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2010 IEEE International SOI Conference
2010 IEEE International SOI Conference
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1.
Committee
机译:
委员会
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
2.
Title page
机译:
封面
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
3.
Design of millimeter-wave mixed signal circuits in 45nm SOI CMOS
机译:
45nm SOI CMOS毫米波混合信号电路设计
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
4.
Suppression of DIBL and current-onset voltage variability in intrinsic channel fully depleted SOI MOSFETs
机译:
本征沟道完全耗尽的SOI MOSFET的DIBL抑制和电流启动电压可变性
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
5.
High-frequency characterization of intrinsic FinFET channel
机译:
本征FinFET通道的高频特性
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
6.
Analysis of SOI MOSFET physics for compact modeling
机译:
紧凑建模的SOI MOSFET物理分析
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
7.
Impact of back-gate biasing on ultra-thin silicon-on-insulator-based nanoribbon sensors
机译:
背栅偏置对基于绝缘体上超薄硅的纳米带传感器的影响
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
8.
SOI-enabled three-dimensional integrated-circuit technology
机译:
支持SOI的三维集成电路技术
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
9.
Single trench isolation for a 650 V SOI technology with low mechanical stress
机译:
具有低机械应力的650 V SOI技术的单沟槽隔离
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
10.
Ultra low power, harsh environment SOI-CMOS design of temperature sensor based threshold detection and wake-up IC
机译:
基于温度传感器的阈值检测和唤醒IC的超低功耗,恶劣环境SOI-CMOS设计
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
11.
Photonic integrated circuits in silicon-on-insulator
机译:
绝缘体上硅中的光子集成电路
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
12.
Hybrid silicon lasers: Integration of III–V and silicon photonics using wafer bonding
机译:
混合硅激光器:使用晶圆键合将III–V和硅光子集成
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
13.
Total dose radiation response of a 45nm SOI Technology
机译:
45nm SOI技术的总剂量辐射响应
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
14.
Finishing of silicon film for silicon-on-glass
机译:
玻璃上硅膜的硅膜涂饰
作者:
Usenko A.
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
15.
The use of high resolution haze for control of SOI surface roughness in a volume production environment
机译:
在批量生产环境中使用高分辨率雾度控制SOI表面粗糙度
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
16.
Total-ionizing-dose radiation response of partially-depleted SOI devices
机译:
部分耗尽的SOI器件的总电离剂量辐射响应
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
17.
Comparing Single Event Upset sensitivity of bulk vs. SOI based FinFET SRAM cells using TCAD simulations
机译:
使用TCAD仿真比较基于体积和基于SOI的FinFET SRAM单元的单事件翻转灵敏度
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
18.
Ultra thin fully depleted active pixel sensors processed on SOI wafers
机译:
在SOI晶圆上处理的超薄全耗尽有源像素传感器
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
19.
Non-planar device architecture for 15nm node: FinFET or trigate?
机译:
15纳米节点的非平面器件架构:FinFET还是三栅极?
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
20.
High-performance ultra-low power junctionless nanowire FET on SOI substrate in subthreshold logic application
机译:
亚阈值逻辑应用中SOI衬底上的高性能超低功率无结纳米线FET
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
21.
General chair's message
机译:
董事长致辞
作者:
Mazure Carlos
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
22.
Paths to energy efficient ICs
机译:
节能IC的途径
作者:
Hu Chenming
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
23.
Disruptive ultra-low-power SOI CMOS circuits towards μW medical sensor implants
机译:
面向μW医疗传感器植入物的破坏性超低功耗SOI CMOS电路
作者:
Gosset Geoffroy
;
Bol David
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
24.
High temperature RF behavior of SOI MOSFET transistors for low power low voltage applications
机译:
SOI MOSFET晶体管在低功率低压应用中的高温RF特性
作者:
Emam M.
;
Vanhoenacker-Janvier D.
;
Raskin J.-P.
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
25.
ESD robustness of FDSOI gated diode for ESD network design: Thin or thick BOX?
机译:
用于ESD网络设计的FDSOI栅二极管的ESD稳定性:BOX是薄还是厚?
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
26.
Field Effect Resistor, a single-device-at-pad solution for ESD protection in deeply scaled SOI technology
机译:
场效应电阻器,一种单器件焊盘式解决方案,用于深度扩展的SOI技术中的ESD保护
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
27.
Investigation of hysteresis memory effects in SOI FinFETs with ONO buried insulator
机译:
具有ONO埋入绝缘体的SOI FinFET中的磁滞记忆效应研究
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
28.
Independently-controlled-Gate FinFET Schmitt Trigger sub-threshold SRAMs
机译:
独立控制的门FinFET施密特触发器亚阈值SRAM
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
29.
Scaling floating-body DRAM: Rationale for a refined 2T Cell
机译:
缩放浮体DRAM:精制2T单元的原理
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
30.
Reliability study in capacitor less 1T-RAM cells on SOI
机译:
SOI上较少电容器的1T-RAM单元的可靠性研究
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
31.
Characterization of novel TiN/HfO
2
metal insulator semiconductor stack for 32nm eDRAM
机译:
用于32nm eDRAM的新型TiN / HfO
2 inf>金属绝缘体半导体叠层的表征
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
关键词:
Deep trench (DT);
HfOinf2/inf;
TiN;
capacitance;
capacitor;
eDRAM;
leakage;
32.
Electrical and thermal characterization of 150 mm Silicon-on-polycrystalline-Silicon Carbide hybrid substrates
机译:
150 mm多晶硅-碳化硅混合衬底的电学和热学表征
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
33.
Investigation of kink-induced excess RF channel noise in sub -50 nm PD-SOI MOSFETs
机译:
-50 nm以下PD-SOI MOSFET中扭结引起的多余RF通道噪声的研究
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
34.
Optimization of RTA process for PVD-TiN gate FinFETs
机译:
PVD-TiN栅极FinFET的RTA工艺的优化
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
35.
Electrical characterization of SOI solar cells in a wide temperature range
机译:
SOI太阳能电池在宽温度范围内的电特性
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
36.
Ultra-low dropout linear regulator using an SOI MESFET
机译:
使用SOI MESFET的超低压降线性稳压器
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
37.
Forward block characteristic of a novel RF SOI LDMOS with a buried P-type layer
机译:
具有掩埋P型层的新型RF SOI LDMOS的正向阻挡特性
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
关键词:
RF SOI LDMOS;
buried P-type layer (BPL);
forward block;
thin buried oxide;
38.
Parasitic back-inferface conduction in planar and triple-gate SOI transistors
机译:
平面和三栅极SOI晶体管中的寄生背界面传导
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
39.
Fin shape influence on the analog performance of standard and strained MuGFETs
机译:
鳍形对标准和应变MuGFET的模拟性能的影响
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
40.
Comparison between the behavior of submicron graded-channel SOI nMOSFETs with fully- and partially-depleted operations in a wide temperature range
机译:
在宽温度范围内具有完全耗尽和部分耗尽操作的亚微米渐变沟道SOI nMOSFET的性能比较
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
41.
Effects of HfSiO nitridation and TiN metal gate thickness on p- and n-SOI MuGFETs for analog applications
机译:
HfSiO氮化和TiN金属栅极厚度对p-和n-SOI MuGFET的模拟应用的影响
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
42.
Mobility improvement in nanowire junctionless transistors by uniaxial strain
机译:
单轴应变改善纳米线无结晶体管的迁移率
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
43.
Non-linear analysis of n-type Schottky-Barrier MOSFETs
机译:
n型肖特基势垒MOSFET的非线性分析
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
44.
Evaluation of static noise margin and performance of 6T FinFET SRAM cells with asymmetric gate to source/drain underlap devices
机译:
栅极到源极/漏极非对称重叠器件的6T FinFET SRAM单元的静态噪声容限和性能评估
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
45.
Analog operation of junctionless transistors at cryogenic temperatures
机译:
低温下无结晶体管的模拟操作
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
46.
Performance characterization of PD-SOI ring oscillators at cryogenic temperatures
机译:
PD-SOI环形振荡器在低温下的性能表征
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
47.
Numerically controlled sacrificial plasma oxidation using array of electrodes for improving thickness uniformity of SOI
机译:
使用电极阵列的数控牺牲等离子体氧化,以提高SOI的厚度均匀性
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
48.
Analog image processing circuit with 0.25µm CMOS compatible SOS MESFETs
机译:
具有0.25µm CMOS兼容SOS MESFET的模拟图像处理电路
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
49.
A metrology of silicon film thermal conductivity using micro-Raman spectroscopy
机译:
硅膜导热系数的微拉曼光谱测量
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
50.
Novel characterization of fully-depleted GeOI pMOSFET by magnetoresistance
机译:
利用磁阻对全耗尽型GeOI pMOSFET进行新颖的表征
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
51.
FDSOI metal gate transistors for ultra low power subthreshold operation
机译:
FDSOI金属栅极晶体管,用于超低功耗亚阈值操作
会议名称:
《》
|
2010年
52.
High performance and low variability fully-depleted strained-SOI MOSFETs
机译:
高性能和低可变性的全耗尽应变SOI MOSFET
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
53.
An all digital frequency-locked loop immune to hysteresis effects for power management of multicore processors
机译:
全数字锁相环不受磁滞影响,可用于多核处理器的电源管理
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
54.
Timing verification of a 45nm SOI standard cell library
机译:
45nm SOI标准单元库的时序验证
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
55.
Embedded memory considerations in SOI
机译:
SOI中的嵌入式内存注意事项
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
56.
Stacked devices for SEU immune design
机译:
用于SEU免疫设计的堆叠式设备
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
57.
SOI CMOS technology for wireless applications: Current trends and perspectives
机译:
用于无线应用的SOI CMOS技术:当前趋势和观点
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
58.
Compound semiconductors on silicon for future generation VLSI
机译:
用于下一代VLSI的硅化合物半导体
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
59.
Engineering a solution to jupiter exploration
机译:
设计木星探索的解决方案
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
60.
Integrated radiation image sensors with SOI technology
机译:
采用SOI技术的集成辐射图像传感器
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
61.
Introduction and history
机译:
简介和历史
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
62.
Growth of epitaxial silicon-on-insulator substrates by solid state epitaxy
机译:
固态外延生长外延绝缘体上硅衬底
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
63.
HiSIM-SOI: Complete surface-potential-based model valid for all SOI-structure types
机译:
HiSIM-SOI:完整的基于表面电势的模型对所有SOI结构类型均有效
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
64.
Author Index
机译:
作者索引
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
65.
Design and evaluation of SOI devices for radiation environments
机译:
辐射环境下SOI器件的设计和评估
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
66.
Development of self-assembled 3-D integration technology and study of microbump and TSV induced stress in thinned chip/wafer
机译:
自组装3D集成技术的发展以及薄芯片/晶片中微凸点和TSV引起的应力的研究
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
67.
Self-heating effect and characteristic variability of gate-all-around silicon nanowire transistors for highly-scaled CMOS technology (invited)
机译:
用于大规模CMOS技术的全栅硅纳米线晶体管的自热效应和特性变异性(受邀)
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
68.
Extremely thin SOI (ETSOI) technology: Past, present, and future
机译:
超薄SOI(ETSOI)技术:过去,现在和未来
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
69.
An SOI technology optimized ASIC design system
机译:
SOI技术优化的ASIC设计系统
会议名称:
《2010 IEEE International SOI Conference》
|
2010年
关键词:
application specific integrated circuits;
custom logic;
design system;
power;
silicon on insulator;
very-large-scale integration;
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