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Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on
Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on
召开年:
2003
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
On the development of automatic assembly line for InP HEMT MMICs
机译:
InP HEMT MMIC自动装配线的开发
作者:
Chou Y.C.
;
Barsky M.
;
Grundbacher R.
;
Lai R.
;
Leung D.
;
Bonnin R.
;
Akbany S.
;
Tsui S.
;
Kan Q.
;
Eng D.
;
Oki A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
HEMT integrated circuits;
field effect MMIC;
indium compounds;
III-V semiconductors;
microwave antenna arrays;
antenna phased arrays;
integrated circuit bonding;
assembly planning;
integrated circuit manufacture;
InP HEMT MMIC;
automatic assembly line;
a;
2.
Optimisation of buffer layers for InP-metamorphic heterojunction bipolar transistor on GaAs
机译:
GaAs上InP变质异质结双极型晶体管缓冲层的优化
作者:
Lefebvre E.
;
Zaknoune M.
;
Cordier Y.
;
Mollot F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
III-V semiconductors;
heterojunction bipolar transistors;
photoluminescence;
X-ray diffraction;
surface morphology;
interface structure;
atomic force microscopy;
optimisation;
buffer layers;
InP-metamorphic heterojunction bipolar transi;
3.
Performance and design considerations for high speed SiGe HBTs of f/sub T//f/sub max/=375 GHz/210 GHz
机译:
f / sub T // f / sub max / = 375 GHz / 210 GHz的高速SiGe HBT的性能和设计注意事项
作者:
Jae-Sung Rieh
;
Jagannathan
;
B.
;
Huajie Chen
;
Schonenberg
;
K.
;
Shwu-Jen Jeng
;
Khater
;
M.
;
Ahlgren
;
D.
;
Freeman
;
G.
;
Subbanna
;
S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
Ge-Si alloys;
heterojunction bipolar transistors;
bipolar integrated circuits;
high-speed integrated circuits;
millimetre wave bipolar transistors;
integrated circuit layout;
semiconductor materials;
design considerations;
high speed SiGe HBTs;
broadband;
4.
Photoluminescence and energy dispersive X-ray measurements on residual strain in bulk In/sub x/Ga/sub 1-x/As crystal
机译:
In / sub x / Ga / sub 1-x / As晶体中残余应变的光致发光和能量色散X射线测量
作者:
Islam
;
M.R.
;
Yamada
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
photoluminescence;
X-ray chemical analysis;
energy gap;
internal stresses;
photoluminescence;
energy dispersive X-ray measurements;
residual strain;
bulk In/sub x/Ga/sub 1-x/As crystal;
freezing t;
5.
Photonic crystal lasers for nano-photonics
机译:
用于纳米光子学的光子晶体激光器
作者:
Lee Y.H.
;
Ryu H.Y.
;
Kim S.H.
;
Kwon S.H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
photonic crystals;
indium compounds;
III-V semiconductors;
semiconductor lasers;
semiconductor device measurement;
photonic crystal lasers;
nano-photonics;
surface-emitting lasing actions;
band edge;
third TE-like mode /spl Gamma/ point;
1550 nm;
35 muW;
6.
Pulsed YAG-laser disordering of InGaAsP superlattices and its application to wavelength trimming of multi-/spl lambda/ gain-coupled DFB laser arrays
机译:
InGaAsP超晶格的脉冲YAG激光无序及其在多/splλ/增益耦合DFB激光器阵列波长微调中的应用
作者:
Asawamethapant
;
W.
;
Nakano
;
Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
semiconductor superlattices;
semiconductor laser arrays;
distributed feedback lasers;
quantum well lasers;
laser tuning;
laser materials processing;
laser beam effects;
InGaAsP superlattices;
puls;
7.
Reliability of InGaAs/InP HBTs with InP passivation structure
机译:
具有InP钝化结构的InGaAs / InP HBT的可靠性
作者:
Yamabi R.
;
Kotani K.
;
Kawasaki T.
;
Yanagisawa M.
;
Yaegassi S.
;
Yano H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
heterojunction bipolar transistors;
passivation;
semiconductor device reliability;
current density;
InGaAs/InP HBTs;
InP passivation structure;
reliability;
life tests;
collector current density;
8.
Reliable and damage-free dry grating etching for the InGaAsP DFB laser diodes
机译:
InGaAsP DFB激光二极管的可靠且无损坏的干栅刻蚀
作者:
Hyeon Soo Kim
;
Eun-Hwa Lee
;
Do Young Rhee
;
Young Churl Bang
;
Joon Sang Yu
;
Jung Kee Lee
;
Ahn Goo Choo
;
Tae Il Kim
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
sputter etching;
distributed feedback lasers;
optical fabrication;
laser stability;
diffraction gratings;
quantum well lasers;
InGaAsP DFB laser diodes;
reliable damage-free dry grating etching;
f;
9.
Repetition rate and wavelength tuning of monolithic 40 GHz mode-locked lasers based on InP
机译:
基于InP的单片40 GHz锁模激光器的重复频率和波长调谐
作者:
Kaiser R.
;
Huttl B.
;
Rehbein W.
;
Stolpe H.
;
Heidrich H.
;
Fidorra S.
;
Stenzel K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
gallium arsenide;
indium compounds;
III-V semiconductors;
semiconductor lasers;
laser mode locking;
semiconductor device measurement;
repetition rate;
wavelength tuning;
mode-locked lasers;
GaInAsP-InP;
10.
Room temperature nonlinear transport in InGaAs/AlInAs based ballistic nanodevices
机译:
InGaAs / AlInAs基弹道纳米器件中的室温非线性传输
作者:
Mateos J.
;
Vasallo B.G.
;
Pardo D.
;
Gonzalez T.
;
Boutry H.
;
Hackens B.
;
Bayot V.
;
Bednarz L.
;
Simon P.
;
Huynen I.
;
Galloo J.S.
;
Pichonat E.
;
Roelens Y.
;
Wallart X.
;
Bollaert S.
;
Cappy A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
gallium arsenide;
aluminium compounds;
III-V semiconductors;
Monte Carlo methods;
ballistic transport;
space charge;
semiconductor device models;
nanoelectronics;
high electron mobility transistors;
InGaAs/AlInAs based ballistic nanodev;
11.
Schottky barrier height enhancement for In/sub 0.52/AlAs layer by using in-situ Ar plasma pre-treatment and its application to In/sub 0.52/AlAs/In/sub 0.53/GaAs/InP HEMT's
机译:
原位Ar等离子体预处理提高In / sub 0.52 / AlAs层的肖特基势垒高度及其在In / sub 0.52 / AlAs / In / sub 0.53 / GaAs / InP HEMT中的应用
作者:
Dae-Hyun Kim
;
Young-Ho Kim
;
Jae-Eung Oh
;
Kwang-Seok Seo
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
aluminium compounds;
III-V semiconductors;
high electron mobility transistors;
Schottky barriers;
semiconductor device metallisation;
Schottky diodes;
plasma materials processing;
leakage currents;
semiconductor device breakdown;
surfac;
12.
Selective area growth of InP through narrow openings by MOCVD and its application to InP HBT
机译:
InCVD通过狭窄的开口选择性生长InP的面积及其在InP HBT中的应用
作者:
Yingda Dong
;
Okuno Y.L.
;
Mishra U.K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
III-V semiconductors;
gallium arsenide;
MOCVD;
heterojunction bipolar transistors;
semiconductor device measurement;
semiconductor growth;
selective area growth;
MOCVD;
HBT;
lateral overgrowth;
device behavior;
InP-InGaAs;
SiO/sub 2/;
13.
Smooth and anisotropic dry etching of InGaAlAs using Cl/sub 2//N/sub 2/ ECR plasma
机译:
使用Cl / sub 2 // N / sub 2 / ECR等离子体对InGaAlAs进行平滑且各向异性的干法蚀刻
作者:
Uchiyama
;
H.
;
Shinoda
;
K.
;
Sato
;
H.
;
Taike
;
A.
;
Taniguchi
;
T.
;
Tsuji
;
S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
aluminium compounds;
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
sputter etching;
interface structure;
semiconductor lasers;
semiconductor device measurement;
anisotropic dry etching;
Cl/sub 2//N/sub 2/ ECR plasma;
InGaAlAs-BH laser;
InGaAl;
14.
Study on the surface reaction kinetics of InGaAs related materials MOCVD through analyses of growth rate distribution in the selective area growth
机译:
通过分析选择性区域生长中的增长率分布研究InGaAs相关材料MOCVD的表面反应动力学
作者:
Oh H.J.
;
Im I.T.
;
Sugiyama M.
;
Nakaro Y.
;
Shimogaki Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
MOCVD;
indium compounds;
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
surface diffusion;
MOCVD coatings;
semiconductor thin films;
surface reaction kinetics;
MOCVD;
growth rate distribution;
selective area growth;
gas phase diffusion;
surface diffusion;
stick;
15.
Suppression of Zn diffusion into absorption layers in electroabsorption (EA) modulators due to the use of Ru-doped semi-insulating InP buried heterostructures
机译:
由于使用Ru掺杂的半绝缘InP掩埋异质结构,抑制了Zn扩散到电吸收(EA)调制器的吸收层中
作者:
Ogasawara M.
;
Iga R.
;
Yamanaka T.
;
Kondo S.
;
Kondo Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
III-V semiconductors;
zinc;
ruthenium;
electroabsorption;
semiconductor quantum wells;
optical modulation;
extinction coefficients;
chemical interdiffusion;
Zn diffusion suppression;
absorption layers;
electroabsorption modulators;
Ru-d;
16.
Surface-normal saturable absorber intensity modulator
机译:
表面法向饱和吸收体强度调制器
作者:
Vainionpaa A.
;
Guina M.
;
Harkonen A.
;
Orsila L.
;
Lyytikainen J.
;
Pessa M.
;
Okhotnikov O.G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
intensity modulation;
optical saturable absorption;
optical pumping;
Fabry-Perot resonators;
integrated optics;
laser mirrors;
laser mode locking;
fibre lasers;
semiconductor quantum wells;
quantum well devices;
optical modulation;
surface-normal saturab;
17.
Temperature-dependence of lasing spectrum for TlInGaAs/InP DH laser diodes and 77K CW operation
机译:
TlInGaAs / InP DH激光二极管和77K CW操作的激光光谱的温度依赖性
作者:
Fujiwara A.
;
Lee H.J.
;
Imada A.
;
Hasegawa S.
;
Oe K.
;
Gonda S.
;
Asahi H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
thallium compounds;
indium compounds;
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
semiconductor lasers;
semiconductor device measurement;
temperature-dependence;
lasing spectrum;
TlInGaAs/InP DH laser diodes;
CW operation;
gas source MBE;
current injection p;
18.
Thermal annealing effect on self-assembled GaInNAs/GaAs quantum dots grown by chemical beam epitaxy
机译:
热退火对化学束外延生长自组装GaInNAs / GaAs量子点的影响
作者:
Makino S.
;
Miyamoto T.
;
Ohta M.
;
Matsuura T.
;
Matsui Y.
;
Koyama F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
gallium arsenide;
indium compounds;
III-V semiconductors;
semiconductor quantum dots;
self-assembly;
annealing;
photoluminescence;
spectral line intensity;
spectral line shift;
chemical interdiffusion;
internal stresses;
thermal annealing;
self-assembled;
19.
Thermal limitations of InP HBT's in 80 and 160 Gbits/sup -1/ IC's
机译:
InP HBT在80和160 Gbits / sup -1 / IC中的热限制
作者:
Harrison
;
I.
;
Dahlstrom
;
M.
;
Krishnan
;
S.
;
Griffith
;
Z.
;
Kim
;
Y.M.
;
Rodwell
;
M.J.W.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
III-V semiconductors;
heterojunction bipolar transistors;
semiconductor device models;
finite element analysis;
thermal resistance;
thermal limitations;
InP HBT;
3D thermal model;
finite elements;
thermal resistance;
InP heterojunction;
20.
Ultra-low intersubband absorption saturation intensity in InGaAs/AlAs/AlAsSb coupled double quantum wells with AlAs diffusion-stopping layers
机译:
InGaAs / AlAs / AlAsSb耦合具有AlAs扩散阻止层的双量子阱中的超低子带间吸收饱和强度
作者:
Kasai J.
;
Mozume T.
;
Yoshida H.
;
Simoyama T.
;
Gopal A.V.
;
Ishikawa H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
gallium arsenide;
aluminium compounds;
III-V semiconductors;
semiconductor quantum wells;
diffusion barriers;
spectral line intensity;
optical materials;
infrared spectra;
ultra-low intersubband absorption saturation intensity;
InGaAs/A;
21.
1.3 to 1.5 /spl mu/m range emission from InAs/GaAs quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
金属有机化学气相沉积法生长的InAs / GaAs量子点的发射范围为1.3至1.5 / spl mu / m
作者:
Hsieh
;
T.-P.
;
Yeh
;
N.-T.
;
Chiu
;
P.-C.
;
Huang
;
K.-F.
;
Ho
;
W.-C.
;
Wu
;
M.-C.
;
Chyi
;
J.-I.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
semiconductor quantum dots;
internal stresses;
photoluminescence;
InAs/GaAs quantum dots;
metalorganic chemical vapor deposition;
long wavelength light emission;
InGaAs strain reducing layer;
MOCV;
22.
22 GHz direct-modulated weakly coupled DBR-laser fabricated by focused ion beam lithography
机译:
聚焦离子束光刻技术制造的22 GHz直接调制弱耦合DBR激光器
作者:
Bach L.
;
Kaiser W.
;
Reithmaier J.P.
;
Forchel A.
;
Gioannini M.
;
Feies V.
;
Montrosset I.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
distributed Bragg reflector lasers;
ion beam lithography;
22 GHz direct-modulated weakly coupled DBR-laser;
focused ion beam lithography;
3dB bandwidth;
detuned-loading effects;
drive current;
threshold currents;
output powers;
Fabry-Perot lasers;
22 GHz;
23.
40 Gb/s transmission experiment using directly modulated 1.55 /spl mu/m DBR lasers
机译:
使用直接调制的1.55 / spl mu / m DBR激光器进行40 Gb / s传输实验
作者:
Kjebon
;
O.
;
Akram
;
M.N.
;
Schatz
;
R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
distributed Bragg reflector lasers;
indium compounds;
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
electro-optical modulation;
optical transmitters;
quantum well lasers;
optical fibre networks;
directly modulated 1.55 /spl mu/m DBR lasers;
40 Gb/s transmissio;
24.
50-Gbit/s AGC and modulator driver amplifier ICs based on InP/InGaAs HBT technology
机译:
基于InP / InGaAs HBT技术的50Gbit / s AGC和调制器驱动器放大器IC
作者:
Watanabe K.
;
Hashimoto M.
;
Kudo H.
;
Uchiyama H.
;
Ohta H.
;
Ouchi K.
;
Takeyari R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
bipolar analogue integrated circuits;
automatic gain control;
driver circuits;
transceivers;
forward error correction;
optical transmitters;
optical receivers;
amplifiers;
InP/InGaAs HBT technology;
modulator driver amplifier IC;
AGC;
forward error corre;
25.
Above 100 GHz performance of waveguide integrated photodiodes measured by electro-optical sampling
机译:
在100 GHz以上,通过电光采样测量的波导集成光电二极管的性能
作者:
Trommer D.
;
Unterborsch G.
;
Schumann D.
;
Reimann O.
;
Huhse D.
;
Bimberg D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
photodiodes;
integrated optoelectronics;
electro-optical effects;
performance;
waveguide integrated photodiodes;
electro-optical sampling;
phase response;
linear power response;
100 to 160 GHz;
26.
Capacitance of abrupt one-sided InP/GaInAs heterojunctions
机译:
突然的一侧InP / GaInAs异质结的电容
作者:
Sheinman B.
;
Sidorov V.
;
Ritter D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
heterojunction bipolar transistors;
minority carriers;
leakage currents;
semiconductor device noise;
equivalent circuits;
abrupt one-sided InP/GaInAs heterojunctions;
majority carrier diodes;
mino;
27.
Challenges and opportunities for InP HBT mixed signal circuit technology
机译:
InP HBT混合信号电路技术的挑战与机遇
作者:
Zolper J.C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
III-V semiconductors;
heterojunction bipolar transistors;
mixed analogue-digital integrated circuits;
InP HBT mixed signal circuit technology;
DoD high bandwidth requirements;
DoD dynamic range requirements;
aggressively scaled SiGe bip;
28.
Characterization of GaN/InGaN hetero-structures by Raman spectroscopy, PL and CL
机译:
GaN / InGaN异质结构的拉曼光谱,PL和CL表征
作者:
Bosi M.
;
Fornari R.
;
Scardova S.
;
Avella M.
;
Martinez O.
;
Jimenez J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
gallium compounds;
indium compounds;
III-V semiconductors;
semiconductor heterojunctions;
photoluminescence;
cathodoluminescence;
Raman spectra;
semiconductor epitaxial layers;
wide band gap semiconductors;
characterization;
GaN/InGaN heterostructures;
M;
29.
Correlation between graded InAsP layer and photoluminescence intensity for 2200 nm CUTOFF In/sub 0.72/Ga/sub 0.28/As grown by chloride VPE
机译:
氯化物VPE生长的2200 nm CUTOFF In / sub 0.72 / Ga / sub 0.28 / As的InAsP梯度层与光致发光强度之间的相关性
作者:
Iwasaki
;
T.
;
Sawada
;
S.
;
Ooki
;
K.
;
Kimura
;
H.
;
Matsukawa
;
S.
;
Miura
;
Y.
;
Yokogawa
;
H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
photoluminescence;
spectral line intensity;
vapour deposited coatings;
dislocations;
transmission electron microscopy;
graded InAsP layer;
photoluminescence intensity;
chloride VPE;
near field pho;
30.
Damage-free SiO/sub 2//SiN/sub x/ side-wall gate process and its application to 40 nm InGaAs/InAlAs HEMT's with 65 InGaAs channel
机译:
无损SiO / sub 2 // SiN / sub x /侧壁栅工艺及其在具有65%InGaAs通道的40 nm InGaAs / InAlAs HEMT中的应用
作者:
Dae-Hyun Kim
;
Suk-Jin Kim
;
Young-Ho Kim
;
Kwang-Seok Seo
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
silicon compounds;
indium compounds;
gallium arsenide;
aluminium compounds;
high electron mobility transistors;
semiconductor device measurement;
etching;
damage-free SiO/sub 2//SiN/sub x/ side-wall gate process;
InGaAs/InAlAs HEMT;
fabrication;
etching;
31.
Extrinsic leakage current on InP/InGaAs DHBTs
机译:
InP / InGaAs DHBT上的外部泄漏电流
作者:
Martin J.C.
;
Maneux C.
;
Labat N.
;
Touboul A.
;
Riet M.
;
Blayac S.
;
Kahn M.
;
Godin J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
heterojunction bipolar transistors;
leakage currents;
semiconductor device measurement;
ageing;
semiconductor device testing;
extrinsic leakage current;
InP/InGaAs DHBTs;
aging tests;
100 hour;
25;
32.
Fabrication and characterization of SOA and phase shifter integrated interferometer all-optical switches by single-step GaInAsP/InP selective area MOVPE
机译:
通过单步GaInAsP / InP选择区域MOVPE制作和表征SOA和移相器集成干涉仪全光开关
作者:
Miyashita D.
;
Xueliang Song
;
Zhenrui Zhang
;
Futakuchi N.
;
Nakano Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
gallium arsenide;
indium compounds;
III-V semiconductors;
optical phase shifters;
optical switches;
integrated optics;
Mach-Zehnder interferometers;
Michelson interferometers;
SOA;
phase shifter integrated interferometer all-optical switches;
selective a;
33.
Fabrication of high uniform BH DFB laser using new isotropic dry/wet mesa etching
机译:
使用新的各向同性干/湿台面蚀刻技术制造高均匀性BH DFB激光器
作者:
Hyeon Soo Kim
;
Jung Kee Lee
;
Young Churl Bang
;
Tae Jin Kim
;
Joon Sang Yu
;
Dong-Soo Bang
;
Ahn Goo Choo
;
Tae Il Kim
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
distributed Bragg reflector lasers;
semiconductor lasers;
etching;
high uniform BH DFB laser;
isotropic dry/wet mesa etching;
buried heterostructure lasers;
uniform characteristics;
long-term reliability;
optimized dry etching;
additional wet etching;
da;
34.
GaAs-based quantum-cascade laser diodes
机译:
基于砷化镓的量子级联激光二极管
作者:
Anders S.
;
Gornik E.
;
Schrenk W.
;
Strasser G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
gallium arsenide;
semiconductor device measurement;
III-V semiconductors;
quantum cascade lasers;
laser cavity resonators;
GaAs-based Fabry-Perot quantum cascade laser diodes;
single mode emitting distributed feedback lasers;
ring-shaped cavities;
disk-s;
35.
High PMF coupled output power, 37 nm tunable laser module using matrix DFB laser
机译:
使用矩阵DFB激光器的高PMF耦合输出功率,37 nm可调激光器模块
作者:
Kurobe T.
;
Kimoto T.
;
Muranushi K.
;
Nakagawa Y.
;
Nasu H.
;
Yoshimi S.
;
Oike M.
;
Kambayashi H.
;
Mukaihara T.
;
Nomura T.
;
Kasukawa A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
laser tuning;
distributed feedback lasers;
semiconductor optical amplifiers;
semiconductor device measurement;
high PMF coupled output power;
tunable laser module;
matrix DFB laser;
low loss 1 /spl times/ 6 multi mode interferometer coupler;
semiconducto;
36.
InAsN/GaAsN quantum dots grown on GaAs substrate by solid source MBE
机译:
固体源MBE在GaAs衬底上生长的InAsN / GaAsN量子点
作者:
Sun zhongzhe
;
Yew Kuok Chuin
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
gallium compounds;
III-V semiconductors;
semiconductor quantum dots;
molecular beam epitaxial growth;
semiconductor growth;
photoluminescence;
atomic force microscopy;
InAsN/GaAsN quantum dots;
solid source MBE;
structure;
optical prope;
37.
Interface structures of OMVPE-grown GaAs/GaInP/GaAs studied by X-ray CTR scattering measurement
机译:
X射线CTR散射测量研究OMVPE生长的GaAs / GaInP / GaAs的界面结构
作者:
Tabuchi M.
;
Hisadome S.
;
Katou D.
;
Yoshikane T.
;
Urakami A.
;
Inoue K.
;
Koizumi A.
;
Fujiwara Y.
;
Takeda Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
interface structure;
semiconductor growth;
MOCVD;
vapour phase epitaxial growth;
III-V semiconductors;
gallium arsenide;
indium compounds;
X-ray scattering;
interface structures;
OMVPE-grown GaAs/GaInP/GaAs;
X-ray CTR scattering measurement;
organometall;
38.
Molecular beam epitaxy of low-resistance polycrystalline p-type GaSb
机译:
低电阻多晶p型GaSb的分子束外延
作者:
Yingda Dong
;
Scott D.W.
;
Yun Wei
;
Gossard A.C.
;
Rodwell M.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
gallium compounds;
carbon;
III-V semiconductors;
molecular beam epitaxial growth;
semiconductor growth;
semiconductor epitaxial layers;
electrical resistivity;
grain size;
hole density;
Fermi level;
valence bands;
hole mobility;
surface states;
heterojun;
39.
Optimizing the growth of vertically stacked InP/In/sub 0.5/Al/sub 0.3/Ga/sub 0.2/P quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
通过金属有机化学气相沉积优化垂直堆叠的InP / In / sub 0.5 / Al / sub 0.3 / Ga / sub 0.2 / P量子点的生长
作者:
Zhang
;
X.B.
;
Heller
;
R.D.
;
Noh
;
M.S.
;
Dupuis
;
R.D.
;
Walter
;
G.
;
Holonyak
;
N.
;
Jr.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
aluminium compounds;
III-V semiconductors;
semiconductor quantum dots;
MOCVD;
self-assembly;
cathodoluminescence;
atomic force microscopy;
spectral line breadth;
spectral line intensity;
internal stresses;
growth optimization;
verticall;
40.
Passivation of graded-base InP/InGaAs/InP double heterostructure bipolar transistors by room-temperature deposited SiN/sub x/
机译:
室温沉积SiN / sub x /钝化渐变基极InP / InGaAs / InP双异质结构双极晶体管
作者:
Jin
;
Z.
;
Otten
;
F.
;
Neumann
;
S.
;
Reimann
;
T.
;
Prost
;
W.
;
Tegude
;
F.-J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
passivation;
heterojunction bipolar transistors;
silicon compounds;
semiconductor device measurement;
leakage currents;
annealing;
passivation;
graded-base InP/InGaAs/InP double heterostructure bi;
41.
Patterning effect at 40 Gbit/s of wavelength converter utilizing cross-phase modulation in InGaAsP/InP electroabsorption modulator
机译:
InGaAsP / InP电吸收调制器中利用交叉相位调制的40 Gbit / s波长转换器的图案化效果
作者:
Nishimura K.
;
Inohara R.
;
Tsurusawa M.
;
Usami M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
optical communication equipment;
wavelength division multiplexing;
integrated optics;
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
electroabsorption;
electro-optical modulation;
optical wavelength conversion;
patterning effect;
wavelength co;
42.
Production of next generation InP-HBT epiwafers by MBE
机译:
MBE生产下一代InP-HBT外延片
作者:
Lubyshev D.I.
;
Malis O.
;
Teker K.
;
Wu Y.
;
Fastenau J.M.
;
Fang X.-M.
;
Doss C.
;
Cornfeld A.B.
;
Liu W.K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
heterojunction bipolar transistors;
indium compounds;
gallium arsenide;
aluminium compounds;
III-V semiconductors;
molecular beam epitaxial growth;
semiconductor growth;
semiconductor epitaxial layers;
next generation InP-HBT epiwafers;
MBE;
control;
sta;
43.
Reliability investigations of 1.55 /spl mu/m bulk semiconductor optical amplifier using functional parameter measurements
机译:
使用功能参数测量对1.55 / spl mu / m体半导体光放大器进行可靠性研究
作者:
Huyghe
;
S.
;
Bechou
;
L.
;
Danto
;
Y.
;
Laffitte
;
D.
;
Boddaert
;
X.
;
Volto
;
P.
;
Denolle
;
A.
;
Coquelin
;
A.
;
Ollivier
;
C.
;
Keller
;
D.
;
Porcheron
;
C.
;
Crottini
;
A.
;
Squedin
;
S.
;
Renaud
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
semiconductor optical amplifiers;
indium compounds;
III-V semiconductors;
ageing;
semiconductor device reliability;
gallium arsenide;
reliability;
1.55 /spl mu/m bulk semiconductor optical amplifier;
functional parameter measurements;
500 /spl mu/m lengt;
44.
Schottky gate control of photoluminescence from InGaAs quantum wells and ridge quantum wires
机译:
InGaAs量子阱和脊形量子线的光致发光肖特基栅极控制
作者:
Jiang C.
;
Kasai S.
;
Hasegawa H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
semiconductor quantum wells;
photoluminescence;
Schottky barriers;
semiconductor quantum wires;
spectral line intensity;
Schottky gate control;
photoluminescence;
InGaAs quantum wells;
ridge quant;
45.
Theoretical study of laser characteristics of InPAsN/GaInAsP/InP laser diode using first-principles method
机译:
基于第一原理方法的InPAsN / GaInAsP / InP激光二极管激光特性的理论研究
作者:
Takizawa T.
;
Harris J.S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
gallium arsenide;
gallium compounds;
semiconductor lasers;
ab initio calculations;
k.p calculations;
perturbation techniques;
laser characteristics;
InPAsN/GaInAsP/InP laser diode;
first-principles method;
k/spl middot/p perturbation th;
46.
Towards planar processing for InP DHBTs
机译:
面向InP DHBT的平面处理
作者:
Kopf R.F.
;
Sung W.J.
;
Weimann N.G.
;
Chen Y.K.
;
Houtsma V.
;
Yang Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
III-V semiconductors;
heterojunction bipolar transistors;
cooling;
thermal conductivity;
ion implantation;
semiconductor doping;
planar processing;
InP DHBTs;
integration capabilities;
heat dissipation;
large-scale device integration;
I;
47.
Ultrafast carrier trapping and recombination in high resistivity ion implanted InP
机译:
高电阻率离子注入InP中的超快载流子捕获和重组
作者:
Gaarder A.
;
Marcinkevicius S.
;
Carmody C.
;
Tan H.H.
;
Jagadish C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
III-V semiconductors;
iron;
phosphorus;
ion implantation;
electrical resistivity;
hole traps;
electron-hole recombination;
annealing;
ultrafast carrier trapping;
carrier recombination;
high resistivity ion implanted InP;
annealing;
resi;
48.
Ultrafast recovery times and increased absorption nonlinearity in InGaAsP MQW saturable absorbers implanted at 200/spl deg/C
机译:
在200 / spl deg / C下注入的InGaAsP MQW饱和吸收体的超快恢复时间和增加的吸收非线性
作者:
Pantouvaki
;
M.
;
Gwilliam
;
R.
;
Burr
;
E.P.
;
Krysa
;
A.B.
;
Roberts
;
J.S.
;
Seeds
;
A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2003. International Conference on》
|
2003年
关键词:
indium compounds;
gallium arsenide;
optical saturable absorption;
semiconductor quantum wells;
ion implantation;
annealing;
III-V semiconductors;
high-speed optical techniques;
InGaAsP MQW saturable absorbers;
increased absorption nonlinearity;
ultrafast;
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