with extremely high resolution

机译：具有极高分辨率的CMOS磁性锁存器
- 作者：Li Z.Q.;Sun X.W.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
16.A DNA prism: physical principles for optimizing a microfabricated DNA separation device

机译：DNA棱镜：优化微细DNA分离装置的物理原理
- 作者：Huang L.R.;Tegenfeldt J.O.;Sturm J.C.;Austin R.H.;Cox E.C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
17.A feature scale model for trench capacitor etch rate and profile

机译：沟槽电容器蚀刻速率和轮廓的特征尺度模型
- 作者：Jacobs W.;Kersch A.;Moll P.;Sabisch W.;Icking-Konert G.S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
18.A flexible, low-cost, high performance SiGe:C BiCMOS process with a one-mask HBT module

机译：具有单掩模HBT模块的灵活，低成本，高性能SiGe：C BiCMOS工艺
- 作者：Knoll D.;Ehwald K.E.;Heinemann B.;Fox A.;Blum K.;Rucker H.;Furnhammer F.;Senapati B.;Barth R.;Haak U.;Hoppner W.;Drews J.;Kurps R.;Marschmeyer S.;Richter H.H.;Grabolla T.;Kuck B.;Fursenko O.;Schley P.;Scholz R.;Tillack B.;Yamamoto Y.;Kopke K.;Wulf H.E.;Wolansky D.;Winkler W.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
19.A functional FinFET-DGCMOS SRAM cell

机译：功能性FinFET-DGCMOS SRAM单元
- 作者：Nowak E.J.;Rainey B.A.;Fried D.M.;Kedzierski J.;Ieong M.;Leipold W.;Wright J.;Breitwisch M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
20.A highly manufacturable high density embedded SRAM technology for 90 nm CMOS

机译：面向90 nm CMOS的高度可制造的高密度嵌入式SRAM技术
- 作者：Fukaura Y.;Kasai K.;Okayama Y.;Kawasaki I.;Isobe K.;Kanda M.;Ishimaru K.;Ishiuchi H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
21.A new model of time evolution of gate leakage current after soft breakdown in ultra-thin gate oxides

机译：超薄栅氧化物软击穿后栅漏电流时间演化的新模型
- 作者：Hosoi T.;Lo Re P.;Kamakura Y.;Taniguchi K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
22.A new multi-channel dual-gate poly-Si TFT employing excimer laser annealing recrystallization on pre-patterned a-Si thin film

机译：在预图案化的a-Si薄膜上利用准分子激光退火再结晶的新型多通道双栅多晶硅TFT
- 作者：Song I.H.;Kim C.H.;Kang S.H.;Nam W.J.;Han A.K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
23.A novel nickel SALICIDE process technology for CMOS devices with sub-40 nm physical gate length

机译：用于物理栅极长度小于40 nm的CMOS器件的新型镍SALICIDE处理技术
- 作者：Lu J.P.;Miles D.;Zhao J.;Gurba A.;Xu Y.;Lin C.;Hewson M.;Ruan J.;Tsung L.;Kuan R.;Grider T.;Mercer D.;Montgomery C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
24.A novel silicon Geiger-mode avalanche photodiode

机译：新型硅盖革模式雪崩光电二极管
- 作者：Jackson J.C.;Morrison A.P.;Phelan D.;Mathewson A.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
25.A novel stack capacitor cell for high density FeRAM compatible with CMOS logic

机译：新型堆叠电容器单元，用于兼容CMOS逻辑的高密度FeRAM
- 作者：Hayashi T.;Igarashi Y.;Inomata D.;Ichimori T.;Mitsuhashi T.;Ashikaga K.;Ito T.;Yoshimaru M.;Nagata M.;Mitarai S.;Godaiin H.;Nagahama T.;Isobe C.;Moriya H.;Shoji M.;Ito Y.;Kuroda H.;Sasaki M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
26.A predictive reliability model for PMOS bias temperature degradation

机译：PMOS偏置温度降低的预测可靠性模型
- 作者：Mahapatra S.;Alam M.A.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
27.A self-assembly conductive device for direct DNA identification in integrated microarray based system

机译：基于集成微阵列的系统中直接DNA识别的自组装导电装置
- 作者：Mei Xue;Jiong Li;Wen Xu;Zuhong Lu;Wang K.L.;Ko P.K.;Mansun Chan
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
28.A study of subband structure and transport of two-dimensional holes in strained-Si p-MOSFETs using full-band modeling

机译：使用全频带建模研究应变Si p-MOSFET中二维空穴的子带结构和传输
- 作者：Nakatsuji H.;Kamakura Y.;Taniguchi K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
29.A three-transistor threshold voltage model for halo processes

机译：用于晕轮过程的三晶体管阈值电压模型
- 作者：Rios R.;Wei-Kai Shih;Shah A.;Mudanai S.;Packan P.;Sandford T.;Mistry K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
30.Assessment of silicon MOS and carbon nanotube FET performance limits using a general theory of ballistic transistors

机译：使用弹道晶体管的一般理论评估硅MOS和碳纳米管FET的性能极限
- 作者：Jing Guo;Datta S.;Lundstrom M.;Brink M.;McEuen P.;Javey A.;Hongjie Dai;Hyoungsub Kim;McIntyre P.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
31.Compact modelling of cyclostationary noise in semiconductor devices: a critical discussion

机译：半导体器件中循环平稳噪声的紧凑模型：关键讨论
- 作者：Bonani F.;Donati Guerrieri S.;Ghione G.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
32.Demonstration of a 4 Mb, high density ferroelectric memory embedded within a 130 nm, 5 LM Cu/FSG logic process

机译：演示在130 nm，5 LM Cu / FSG逻辑工艺中嵌入的4 Mb高密度铁电存储器
- 作者：Moise T.S.;Summerfelt S.R.;McAdams H.;Aggarwal S.;Udayakumar K.R.;Celii F.G.;Martin J.S.;Xing G.;Hall L.;Taylor K.J.;Hurd T.;Rodriguez J.;Remack K.;Khan M.D.;Boku K.;Stacey G.;Yao M.;Albrecht M.G.;Zielinski E.;Thakre M.;Kuchimanchi S.;Thomas A.;McKee B.;Rickes J.;Wang A.;Grace J.;Fong J.;Lee D.;Pietrzyk C.;Lanham R.;Gilbert S.R.;Taylor D.;Amano J.;Bailey R.;Chu F.;Fox G.;Sun S.;Davenport T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
33.Dielectric breakdown induced epitaxy in ultrathin gate oxide - a reliability concern

机译：介电击穿引起的超薄栅氧化物外延-可靠性问题
- 作者：Pey K.L.;Tung C.H.;Radhakrishnan M.K.;Tang L.J.;Lin W.H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
34.Experimental demonstration of a QCA shift register and analysis of errors

机译：QCA移位寄存器的实验演示和错误分析
- 作者：Kummamuru R.K.;Orlov A.O.;Ramasubramaniam R.;Lent C.S.;Bernstein G.H.;Snider G.L.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
35.Experimental determination of band offset energies between Zr silicate alloy dielectrics and crystalline Si substrates by XAS, XPS and AES and ab initio theory: a new approach to the compositional dependence of direct tunneling currents

机译：XAS，XPS和AES以及从头算的实验确定Zr硅酸盐合金电介质和晶体Si衬底之间的带隙能的实验：一种直接依赖于隧道电流的新方法
- 作者：Lucovsky G.;Rayner B.;Yu Zhang;Whitten J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
36.Fabrication and modeling of gigahertz photodetectors in heteroepitaxial Ge-on-Si using a graded buffer layer deposited by low energy plasma enhanced CVD

机译：使用低能等离子体增强CVD沉积的梯度缓冲层在异质外延Ge-on-Si中制造千兆赫光电探测器并进行建模
- 作者：Jones R.E.;Thomas S.G.;Bharatan S.;Thoma R.;Jasper C.;Zirkle T.;Edwards N.V.;Liu R.;Wang X.D.;Xie Q.;Rosenblad C.;Ramm J.;Iselle G.;von Kanel H.;Oh J.;Campbell J.C.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
37.Fully electronic DNA detection on a CMOS chip: device and process issues

机译：CMOS芯片上的全电子DNA检测：设备和工艺问题
- 作者：Hofmann F.;Frey A.;Holzapfl B.;Schienle M.;Paulus C.;Schindler-Bauer P.;Kuhlmeier D.;Krause J.;Hintsche R.;Nebling E.;Albers J.;Gumbrecht W.;Plehnert K.;Eckstein G.;Thewes R.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
38.High mobility p-channel germanium MOSFETs with a thin Ge oxynitride gate dielectric

机译：具有薄型Ge氮氧化物栅极电介质的高迁移率p沟道锗MOSFET
- 作者：Huiling Shang;Okorn-Schmidt H.;Chan K.K.;Copel M.;Ott J.A.;Kozlowski P.M.;Steen S.E.;Cordes S.A.;Wong H.-S.P.;Jones E.C.;Haensch W.E.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
39.High-performance single-crystalline-silicon TFTs on a non-alkali glass substrate

机译：在无碱玻璃基板上的高性能单晶硅TFT
- 作者：Sano Y.;Takei M.;Hara A.;Sasaki N.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
40.HiSIM: a MOSFET model for circuit simulation connecting circuit performance with technology

机译：HiSIM：用于电路仿真的MOSFET模型，将电路性能与技术联系在一起
- 作者：Miura-Mattausch M.;Ueno H.;Tanaka M.;Mattausch H.J.;Kumashiro S.;Yamaguchi T.;Yamashita K.;Nakayama N.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
41.I-MOS: a novel semiconductor device with a subthreshold slope lower than kT/q

机译：I-MOS：亚阈值斜率低于kT / q的新型半导体器件
- 作者：Gopalakrishnan K.;Griffin P.B.;Plummer J.D.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
42.Noise performance of a low base resistance 200 GHz SiGe technology

机译：低基极电阻200 GHz SiGe技术的噪声性能
- 作者：Greenberg D.R.;Jagannathan B.;Sweeney S.;Freeman G.;Ahlgren D.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
43.PHINES: a novel low power program/erase, small pitch, 2-bit per cell flash memory

机译：PHINES：一种新颖的低功耗编程/擦除，小间距，每单元2位闪存
- 作者：Yeh C.C.;Tsai W.J.;Liu M.I.;Lu T.C.;Cho S.K.;Lin C.J.;Tahui Wang;Pan S.;Chih-Yuan Lu
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
44.Single photons and entangled photons from a quantum dot

机译：来自量子点的单光子和纠缠光子
- 作者：Vuckovic J.;Santori C.;Fattal D.;Pelton M.;Solomon G.S.;Bingyang Zhang;Plant J.;Yamamoto Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
45.Thermal distribution during destructive pulses in ESD protection devices using a single-shot, two-dimensional interferometric method

机译：使用单次二维干涉法的ESD保护器件中的破坏性脉冲期间的热分布
- 作者：Pogany D.;Bychikhin S.;Kuzmik J.;Dubec V.;Jensen N.;Denison M.;Groos G.;Stecher M.;Gornik E.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
46.Ultra-thin, high-resolution, flexible electronic ink displays addressed by a-Si active-matrix TFT backplanes on stainless steel foil

机译：超薄，高分辨率，柔性电子墨水显示器，通过不锈钢箔上的a-Si有源矩阵TFT背板解决
- 作者：Chen Y.;Au J.;Kazlas P.;Ritenour A.;Gates H.;Goodman J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
47.10 W GaInP/GaAs power HBTs for base station applications

机译：用于基站应用的10 W GaInP / GaAs功率HBT
- 作者：Kurpas P.;Maassdorf A.;Doser W.;Heymann P.;Janke B.;Schnieder F.;Blanck H.;Auxemery P.;Pons D.;Heinrich W.;Wurfl J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
48.14 nm gate length CMOSFETs utilizing low thermal budget process with poly-SiGe and Ni salicide

机译：14 nm栅极长度CMOSFET，采用低热预算工艺和多晶SiGe和Ni硅化物
- 作者：Hokazono A.;Ohuchi K.;Takayanagi M.;Watanabe Y.;Magoshi S.;Kato Y.;Shimizu T.;Mori S.;Oguma H.;Sasaki T.;Yoshimura H.;Miyano K.;Yasutake N.;Suto H.;Adachi K.;Fukui H.;Watanabe T.;Tamaoki N.;Toyoshima Y.;Ishiuchi H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
49.25 nm CMOS Omega FETs

机译：25 nm CMOS Omega FET
- 作者：Fu-Liang Yang;Hao-Yu Chen;Fang-Cheng Chen;Cheng-Chuan Huang;Chang-Yun Chang;Hsien-Kuang Chiu;Chi-Chuang Lee;Chi-Chun Chen;Huan-Tsung Huang;Chih-Jian Chen;Hun-Jan Tao;Yee-Chia Yeo;Mong-Song Liang;Chenming Hu
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
- CMOS integrated circuits;
- MOSFET;
- nanoelectronics;
- VLSI;
- leakage currents;
- low-power electronics;
- hot carriers;
- CMOS Omega FETs;
- Omega-shaped structure;
- CMOSFETs;
- low leakage MOSFETs;
- low active-power MOSFETs;
- hot carrier immunity;
- n-FET;
- p-FET;
- low;
50.4 Mbit embedded FRAM for high performance System on Chip (SoC) with large switching charge, reliable retention and high imprint resistance

机译：4 Mbit嵌入式FRAM，用于高性能片上系统（SoC），具有较大的开关电荷，可靠的保留和较高的抗压印性
- 作者：Horii Y.;Hikosaka Y.;Itoh A.;Matsuura K.;Kurasawa M.;Komuro G.;Maruyama K.;Eshita T.;Kashiwagi S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
51.50nm gate length logic technology with 9-layer Cu interconnects for 90nm node SoC applications

机译：具有9层铜互连的50nm栅极长度逻辑技术，适用于90nm节点SoC应用
- 作者：Kim Y.W.;Oh C.B.;Ko Y.G.;Lee K.T.;Ahn J.H.;Park T.S.;Kang H.S.;Lee D.H.;Jung M.K.;Yu H.J.;Jung K.S.;Liu S.H.;Oh B.J.;Kim K.S.;Lee N.I.;Park M.H.;Bae G.J.;Lee S.G.;Song W.S.;Wee Y.G.;Jeon C.H.;Suh K.P.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
52.65 nm CMOS technology (CMOS5) with high density embedded memories for broadband microprocessor applications

机译：具有宽带微处理器应用的高密度嵌入式存储器的65 nm CMOS技术（CMOS5）
- 作者：Yanagiya N.;Matsuda S.;Inaba S.;Takayanagi M.;Mizushima I.;Ohuchi K.;Okano K.;Takahasi K.;Morifuji E.;Kanda M.;Matsubara Y.;Habu M.;Nishigoori M.;Honda K.;Tsuno H.;Yasumoto K.;Yamamoto T.;Hiyama K.;Kokubun K.;Suzuki T.;Yoshikawa J.;Sakurai T.;Ishizuka T.;Shoda Y.;Moriuchi M.;Kishida M.;Matsumori H.;Harakawa H.;Oyamatsu H.;Nagashima N.;Yamada S.;Noguchi T.;Okamoto H.;Kakumu M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
53.75 nm damascene metal gate and high-k integration for advanced CMOS devices

机译：75 nm镶嵌金属栅极和高k集成，用于高级CMOS器件
- 作者：Guillaumot B.;Garros X.;Lime F.;Oshima K.;Tavel B.;Chroboczek J.A.;Masson P.;Truche R.;Papon A.M.;Martin F.;Damlencourt J.F.;Maitrejean S.;Rivoire M.;Leroux C.;Cristoloveanu S.;Ghibaudo G.;Autran J.L.;Skotnicki T.;Deleonibus S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
54.Accurate modeling of trench isolation induced mechanical stress effects on MOSFET electrical performance

机译：沟槽隔离引起的机械应力对MOSFET电性能的精确建模
- 作者：Bianchi R.A.;Bouche G.;Roux-dit-Buisson O.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
55.Additional scattering effects for mobility degradation in Hf-silicate gate MISFETs

机译：H硅栅MISFET中迁移率降低的其他散射效应
- 作者：Yamaguchi T.;Iijima R.;Ino T.;Nishiyama A.;Satake H.;Fukushima N.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
56.Advanced gate dielectric materials for sub-100 nm CMOS

机译：低于100 nm CMOS的高级栅极介电材料
- 作者：Iwai H.;Ohmi S.;Akama S.;Ohshima C.;Kikuchi A.;Kashiwagi I.;Taguchi J.;Yamamoto H.;Tonotani J.;Kim Y.;Ueda I.;Kuriyama A.;Yoshihara Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
57.Advanced metal barrier free Cu damascene interconnects with PECVD silicon carbide barriers for 90/65-nm BEOL technology

机译：先进的无金属阻挡铜镶嵌与PECVD碳化硅阻挡层互连，适用于90/65 nm BEOL技术
- 作者：Wu Z.C.;Lu Y.C.;Chiang C.C.;Chen M.C.;Chen B.T.;Wang G.J.;Chen Y.T.;Huang J.L.;Jang S.M.;Liang M.S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
58.Advancement of MEMS into RF-filter applications

机译：MEMS在射频滤波器应用中的进步
- 作者：Aigner R.;Ella J.;Timme H.-J.;Elbrecht L.;Nessler W.;Marksteiner S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
59.AlGaN/GaN HEMTs on SiC operating at 40 GHz

机译：在40 GHz下运行的SiC上的AlGaN / GaN HEMT
- 作者：Quay R.;Kiefer R.;van Raay F.;Massler H.;Ramberger S.;Muller S.;Dammann M.;Mikulla M.;Schlechtweg M.;Weimann G.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
60.An effective loop inductance model for general non-orthogonal interconnect with random capacitive coupling

机译：具有随机电容耦合的通用非正交互连的有效环路电感模型
- 作者：Sang-Pil Sim;Chao C.;Krishnan S.;Petranovic D.M.;Arora N.D.;Kwyro Lee;Yang C.Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
61.An embedded 90 nm SONOS nonvolatile memory utilizing hot electron programming and uniform tunnel erase

机译：利用热电子编程和均匀隧道擦除的嵌入式90 nm SONOS非易失性存储器
- 作者：Swift C.T.;Chindalore G.L.;Harber K.;Harp T.S.;Hoefler A.;Hong C.M.;Ingersoll P.A.;Li C.B.;Prinz E.J.;Yater J.A.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
62.Analysis of reliability in low-temperature poly-Si thin film transistors using pico-second time-resolved emission microscope

机译：皮秒时间分辨发射显微镜分析低温多晶硅薄膜晶体管的可靠性
- 作者：Uraoka Y.;Hirai N.;Yano H.;Hatayama T.;Fuyuki T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
63.Carbon nanotube electronics

机译：碳纳米管电子产品
- 作者：Avouris P.;Appenzeller J.;Derycke V.;Martel R.;Wind S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
64.Charge trapping in high k gate dielectric stacks

机译：高k栅极电介质堆栈中的电荷陷阱
- 作者：Zafar S.;Callegari A.;Gusev E.;Fischetti M.V.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
65.Compact modeling of drain and gate current noise for RF CMOS

机译：紧凑的RF CMOS漏极和栅极电流噪声建模
- 作者：Scholten A.J.;Tiemeijer L.F.;van Langevelde R.;Havens R.J.;Venezia V.C.;Zegers-van Duijnhoven A.T.A.;Neinhus B.;Jungemann C.;Klaasen D.B.M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
66.Correlated defect generation in thin oxides and its impact on Flash reliability

机译：薄氧化物中相关缺陷的产生及其对闪存可靠性的影响
- 作者：Ielmini D.;Spinelli A.S.;Lacaita A.L.;van Duuren M.J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
67.Cu dual damascene interconnects with in-situ fluorinated carbon-nitride (FCN: -C=N(F)-) barrier layers in low-k organic film

机译：Cu双金属镶嵌与低k有机膜中的原位氟化碳氮化物（FCN：-C = N（F）-）阻挡层互连
- 作者：Ohtake H.;Saito S.;Tada M.;Harada Y.;Onodera T.;Hayashi Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
68.Degradation mechanisms of GaN-based LEDs after accelerated DC current aging

机译：加速直流电流老化后GaN基LED的降解机理
- 作者：Meneghesso G.;Levada S.;Pierobon R.;Rampazzo F.;Zanoni E.;Cavallini A.;Castaldini A.;Scamarcio G.;Du S.;Eliashevich I.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
69.Design for scaled thin film strained-SOI CMOS devices with higher carrier mobility

机译：具有更高载流子迁移率的按比例缩放薄膜应变SOI CMOS器件的设计
- 作者：Mizuno T.;Sugiyama N.;Tezuka T.;Numata T.;Maeda T.;Takagi S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
70.Determination of the line edge roughness specification for 34 nm devices

机译：确定34 nm器件的线边缘粗糙度规格
- 作者：Linton T.;Chandhok M.;Rice B.J.;Schrom G.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
71.Device performance of sub-50 nm CMOS with ultra-thin plasma nitrided gate dielectrics

机译：具有超薄等离子体氮化栅极电介质的50 nm以下CMOS器件性能
- 作者：Inaba S.;Shimizu T.;Mori S.;Sekine K.;Saki K.;Suto H.;Fukui H.;Nagamine M.;Fujiwara M.;Yamamoto T.;Takayanagi M.;Mizushima I.;Okano K.;Matsuda S.;Oyamatsu H.;Tsunashima Y.;Yamada S.;Toyoshima Y.;Ishiuchi H.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
72.Does source-to-drain tunneling limit the ultimate scaling of MOSFETs?

机译：源漏隧道是否限制了MOSFET的最终规模？
- 作者：Jing Wang;Lundstrom M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
73.Drain-accelerated degradation of tunnel oxides in Flash memories

机译：闪存中隧道氧化物的漏极加速降解
- 作者：Chimenton A.;Spinelli A.S.;Ielmini D.;Lacaita A.L.;Visconti A.;Olivo P.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
74.Effects of nitrogen in HfSiON gate dielectric on the electrical and thermal characteristics

机译：HfSiON栅极电介质中氮对电和热特性的影响
- 作者：Koyama M.;Kaneko A.;Ino T.;Koike M.;Kamata Y.;Iijima R.;Kamimuta Y.;Takashima A.;Suzuki M.;Hongo C.;Inumiya S.;Takayanagi M.;Nishiyama A.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
75.Effects of ultra-narrow channel on characteristics of MOSFET memory with silicon nanocrystal floating gates

机译：超窄通道对硅纳米晶体浮栅MOSFET存储器特性的影响
- 作者：Saitoh M.;Nagata E.;Hiramoto T.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
76.Electromigration reliability of Cu interconnects and effects of low K dielectrics

机译：铜互连的电迁移可靠性和低K电介质的影响
- 作者：Ho P.S.;Lee K.-D.;Ogawa E.T.;Lu X.;Matsuhashi H.;Blaschke V.A.;Augur R.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
77.Electronic switching effect in phase-change memory cells

机译：相变存储单元中的电子开关效应
- 作者：Pirovano A.;Lacaita A.L.;Merlani D.;Benvenuti A.;Pellizzer F.;Bez R.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
78.Examination of hole mobility in ultra-thin body SOI MOSFETs

机译：检查超薄体SOI MOSFET中的空穴迁移率
- 作者：Zhibin Ren;Solomon P.M.;Kanarsky T.;Doris B.;Dokumaci O.;Oldiges P.;Roy R.A.;Jones E.C.;Meikei Ieong;Miller R.J.;Haensch W.;Wong H.-S.P.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
79.Experimental characterization of stiction due to charging in RF MEMS

机译：RF MEMS中由于充电引起的静摩擦的实验表征
- 作者：van Spengen W.M.;Puers R.;Mertens R.;De Wolf I.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
80.Experimental study on carrier transport mechanism in ultrathin-body SOI nand p-MOSFETs with SOI thickness less than 5 nm

机译：SOI厚度小于5 nm的超薄体SOI n和p-MOSFET载流子传输机制的实验研究
- 作者：Uchida K.;Watanabe H.;Kinoshita A.;Koga J.;Numata T.;Takagi S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
81.Experimentalumerical investigation on current collapse in AlGaN/GaN HEMT's

机译：AlGaN / GaN HEMT中电流崩塌的实验/数值研究
- 作者：Verzellesi G.;Pierobon R.;Rampazzo F.;Meneghesso G.;Chini A.;Mishra U.K.;Canali C.;Zanoni E.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
82.Extreme scaling with ultra-thin Si channel MOSFETs

机译：超薄Si沟道MOSFET的极致扩展
- 作者：Doris B.;Meikei Ieong;Kanarsky T.;Ying Zhang;Roy R.A.;Dokumaci O.;Zhibin Ren;Fen-Fen Jamin;Leathen Shi;Natzle W.;Hsiang-Jen Huang;Mezzapelle J.;Mocuta A.;Womack S.;Gribelyuk M.;Jones E.C.;Miller R.J.;Wong H.-S.P.;Haensch W.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
83.Ferromagnetic RF inductors and transformers for standard CMOS/BiCMOS

机译：用于标准CMOS / BiCMOS的铁磁射频电感器和变压器
- 作者：Zhuang Y.;Vroubel M.;Rejaei B.;Burghartz J.N.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
84.Field electron emission device using silicon nano-wires

机译：使用硅纳米线的场电子发射器件
- 作者：Sawada K.;Futagawa M.;Arai Y.;Kawano T.;Takao H.;Ishida M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
- vacuum microelectronics;
- nanowires;
- intelligent structures;
- elemental semiconductors;
- silicon;
- field electron emission device;
- gated nano-wires;
- threshold voltage;
- emission current;
- smart device;
- operation voltage;
- 13 V;
- 10 nA;
- 15 V;
- Si;
85.FinFET process refinements for improved mobility and gate work function engineering

机译：FinFET工艺改进，以改善迁移率和栅极功函数工程
- 作者：Yang-Kyu Choi;Leland Chang;Ranade P.;Jeong-Soo Lee;Daewon Ha;Balasubramanian S.;Agarwal A.;Ameen M.;Tsu-Jae King;Bokor J.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
86.FinFET scaling to 10 nm gate length

机译：FinFET缩放至10 nm栅极长度
- 作者：Bin Yu;Leland Chang;Ahmed S.;Haihong Wang;Bell S.;Chih-Yuh Yang;Tabery C.;Chau Ho;Qi Xiang;Tsu-Jae King;Bokor J.;Chenming Hu;Ming-Ren Lin;Kyser D.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
87.Fluorine diffusion: models and experiments

机译：氟扩散：模型和实验
- 作者：Robison R.R.;Law M.E.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
88.Fully depleted surrounding gate transistor (SGT) for 70 nm DRAM and beyond

机译：适用于70 nm DRAM及更高容量的完全耗尽的环绕栅晶体管（SGT）
- 作者：Goebel B.;Lutzen J.;Manger D.;Moll P.;Mummler K.;Popp M.;Scheler U.;Schlosser T.;Seidl H.;Sesterhenn M.;Slesazeck S.;Tegen S.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
89.Fully integrated 64 Kb MRAM with novel reference cell scheme

机译：具有新颖参考单元方案的完全集成64 Kb MRAM
- 作者：Jeong H.S.;Jeong G.T.;Koh G.H.;Song I.H.;Park W.J.;Kim T.W.;Jeong S.J.;Hwang Y.N.;Ahn S.J.;Kim H.J.;Hong J.S.;Jeong W.C.;Lee S.H.;Park J.H.;Cho W.Y.;Kim J.S.;Song S.H.;Park S.O.;Jeong U.I.;Kim K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
90.Fully-implantable auditory prostheses: restoring hearing to the profoundly deaf

机译：完全可植入的听觉假体：恢复严重耳聋的听力
- 作者：Wise K.D.;Najafi K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
91.Future 1T1C FRAM technologies for highly reliable, high density FRAM

机译：未来的1T1C FRAM技术可实现高度可靠的高密度FRAM
- 作者：Lee S.Y.;Kim K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
92.High efficient 820 nm MOS Ge quantum dot photodetectors for short-reach integrated optical receivers with 1300 and 1550 nm sensitivity

机译：高效的820 nm MOS Ge量子点光电探测器，用于具有1300和1550 nm灵敏度的短距离集成光接收器
- 作者：Hsu B.-C.;Chang S.T.;Shie C.-R.;Lai C.-C.;Chen P.S.;Liu C.W.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
93.High efficient 850 nm and 1,310 nm multiple quantum well SiGe/Si heterojunction phototransistors with 1.25 plus GHz bandwidth (850 nm)

机译：具有1.25 plus GHz带宽（850 nm）的高效850 nm和1,310 nm多量子阱SiGe / Si异质结光电晶体管
- 作者：Pei Z.;Liang C.S.;Lai L.S.;Tseng Y.T.;Hsu Y.M.;Chen P.S.;Lu S.C.;Liu C.M.;Tsai M.-J.;Liu C.W.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
94.High performance 30 nm bulk CMOS for 65 nm technology node (CMOS5)

机译：适用于65 nm技术节点（CMOS5）的高性能30 nm体CMOS
- 作者：Morifuji E.;Kanda M.;Yanagiya N.;Matsuda S.;Inaba S.;Okano K.;Takahashi K.;Nishigori M.;Tsuno H.;Yamamoto T.;Hiyama K.;Takayanagi M.;Oyamatsu H.;Yamada S.;Noguchi T.;Kakumu M.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
95.High performance cell technology featuring sub-100nm DRAM with multi-gigabit density

机译：高性能单元技术，具有低于100nm的DRAM，具有数千兆位的密度
- 作者：Byung-Chan Lee;Jong-Ryeol Yoo;Deok-Hyung Lee;Cheol-Sung Kim;In-Soo Jung;Siyoung Choi;U-In Chung;Joo-Tae Moon
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
96.High performance copper and low-k interconnect technology fully compatible to 90nm-node SOC application (CMOS4)

机译：高性能铜缆和低k互连技术，完全兼容90nm节点SOC应用（CMOS4）
- 作者：Inohara M.;Tamura I.;Yamaguchi T.;Koike H.;Enomoto Y.;Arakawa S.;Watanabe T.;Ide E.;Kadomura S.;Sunouchi K.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
97.High performance damascene gate CMOSFETs with recessed channel formed by plasma oxidation and etching method (RC-POEM)

机译：通过等离子氧化和蚀刻方法（RC-POEM）形成具有凹沟道的高性能镶嵌栅极CMOSFET
- 作者：Matsuo K.;Sekine K.;Saito T.;Nakajima K.;Suguro K.;Tsunashima Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
98.High speed InP-based HBTs and OEICs

机译：高速基于InP的HBT和OEIC
- 作者：Jackel H.;Hammer U.;Ruiz J.;Schnyder I.;Schwarz V.;Gaspar A.;Huber D.;Rohner A.;Huber A.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
99.Highly manufacturable 90 nm DRAM technology

机译：高度可制造的90 nm DRAM技术
- 作者：Park Y.K.;Cho C.H.;Lee K.H.;Roh B.H.;Ahn Y.S.;Lee S.H.;Oh J.H.;Lee J.G.;Kwak D.H.;Shin S.H.;Bae J.S.;Kim S.B.;Lee J.K.;Lee J.Y.;Kim M.S.;Lee J.W.;Lee D.J.;Hong S.H.;Bae D.I.;Chun Y.S.;Park S.H.;Yun C.J.;Chung T.Y.;Kinam Kim
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年
100.Highly reliable MONOS devices with optimized silicon nitride film having deuterium terminated charge traps

机译：高度可靠的MONOS器件，具有经过优化的氮化硅膜和氘化电荷陷阱
- 作者：Tanaka M.;Saida S.;Mitani Y.;Mizushima I.;Tsunashima Y.
- 会议名称：《Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International》 | 2002年