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Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International

召开年：2003
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1.A method to comprehend the impact of interconnect coupling effects on gate oxide reliability

机译：理解互连耦合效应对栅极氧化物可靠性的影响的方法
- 作者：Mutlu A.A.;Aminzadeh P.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
2.A proper lifetime-prediction method of PMOSFET with 1.1 nm gate dielectrics in the lower testing voltage region

机译：在较低测试电压范围内具有1.1 nm栅极电介质的PMOSFET的正确寿命预测方法
- 作者：Tamura N.;Kase M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
3.A study on GaAs FET's failure mechanism and experimental technology of rapid evaluation of reliability

机译：GaAs FET失效机理及可靠性快速评估实验技术研究
- 作者：Li Zhiguo;Song Zengchao;Cheng Yaohai;Xuan Jiuxia;Zhou Zhongrong;Zhang Wanrong;Sun Dapeng;Gao Guangbo
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
4.Advanced getter solutions at wafer level to assure high reliability to the last generations MEMS

机译：晶圆级先进的吸气剂解决方案，以确保对上一代MEMS的高度可靠性
- 作者：Moraja M.;Amiotti M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
5.ARET for system-level IC reliability simulation

机译：用于系统级IC可靠性仿真的ARET
- 作者：Xiangdong Xuan;Chatterjee A.;Singh A.D.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
6.DBIE shape and hardness dependence on gate oxide breakdown location in MOSFET channel

机译：DBIE形状和硬度对MOSFET沟道中栅极氧化物击穿位置的依赖性
- 作者：Pey K.L.;Tung C.H.;Radhakrishnan M.K.;Tang L.J.;Lin W.H.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
7.Defect based testing with a new ISB current strategy

机译：使用新的ISB当前策略进行基于缺陷的测试
- 作者：Lisenker B.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
8.Defect passivation and dark count in Geiger-mode avalanche photodiodes

机译：盖革模式雪崩光电二极管的缺陷钝化和暗计数
- 作者：Jackson J.C.;Healy G.;Kelleher A.-M.;Alderman J.;Donnelly J.;Hurley P.K.;Morrison A.P.;Mathewson A.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
9.Design optimization of N-LDMOS transistor arrays for hot carrier lifetime enhancement

机译：N-LDMOS晶体管阵列的设计优化，以提高热载流子寿命
- 作者：Brisbin D.;Strachan A.;Chaparala P.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
10.Drain avalanche breakdown and gate instabilities in 4H-SiC MESFETs

机译：4H-SiC MESFET中的漏极雪崩击穿和栅极不稳定性
- 作者：Hongliang Lv;Yimen Zhang;Yuming Zhang
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
11.Effect of current distribution on the reliability of multi-terminal Cu dual-damascene interconnect trees

机译：电流分布对多端子铜双镶嵌互连树可靠性的影响
- 作者：Chee Lip Gan;Thompson C.V.;Kin Leong Pey;Wee Kiong Choi;Choon Wai Chang;Qiang Guo
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
12.Experimental study and modeling of the temperature dependence of soft breakdown conduction in ultrathin gate oxides

机译：超薄栅氧化物中软击穿传导的温度依赖性实验研究与建模
- 作者：Avellan A.;Miranda E.;Sell B.;Krautschneider W.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
13.FIB-induced deposition of conducting material with intermediate resistivity for design debugging

机译：FIB诱导的具有中等电阻率的导电材料沉积，用于设计调试
- 作者：Gu G.Y.;Bassom N.J.;Casey J.D. Jr.;Scipioni L.;Saxonis A.;Huynh C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
14.Localization and analysis of functional failures in deep submicron advanced ASIC products

机译：深亚微米高级ASIC产品中功能故障的定位和分析
- 作者：Rubin M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
15.Process qualification strategy for advanced embedded non-volatile memory technology - the Philips 0.18 /spl mu/m embedded flash case

机译：高级嵌入式非易失性存储器技术的工艺鉴定策略-Philips 0.18 / spl mu / m嵌入式闪存盒
- 作者：Guoqiao Tao;Scarpa;A.;van Dijk;K.;Kuper;F.G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
16.Real case studies of failure mechanisms for Cu trench electromigration

机译：铜沟槽电迁移破坏机理的真实案例研究
- 作者：Lai J.B.;Yang J.L.;Yang H.W.;Hwang R.L.;Su D.;Chuang H.;Huang Y.S.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
17.Semiconductor reliability challenges from the fabless company perspective

机译：从无晶圆厂公司的角度来看半导体可靠性挑战
- 作者：Kole T.M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
18.TDDB and voltage-ramp reliability of SiC-base dielectric diffusion barriers in Cu/low-k interconnects

机译：Cu / low-k互连中SiC基介电扩散势垒的TDDB和电压斜坡可靠性
- 作者：Jow K.;Alers G.B.;Sanganeria M.;Harm G.;Fu H.;Tang X.;Kooi G.;Ray G.W.;Danek M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
19.Temperature dependent current and charge trapping in thick SiO/sub 2//ZrO/sub 2/ stacks

机译：厚SiO / sub 2 // ZrO / sub 2 /堆叠中与温度相关的电流和电荷陷阱
- 作者：Blomme P.;Govoreanu B.;Van Houdt J.;De Meyer K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
20.The study of compressive and tensile stress on MOSFET's I-V, C-V characteristics and it's impacts on hot carrier injection and negative bias temperature instability

机译：研究压应力和拉伸应力对MOSFET I-V，C-V特性的影响及其对热载流子注入和负偏置温度不稳定性的影响
- 作者：Shih J.R.;Wang J.J.;Ken W.;Yeng Peng;Yue J.T.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
21.Time and voltage dependence of degradation and recovery under pulsed negative bias temperature stress

机译：脉冲负偏压温度应力下降解和恢复的时间和电压依赖性
- 作者：Usui H.;Kanno M.;Morikawa T.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
22.Transient effects and characterization methodology of negative bias temperature instability in pMOS transistors

机译：pMOS晶体管中负偏置温度不稳定性的瞬态效应和表征方法
- 作者：Ershov M.;Lindley R.;Saxena S.;Shibkov A.;Minehane S.;Babcock J.;Winters S.;Karbasi H.;Yamashita T.;Clifton P.;Redford M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
23.Voltage-driven distribution of gate oxide breakdown

机译：电压驱动的栅极氧化层击穿分布
- 作者：Hiraiwa A.;Sakai S.;Ishikawa D.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
24.Wafer level reliability monitoring strategy of an advanced multi-process CMOS foundry

机译：先进的多工艺CMOS晶圆厂的晶圆级可靠性监控策略
- 作者：Scarpa A.;Tao G.;Kuper F.G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
25.Characterization of light emission from SiGe heterojunction bipolar transistor for photon emission microscopy applications

机译：SiGe异质结双极晶体管的光发射特性，用于光子发射显微镜应用
- 作者：Polonsky S.;Talalaevskii A.;McManus M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
26.Instrumentation for genome analysis (and beyond) based on the TI Digital Micromirror Device

机译：基于TI数字微镜设备的基因组分析仪器
- 作者：Garner H.R.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
27.Reliability characteristics of pHEMT resulting from electron interaction with interface states under the gate

机译：电子与栅极下的界面态相互作用产生的pHEMT的可靠性特征
- 作者：Milshtein S.;Ersland P.;Gil C.;Somisetty S.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
28.A device level negative feedback in the emitter line of SCR-structures as a method to realize latch-up free ESD protection

机译：SCR结构的发射极线中的设备级负反馈，作为一种实现无闩锁的ESD保护的方法
- 作者：Concannon A.;Vashchenko V.A.;ter Beek M.;Hopper P.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
29.A new I/O signal latchup phenomenon in voltage tolerant ESD protection circuits

机译：耐压ESD保护电路中的一种新的I / O信号闩锁现象
- 作者：Salcedo-Suner J.;Cline R.;Duvvury C.;Cadena-Hernandez A.;Ting L.;Schichl J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
30.Collapse of MOSFET drain current after soft breakdown and its dependence on the transistor aspect ratio W/L

机译：软击穿后MOSFET漏电流的塌陷及其对晶体管纵横比W / L的依赖性
- 作者：Cester A.;Cimino S.;Paccagnella A.;Ghidini G.;Guegan G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
31.Dynamic NBTI of PMOS transistors and its impact on device lifetime

机译：PMOS晶体管的动态NBTI及其对器件寿命的影响
- 作者：Chen G.;Chuah K.Y.;Li M.F.;Chan D.S.H.;Ang C.H.;Zheng J.Z.;Jin Y.;Kwong D.L.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
32.ESD challenges in magnetic recording: past, present and future

机译：磁记录中的ESD挑战：过去，现在和未来
- 作者：Wallash A.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
33.High resolution backside fault isolation technique using directly forming Si substrate into solid immersion lens

机译：直接将Si基板形成为固体浸没透镜的高分辨率背面故障隔离技术
- 作者：Koyama T.;Yoshida E.;Komori J.;Mashiko Y.;Nakasuji T.;Katoh H.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
34.Leakage, breakdown, and TDDB characteristics of porous low-k silica-based interconnect dielectrics

机译：多孔低k硅基互连电介质的泄漏，击穿和TDDB特性
- 作者：Ogawa E.T.;Jinyoung Kim;Haase G.S.;Mogul H.C.;McPherson J.W.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
35.Modeling of temperature dependent contact resistance for analysis of ESD reliability

机译：基于温度的接触电阻建模以分析ESD可靠性
- 作者：Kwang-Hoon Oh;Jung-Hoon Chun;Banerjee K.;Duvvury C.;Dutton R.W.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
36.New observance and analysis of various guard-ring structures on latch-up hardness by backside photo emission image

机译：背面光发射图像新观察和分析各种保护环结构的闩锁硬度
- 作者：Liao S.;Niou C.;Chien K.;Guo A.;Dong W.;Huang C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
37.Novel dielectric breakdown model of Hf-silicate with high temperature annealing

机译：高温退火H硅酸盐的新型介电击穿模型
- 作者：Yamaguchi T.;Ino T.;Satake H.;Fukushima N.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
38.On-chip monitoring of MEMS gear motion

机译：MEMS齿轮运动的片上监控
- 作者：Tanner D.M.;Swanson S.E.;Walraven J.A.;Dohner J.L.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
39.Practical WLRC methodology applications in a wafer foundry

机译：WLWL实用方法和在晶圆代工厂中的应用
- 作者：Chien W.T.K.;Shunwang Chiang;Summer Tseng;Huang C.H.J.;Yang K.;Wang W.;Zhou J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
40.Reliability qualification of a smart power technology for high temperature application based on physics-of-failure and risk opportunity assessment

机译：基于故障物理和风险与机会评估的高温应用智能电源技术的可靠性鉴定
- 作者：Preussger A.;Kanert W.;Gerling W.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
41.SiGe HBT performance and reliability trends through f/sub T/ of 350 GHz

机译：通过350 GHz f / sub T /的SiGe HBT性能和可靠性趋势
- 作者：Freeman;G.;Jae-Sung Rieh;Jagannathan;B.;Zhijian Yang;Guarin;F.;Joseph;A.;Ahlgren;D.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
42.Study of data retention for nanocrystal Flash memories

机译：纳米晶体闪存的数据保留研究
- 作者：Compagnoni C.M.;Ielmini D.;Spinelli A.S.;Lacaita A.L.;Previtali C.;Gerardi C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
43.Temperature dependence and conduction mechanism after analog soft breakdown

机译：模拟软击穿后的温度依赖性和传导机理
- 作者：Nigam T.;Martin S.;Abusch-Magder D.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
44.A study in flip-chip UBM/bump reliability with effects of SnPb solder composition

机译：SnPb焊料成分对倒装芯片UBM /凸点可靠性的影响研究
- 作者：Wu J.D.;Zheng P.J.;Lee C.W.;Hung S.C.;Lee J.J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
45.Automated PICA transistor channeling and spatial-temporal photon correlation for faster IC diagnosis

机译：自动PICA晶体管沟道和空时光子相关性，可更快地进行IC诊断
- 作者：Desplats R.;Beaudoin F.;Faggion G.;Jesson O.;Perdu P.;Leibowitz M.;Lundquist T.;Shah K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
46.Competing hot carrier degradation mechanisms in lateral n-type DMOS transistors

机译：横向n型DMOS晶体管中竞争性的热载流子退化机制
- 作者：Moens P.;Van den Bosch G.;Groeseneken G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
47.Evidence for defect-generation-driven wear-out of breakdown conduction path in ultra thin oxides

机译：缺陷生成驱动超薄氧化物中击穿传导路径磨损的证据
- 作者：Monsieur F.;Vincent E.;Ribes G.;Huard V.;Bruyere S.;Roy D.;Pananakakis G.;Ghibaudo G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
48.Increasing the ESD protection capability of over-voltage NMOS structures by comb-ballasting region design

机译：通过梳形镇流区域设计提高过压NMOS结构的ESD保护能力
- 作者：Vashchenko V.A.;Concannon A.;ter Beek M.;Hopper P.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
49.Moving current filaments in ESD protection devices and their relation to electrical characteristics

机译：ESD保护设备中的移动电流灯丝及其与电气特性的关系
- 作者：Pogany D.;Bychikhin S.;Gornik E.;Denison M.;Jensen N.;Groos G.;Stecher M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
50.The failure mechanism of high voltage tolerance IO buffer under ESD

机译：ESD下高耐压IO缓冲器的故障机理
- 作者：Jian-Hsing Lee;Shih J.R.;Wu Y.H.;Ong T.C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
51.Latchup in CMOS

机译：CMOS中的闩锁
- 作者：Morris W.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
52.Reliability issues and advanced failure analysis deprocessing techniques for copper/low-k technology

机译：铜缆/低介电常数技术的可靠性问题和先进的故障分析处理技术
- 作者：Huixian Wu;Cargo J.;Peridier C.;Serpiello J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
53.Effect of Al/sub 2/O/sub 3/ ALD nanocoatings on the thermo-mechanical behavior of Au/Si MEMS structures

机译：Al / sub 2 / O / sub 3 / ALD纳米涂层对Au / Si MEMS结构热机械行为的影响
- 作者：Gall K.;Dunn M.L.;Hulse M.;Finch D.;George S.M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
54.The influence of process and design of subcollectors on the ESD robustness of ESD structures and silicon germanium heterojunction bipolar transistors in a BiCMOS SiGe technology

机译：BiCMOS SiGe技术中子集电极的工艺和设计对ESD结构和硅锗异质结双极晶体管的ESD鲁棒性的影响
- 作者：Voldman S.H.;Lanzerotti L.;Ronan B.;St Onge S.;Dunn J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
55.A systematic approach to SER estimation and solutions

机译：SER估计和解决方案的系统方法
- 作者：Nguyen H.T.;Yagil Y.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
56.1/f noise degradation caused by Fowler-Nordheim tunneling stress in MOSFETs

机译：MOSFET中的Fowler-Nordheim隧道应力导致的1 / f噪声衰减
- 作者：Toita M.;Sugawa S.;Teramoto A.;Akaboshi T.;Imai H.;Ohmi T.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
57.A new approach to detect small-sized oxygen precipitates in Si wafers using reactive ion etching

机译：利用反应离子刻蚀检测硅晶片中小尺寸氧沉淀物的新方法
- 作者：Nakashima K.;Yoshida T.;Watanabe Y.;Mitsushima Y.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
58.A physical model of time-dependent dielectric breakdown in copper metallization

机译：铜金属化过程中随时间变化的介电击穿的物理模型
- 作者：Wen Wu;Xiaodong Duan;Yuan J.S.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
59.Abnormal gate oxide thickening at active edge with SiN-linered shallow trench isolation

机译：SiN衬里浅沟槽隔离使有源边缘处的栅氧化层异常增厚
- 作者：Kong-Soo Lee;Jae-Jong Ban;Seung-Mok Shin;Ki-Hyun Hwang;Seok-Woo Nam;Hyeon-Deok Lee;Chang-Lyong Song
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
60.Accurate reliability evaluation of non-uniform ultrathin oxynitride and high-k layers

机译：非均匀超薄氧氮化物和高k层的准确可靠性评估
- 作者：Roussel P.;Degraeve R.;Kerber A.;Pantisano L.;Groeseneken G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
61.An enhanced erase mechanism in flash memory and its implication on endurance reliability

机译：闪存中增强的擦除机制及其对耐久性可靠性的影响
- 作者：Tseng J.M.Z.;Larsen B.J.;Xiao Y.;Yount J.;Randazzo T.;Shore S.;Miller G.;Erickson D.A.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
62.An improved interface characterization technique for a full-range profiling of oxide damage in ultra-thin gate oxide CMOS devices

机译：用于超薄栅极氧化物CMOS器件中氧化物损伤的全范围分析的改进的界面表征技术
- 作者：Chen S.-J.;Lin T.-C.;Lo D.-K.;Yang J.-J.;Chung S.S.;Kao T.-Y.;Wang C.-J.;Peng Y.-K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
63.Analysis of quantum yield in n-channel MOSFETs

机译：n沟道MOSFET的量子产率分析
- 作者：Spinelli A.S.;Ielmini D.;Lacaita A.L.;Sebastian A.;Ghidini G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
64.Avalanche current induced hot carrier degradation in 200 GHz SiGe heterojunction bipolar transistors

机译：雪崩电流在200 GHz SiGe异质结双极晶体管中引起热载流子退化
- 作者：Zhijian Yang;Guarin F.;Hostetter E.;Freeman G.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
65.Bias acceleration model of drain resistance degradation in InP-based HEMTs

机译：InP基HEMT中漏极电阻退化的偏置加速模型
- 作者：Fukai Y.K.;Sugitani S.;Enoki T.;Kitabayashi H.;Makimura T.;Yamane Y.;Muraguchi M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
66.Board level solder reliability vs. ramp rate dwell time during temperature cycling

机译：在温度循环期间，板级焊料的可靠性与斜坡速率和停留时间的关系
- 作者：Zhai C.J.;Sidharth;Blish R. II
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
67.Characterization of the V/sub T/-instability in SiO/sub 2//HfO/sub 2/ gate dielectrics

机译：SiO / sub 2 // HfO / sub 2 /栅极电介质中V / sub T /-不稳定性的表征
- 作者：Kerber A.;Cartier E.;Pantisano L.;Rosmeulen M.;Degraeve R.;Kauerauf T.;Groeseneken G.;Maes H.E.;Schwalke U.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
68.Contribution of device simulation to SER understandfng

机译：设备仿真对SER理解的贡献
- 作者：Palau J.-M.;Calvet M.-C.;Dodd P.E.;Sexton F.W.;Roche P.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
69.Degradation of tunnel oxide by FN current stress and its effects on data retention characteristics of 90 nm NAND flash memory cells

机译：FN电流应力对隧道氧化物的降解及其对90 nm NAND闪存单元数据保留特性的影响
- 作者：Jae-Duk Lee;Jeong-Hyuk Choi;Donggun Park;Kinam Kim
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
70.Detailed investigation of the transient local tunneling in gate oxides

机译：详细研究栅极氧化物中的瞬态局部隧穿
- 作者：Beug M.F.;Ferretti R.;Hofmann K.R.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
71.DRAM reliability characterization by using dynamic operation stress in wafer burn-in mode

机译：通过在晶圆老化模式下使用动态操作应力来表征DRAM的可靠性
- 作者：Il-Gweon Kim;Se-Kyeong Choi;Jin-Hyeok Choi;Joo-Seog Park
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
72.Dynamic reliability characteristics of ultra-thin HfO/sub 2/

机译：超薄HfO / sub 2 /的动态可靠性特征
- 作者：Kim Y.H.;Onishi K.;Kang C.S.;Choi R.;Cho H.-J.;Krishnan S.;Shahriar A.;Lee J.C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
73.Dynamic substrate resistance snapback triggering of ESD protection devices

机译：ESD保护器件的动态衬底电阻骤回触发
- 作者：Vassilev V.;Groeseneken G.;Steyaert M.;Maes H.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
74.Effect of programming biases on the reliability of CHE and CHISEL flash EEPROMs

机译：编程偏置对CHE和CHISEL闪存EEPROM可靠性的影响
- 作者：Mohapatra N.R.;Mahapatra S.;Rao V.R.;Shukuri S.;Bude J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
75.Effects of operating conditions on DMD hinge memory lifetime

机译：工作条件对DMD铰链记忆寿命的影响
- 作者：Sontheimer A.B.;Mehrl D.J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
76.Electromigration improvement with PDL TiN(Si) barrier in copper dual damascene structures

机译：PDL TiN（Si）势垒在铜双镶嵌结构中的电迁移改善
- 作者：Alers G.B.;Vijayendran A.;Gillespie P.;Chen L.;Cox H.;Lam K.;Augur R.;Shannon K.;Pfeifer S.;Danek M.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
77.Evidence for hydrogen-related defects during NBTl stress in p-MOSFETs

机译：p-MOSFET中NBT1应力期间氢相关缺陷的证据
- 作者：Huard V.;Monsieur F.;Ribes G.;Bruyere S.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
78.HSG storage capacitor dielectric reliability of 0.13 /spl mu/m embedded DRAM CMOS technology

机译：HSG存储电容器的介电可靠性为0.13 / spl mu / m嵌入式DRAM CMOS技术
- 作者：Bruyere;S.;Roy;D.;Jacques;D.;Boccaccio;C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
79.Leakage behavior and reliability assessment of tantalum oxide dielectric MIM capacitors

机译：氧化钽电介质MIM电容器的泄漏行为和可靠性评估
- 作者：Remmel T.;Ramprasad R.;Walls J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
80.Negative substrate bias enhanced breakdown hardness in ultra-thin oxide pMOSFETs

机译：负衬底偏置提高了超薄氧化物pMOSFET的击穿硬度
- 作者：Tahui Wang;Tsai C.W.;Chen M.C.;Chan C.T.;Chiang H.K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
81.Neutron-induced latchup in SRAMs at ground level

机译：中子引起的SRAM接地闩锁
- 作者：Dodd P.E.;Shaneyfelt M.R.;Schwank J.R.;Hash G.L.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
82.On the use of highly accelerated electromigration tests (SWEAT) on copper

机译：关于在铜上使用高度加速的电迁移测试（SWEAT）
- 作者：Zitzelsberger A.;Bauer R.;von Hagen J.;Penka S.;Pietsch A.;Ungar F.;Walter W.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
83.Reliability and electric properties for PECVD a-SiN/sub x/:H films with an optical band-gap ranging from 2.5 to 5.38 eV

机译：带隙范围为2.5至5.38 eV的PECVD a-SiN / sub x /：H膜的可靠性和电性能
- 作者：van Delden;M.H.W.M.;van der Wel;P.J.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
84.Soft breakdown in thin gate oxide - a measurement artifact

机译：薄栅氧化层中的软击穿-测量伪影
- 作者：Cheung K.P.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
85.Stress-induced voiding and its geometry dependency characterization

机译：应力诱导的空洞及其几何相关性表征
- 作者：Doong K.Y.Y.;Wang R.C.J.;Lin S.C.;Hung L.J.;Chiu C.C.;Su D.;Wu K.;Young K.L.;Peng Y.K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
86.The effect of low-k ILD on the electromigration reliability of Cu interconnects with different line lengths

机译：低k ILD对不同线长的Cu互连的电迁移可靠性的影响
- 作者：Hau-Riege C.S.;Marathe A.P.;Van Pham
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
87.The influence of the SiN cap process on the electromigration and stressvoiding performance of dual damascene Cu interconnects

机译：SiN盖工艺对双镶嵌铜互连的电迁移和避免应力性能的影响
- 作者：von Glasow A.;Fischer A.H.;Bunel D.;Friese G.;Hausmann A.;Heitzsch O.;Hommel M.;Kriz J.;Penka S.;Raffin P.;Robin C.;Sperlich H.-P.;Ungar F.;Zitzelsberger A.E.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
88.Wheatstone bridge method for electromigration study of solder balls in flip-chip packages

机译：惠斯通电桥法用于倒装芯片封装中锡球的电迁移研究
- 作者：Min Ding;Matsuhashi H.;Ho P.S.;Marathe A.;Master R.;Van Pham
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
89.A 90 nm CMOS technology with modular quadruple gate oxides for advanced SoC applications

机译：具有模块化四重栅极氧化物的90 nm CMOS技术，适用于高级SoC应用
- 作者：Mirabedini M.R.;Gopinath V.P.;Kamath A.;Lee M.Y.;Hsia W.J.;Hornback V.;Le Y.;Badowski A.;Baylis B.;Li E.;Prasad S.;Kobozeva O.;Haywood J.;Catabay W.;Yeh W.C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
90.A phenomenological theory of correlated multiple soft-breakdown events in ultra-thin gate dielectrics

机译：与超薄栅极电介质相关的多个软击穿事件相关的现象学理论
- 作者：Alam M.A.;Smith R.K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
91.A simple model for the mode II popcorn effect in thin plastic IC packages

机译：薄塑料IC封装中II型爆米花效应的简单模型
- 作者：Alpern P.;Lee K.C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
92.Correlation of the V/sub T/ drift in a-Si:H TFT to the optically observed flicker increase in AMLCD

机译：a-Si：H TFT中V / sub T /漂移与AMLCD中光学观察到的闪烁增加的相关性
- 作者：Chung-Che Huang;Constable;J.;Yost;B.;Greene;R.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
93.Behavior of NBTI under AC dynamic circuit conditions

机译：NBTI在交流动态电路条件下的行为
- 作者：Abadeer W.;Ellis W.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
94.Challenges of testing high-volume, low-cost 8-bit microcontrollers

机译：测试大容量，低成本8位微控制器的挑战
- 作者：Stout M.;Tumin K.;Vargas C.;Gotchall B.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
95.Consistency of optical data from PICA

机译：来自PICA的光学数据的一致性
- 作者：Lundquist T.;Le Coupanec P.;Abraham A.;Ng W.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
96.Cu-ion-migration phenomena and its influence on TDDB lifetime in Cu metallization

机译：Cu金属化过程中Cu离子迁移现象及其对TDDB寿命的影响
- 作者：Noguchi J.;Miura N.;Kubo M.;Tamaru T.;Yamaguchi H.;Hamada N.;Makabe K.;Tsuneda R.;Takeda K.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
97.Evaluation of the positive biased temperature stress stability in HfSiON gate dielectrics

机译：HfSiON栅介质中正偏压温度应力稳定性的评估
- 作者：Shanware A.;Visokay M.R.;Chambers J.J.;Rotondaro A.L.P.;Bu H.;Bevan M.J.;Khamankar R.;Aur S.;Nicollian P.E.;McPherson J.;Colombo L.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
98.Impact of scaling on the high current behavior of RF CMOS technology

机译：缩放比例对RF CMOS技术的高电流行为的影响
- 作者：Boselli G.;Reddy V.;Duvvury C.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
99.Internal behavior of BCD ESD protection devices under very-fast TLP stress

机译：BCD ESD保护器件在非常快的TLP压力下的内部行为
- 作者：Blaho M.;Pogany D.;Gornik E.;Zullino L.;Morena E.;Stella R.;Andreini A.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年
100.Laser interaction with SiCr thin film resistors: 'the bubble theory'

机译：激光与SiCr薄膜电阻器的相互作用：“气泡理论”
- 作者：Coyne E.
- 会议名称：《Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual. 2003 IEEE International》 | 2003年