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SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference
SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference
召开年:
2014
召开地:
Millbrae,?CA(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
28 FDSOI RF Figures of Merit down to 4.2 K
机译:
28 FDSOI RF数字的优点下降至4.2 k
作者:
L. Nyssens
;
A. Halder
;
B. Kazemi Esfeh
;
N. Planes
;
D. Flandre
;
V. Kilchytska
;
J.-P. Raskin
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Radio frequency;
Logic gates;
Silicon-on-insulator;
MOSFET;
Cryogenics;
Equivalent circuits;
Temperature distribution;
2.
HfZrO Ferroelectric Characterization and Parameterization of Response to Arbitrary Excitation Waveform
机译:
Hfzro铁电特征与响应任意激励波形的参数化
作者:
Md Nur K. Alam
;
M. Thesberg
;
B. Kaczer
;
Ph. Roussel
;
B. Vermeulen
;
B. Truijen
;
M. I. Popovici
;
L.-Å Ragnarsson
;
A. S. Verhulst
;
N. Horiguchi
;
M. Heyns
;
J. Van Houdt
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Iron;
Switches;
Capacitors;
Steady-state;
Velocity measurement;
Integrated circuit modeling;
Data models;
3.
Microfluidic Cooling for 3D-IC with 3D Printing Package
机译:
3D-IC的微流体冷却3D打印包装
作者:
Jun-Han Han
;
Karina Torres-Castro
;
Robert E. West
;
Walter Varhue
;
Nathan Swami
;
Mircea Stan
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Cooling;
Coolants;
Microfluidics;
Heating systems;
Microchannels;
Three-dimensional displays;
Fluids;
4.
Evaluating Negative Capacitance Technology for RF MOS Varactors
机译:
评估RF MOS变容仪的负电容技术
作者:
Girish Pahwa
;
Amit Agarwal
;
Yogesh Singh Chauhan
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Capacitance;
Voltage-controlled oscillators;
Tuning;
Logic gates;
Varactors;
Reactive power;
Q-factor;
5.
Potential of a novel double-sided fully-depleted silicon-on-insulator CMOS architecture for the next-generation monolithic 3D CPUs and SOCs
机译:
一种新颖的双面全耗尽硅的绝缘体CMOS架构,用于下一代单片3D CPU和SOC
作者:
Ahmad Houssam Tarakji
;
Nirmal Chaudhary
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Three-dimensional displays;
Logic gates;
Transistors;
Semiconductor device modeling;
Two dimensional displays;
Integrated circuit interconnections;
Solid modeling;
6.
Advances in 3D Heterogeneous Structures and Integration for Future ICs (Invited)
机译:
3D异构结构的进步和未来IC(邀请)的集成
作者:
Cheng Li
;
Feilong Zhang
;
Mengfu Di
;
Zijin Pan
;
Albert Wang
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Electrostatic discharges;
Integrated circuits;
Inductors;
Three-dimensional displays;
Metals;
Crosstalk;
Switching circuits;
7.
Degradation of Sub-Threshold Slope in Ultra-Scaled MOSFETs due to Energy Filtering at Source Contact
机译:
由于源触点的能量滤波,超缩放MOSFET中子阈值斜率的劣化
作者:
J. Saltin
;
N. C. Dao
;
P. H. W. Leong
;
H. Y. Wong
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Nanowires;
Schottky barriers;
Scattering;
Tunneling;
Metals;
Logic gates;
Filtering;
8.
A Line TFET design employing Tri-line-gate architecture and U-shaped pockets for minimizing drain field effects
机译:
采用三线栅极架构和U形口袋的线路TFET设计,以最大限度地减少排水场效应
作者:
Ashita
;
Sajad A. Loan
;
Mohammad Rafat
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Tunneling;
Junctions;
Doping;
Photonic band gap;
Data models;
Boosting;
9.
Characterization Challenges and Solutions for FDSOI Technologies
机译:
FDSOI技术的特征挑战与解决方案
作者:
Tomasz Brozek
;
Meindert Lunenborg
;
Franck Arnaud
;
Roberto Gonella
;
Jean-Christophe Giraudin
;
Christian Dutto
;
Bertrand Martinet
;
Laurent Garchery
;
Christopher Hess
;
Kelvin Doong
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Silicon-on-insulator;
Transistors;
Monitoring;
Mass production;
Silicon;
Tools;
Performance evaluation;
10.
Influence of source-drain engineering and temperature on split-capacitance characteristics of FDSOI p-i-n gated diodes
机译:
源排水工程与温度对FDSOI P-IN界面二极管分裂特性的影响
作者:
K. R. A. Sasaki
;
C. Navarro
;
M. Bawedin
;
F. Andrieu
;
J. A. Martino
;
S. Cristoloveanu
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Capacitance;
Logic gates;
TFETs;
Films;
Silicon;
Silicon-on-insulator;
Temperature measurement;
11.
Transport in TriGate nanowire FET: Cross-section effect at the nanometer scale
机译:
Trigate纳米线FET的运输:纳米尺度的横截面效果
作者:
J. Pelloux-Prayer
;
M. Cassé
;
S. Barraud
;
F. Triozon
;
Z. Zeng
;
Y.-M. Niquet
;
J.-L. Rouvière
;
G. Reimbold
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Transistors;
Temperature measurement;
Rough surfaces;
Surface roughness;
Scattering;
Electron mobility;
Phonons;
12.
Modeling the impact of the vertical doping profile on FinFET SRAM VT mismatch
机译:
模拟垂直掺杂型材对Finfet SRAM VT失配的影响
作者:
David Burnett
;
Xusheng Wu
;
Seong-Yeol Mun
;
Shesh Pandey
;
Manfred Eller
;
Sanjay Parihar
;
Sri Samavedam
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Doping;
Semiconductor process modeling;
Random access memory;
Logic gates;
FinFETs;
Data models;
13.
A 1.95GHz 28dBm fully integrated packaged power amplifier presenting a 3G FOM of 80 (PAE+ACLR) designed in H9SOIFEM CMOS 130nm: Development of an optimized high performances RF SOI power cell
机译:
1.95GHz 28dBm完全集成的封装功率放大器,呈现在H9SOIFEM CMOS 130NM中设计的80(PAE + ACLR)的3G FOM:开发优化的高性能RF SOI电池
作者:
Vincent Knopik
;
Guillaume Bertrand
;
Augustin Monroy
;
Sylvie Gachon
;
Julien Morelle
;
Philippe Cathelin
;
Benoit Butaye
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Transistors;
Radio frequency;
Power amplifiers;
Power transistors;
Topology;
Load modeling;
Semiconductor device modeling;
14.
Impact of the low temperature operation on long channel strained Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes
机译:
低温操作对STI第一和最后一个工艺制造的长通道应变GE PFinFET的影响
作者:
Alberto Vinícius de Oliveira
;
Eddy Simoen
;
Paula Ghedini Der Agopian
;
Jo?o Antonio Martino
;
Jér?me Mitard
;
Liesbeth Witters
;
Nadine Collaert
;
Aaron Thean
;
Cor Claeys
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Substrates;
Logic gates;
Silicon;
Strain;
Silicon germanium;
Performance evaluation;
Germanium;
15.
Design, fabrication, and characterization of ultralow current operational-amplifier in the weak inversion mode in XFAB-XT018 technology
机译:
在XFAB-XT018技术中弱反转模式下超级电流运算放大器的设计,制造和表征
作者:
Farzin Akbar
;
Marco Ramsbeck
;
Elias Kogel
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Temperature measurement;
MOSFET;
Threshold voltage;
Voltage measurement;
Gain;
16.
Correlations between plasma induced damage and negative bias temperature instability in 65 nm bulk and thin-BOX FDSOI processes
机译:
65nm散装和薄箱FDSOI工艺中等离子体诱导损伤与负偏置温度不稳定性之间的相关性
作者:
Ryo Kishida
;
Kazutoshi Kobayashi
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
Silicon-on-insulator;
Logic gates;
Degradation;
Correlation;
Antenna measurements;
17.
Impact of InxGa1?x composition and source Zn diffusion temperature on intrinsic voltage gain in InGaAs TFETs
机译:
Inxga1的影响和源Zn扩散温度对Ingaas TFET中的内在电压增益
作者:
C. Bordallo
;
J. Martino
;
P. Agopian
;
A. Alian
;
Y. Mois
;
R. Rooyackers
;
A. Vandooren
;
A. Verhulst
;
E. Simoen
;
C. Claeys
;
N. Collaert
;
A. Thean
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
TFETs;
Zinc;
Tunneling;
Indium gallium arsenide;
Temperature dependence;
Photonic band gap;
18.
Challenges and opportunities of vertical FET devices using 3D circuit design layouts
机译:
使用3D电路设计布局垂直FET器件的挑战和机遇
作者:
A. Veloso
;
T. Huynh-Bao
;
E. Rosseel
;
V. Paraschiv
;
K. Devriendt
;
E. Vecchio
;
C. Delvaux
;
B. T. Chan
;
M. Ercken
;
Z. Tao
;
W. Li
;
E. Altamirano-Sánchez
;
J. J. Versluijs
;
S. Brus
;
P. Matagne
;
N. Waldron
;
J. Ryckaert
;
D. Mocuta
;
N. Collaert
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Doping;
Random access memory;
Logic gates;
Wires;
Transistors;
Silicon;
Electrodes;
19.
Super steep subthreshold slope PN-body tied SOI FET's of ultra low drain voltage=0.1V with body bias below 1.0V
机译:
超陡亚多斯斜坡PN-Body将SOI FET的超低漏极电压= 0.1V,体偏置低1.0V
作者:
Takahiro Yoshida
;
Jiro Ida
;
Takashi Horii
;
Masao Okihara
;
Yasuo Arai
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Field effect transistors;
Impurities;
Solid modeling;
Bipolar transistors;
Logic gates;
Three-dimensional displays;
Voltage measurement;
20.
Silicon thickness variation of FD-SOI wafers investigated by differential reflective microscopy
机译:
通过差分反射显微镜研究的FD-SOI晶片的硅厚度变化
作者:
J. Auerhammer
;
C. Hartig
;
K. Wendt
;
R. van Oostrum
;
G. Pfeiffer
;
S. Bayer
;
B. Srocka
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Silicon;
Ellipsometry;
Thickness measurement;
Image resolution;
Transistors;
Semiconductor device measurement;
Surface topography;
21.
Influence of the crystal orientation on the operation of junctionless nanowire transistors
机译:
晶体取向对无线纳米线晶体管操作的影响
作者:
Renan Trevisoli
;
Rodrigo T. Doria
;
Michelly de Souza
;
Marcelo A. Pavanello
;
Sylvain Barraud
;
Maud Vinet
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Standards;
Transistors;
Logic gates;
Transconductance;
Performance evaluation;
Threshold voltage;
Nanoscale devices;
22.
Recent advances in low temperature process in view of 3D VLSI integration
机译:
近3D VLSI集成的低温过程最新进展
作者:
C. Fenouillet-Beranger
;
P. Batude
;
L. Brunet
;
V. Mazzocchi
;
C-M.V. Lu
;
F. Deprat
;
J. Micout
;
M-P. Samson
;
B. Previtali
;
P. Besombes
;
N. Rambal
;
V. Lapras
;
F. Andrieu
;
O. Billoint
;
M. Brocard
;
S. Thuries
;
G. Cibrario
;
P. Acosta-Alba
;
B. Mathieu
;
S. Kerdilès
;
F. Nemouchi
;
C. Arvet
;
P. Besson
;
V. Loup
;
R. Gassilloud
;
X. Garros
;
C. Leroux
;
V. Beugin
;
C. Guerin
;
D. Benoit
;
L. Pasini
;
J-M. Hartmann
;
M. Vinet
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Thermal stability;
Annealing;
Three-dimensional displays;
Logic gates;
Very large scale integration;
Epitaxial growth;
Laser stability;
23.
Charge plasma based partial-ground-plane-MOSFET on selective buried oxide (SELBOX)
机译:
选择性埋地氧化物(Selbox)上的电荷基于等离子的部分地面平面MOSFET
作者:
Faisal Bashir
;
Sajad A Loan
;
Asim Majeed Murshid
;
Abdulrahman M. Alamoud
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
MOSFET;
Plasmas;
Doping;
Performance evaluation;
Metals;
Logic gates;
Two dimensional displays;
24.
A 64 kb multi-threshold SRAM array with novel differential 8T bitcell in 32 nm SOI CMOS technology
机译:
具有32 nm SOI CMOS技术中具有新型差分8T位电池的64 KB多阈值SRAM阵列
作者:
Samira Ataei
;
James E. Stine
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Random access memory;
Transistors;
Stability analysis;
Delays;
CMOS technology;
Computer architecture;
25.
Low power highly linear temperature sensor based on SOI lateral PIN diodes
机译:
基于SOI横向销二极管的低功耗高度线性温度传感器
作者:
Michelly de Souza
;
Marcelo Antonio Pavanello
;
Denis Flandre
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Temperature sensors;
PIN photodiodes;
Semiconductor diodes;
Linearity;
Sensitivity;
Temperature distribution;
26.
Sub-pJ per operation scalable computing: The PULP experience
机译:
每个操作的子PJ可扩展计算:纸浆体验
作者:
Davide Rossi
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
system-on-chip;
energy conservation;
low-power electronics;
parallel programming;
performance evaluation;
power aware computing;
shared memory systems;
27.
High density SRAM bitcell architecture in 3D sequential CoolCube? 14nm technology
机译:
3D顺序冷却酷库中的高密度SRAM位数架构? 14nm技术
作者:
M. Brocard
;
R. Boumchedda
;
J. P. Noel
;
K. C. Akyel
;
B. Giraud
;
E. Beigne
;
D. Turgis
;
S. Thuries
;
G. Berhault
;
O. Billoint
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Three-dimensional displays;
Random access memory;
MOS devices;
Logic gates;
Transistors;
Layout;
Robustness;
28.
3D stacked SOI-CMOS pixel detector using Au micro-bump junctions
机译:
3D堆叠SOI-CMOS像素探测器使用AU Micro-Bump结
作者:
Makoto Motoyoshi
;
Toshinobu Miyoshi
;
Masayuki Ikebec
;
Yasuo Arai
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Gold;
Junctions;
Bonding;
Detectors;
Resistance;
Resists;
Surface treatment;
29.
Architecture enhancements in 65nm SOTB power reconfigurable FPGA by fine-grained body biasing
机译:
架构在65nm SOTB电源可重新配置FPGA中的架构通过细粒偏置
作者:
Masakazu Hioki
;
Toshihiro Katashita
;
Hanpei Koike
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Field programmable gate arrays;
Clocks;
Decision support systems;
30.
Crystal Growth Study of the grain-Boundary Free (100) Textured Si Thin-Films by Using the CW-Laser Lateral Crystallization
机译:
通过使用CW激光横向结晶,晶界自由(100)纹理的Si薄膜的晶体生长研究
作者:
Nobuo Sasaki
;
Muhammad Arif
;
Yukiharu Uraoka
;
Jun Gotoh
;
Shigeto Sugimoto
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Silicon;
Surface texture;
Surface emitting lasers;
Power lasers;
Glass;
Crystals;
Substrates;
31.
A Benchmark Study of Complementary-Field Effect Transistor (CFET) Process Integration Options: Comparing Bulk vs. SOI vs. DSOI starting substrates
机译:
互补场效应晶体管(CFET)过程集成选项的基准研究:批量与SOI与DSOI启动基材的比较
作者:
Benjamin Vincent
;
J. Ervin
;
J. Boemmels
;
J. Ryckaert
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Silicon;
Logic gates;
Substrates;
Fabrication;
Transistors;
Silicon germanium;
Metals;
32.
A 64x1 Fuse Memory with 0.4V/1μA Read and 0.9V Program Voltage on 22nm FD-SOI
机译:
64x1熔断器内存,读取0.4V /1μA的读取和0.9V程序电压22nm FD-SOI
作者:
Shine Chung
;
Wen-Kuan Fang
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Fuses;
Sensors;
Discharges (electric);
Capacitors;
Programming;
IP networks;
Threshold voltage;
33.
Statistical Characterization and Modelling of Gate-Induced Drain Leakage Variability in Advanced FDSOI Devices
机译:
高级FDSOI装置中栅极诱导漏极泄漏变异性的统计表征及建模
作者:
T. A. Karatsori
;
C. Cavalcante
;
J. Lacord
;
P. Batude
;
C. Theodorou
;
G. Ghibaudo
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
MOSFET;
Silicon-on-insulator;
Standards;
Geometry;
Doping;
Analytical models;
34.
Performance Enhancement of 4T-IFGC DRAM in 7nm NC-FinFET Technology Node
机译:
7NM NC-FinFET技术节点中4T-IFGC DRAM的性能增强
作者:
Koshal Sharma
;
Amol D. Gaidhane
;
Yogesh Singh Chauhan
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Computer architecture;
Microprocessors;
Random access memory;
Delays;
Noise measurement;
Field effect transistors;
Capacitance;
35.
Linear and Efficient NFET-MESFET 5G Cascode Power Amplifiers Using 45nm SOI CMOS
机译:
线性和高效的NFET-MESFET 5G Cascode功率放大器使用45nm SOI CMOS
作者:
Trevor J. Thornton
;
Chaojiang Li
;
Payam Mehr
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Power amplifiers;
5G mobile communication;
MESFETs;
Power generation;
Radio frequency;
Logic gates;
K-band;
36.
Impact of On-Current on the Static and Dynamic Performance of TFET Inverters
机译:
电流对TFET逆变器静态和动态性能的影响
作者:
Atieh Farokhnejad
;
Fabian Horst
;
Alexander Kloes
;
Benjamín Iñíguez
;
François Lime
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Inverters;
TFETs;
Tunneling;
Delays;
Integrated circuit modeling;
Logic gates;
MOSFET;
37.
Si Layers Transfer On Sapphire or Silicon with High-k Stack of PEALD Dielectric Nanolayers
机译:
Si层在蓝宝石或硅上转移,具有高k堆的PEALD介电纳米层
作者:
Vladimir Popov
;
Valentin Antonov
;
Alexey Leushin
;
Ida Tyschenko
;
Anton Gutakovskiy
;
Andrey Miakonkich
;
Konstantin Rudenko
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Silicon;
Substrates;
High-k dielectric materials;
Hydrogen;
Gettering;
Dielectrics;
Physics;
38.
Optimization of photoelectron in-situ sensing device in FD-SOI
机译:
FD-SOI光电子原位传感装置的优化
作者:
J. Liu
;
M. Arsalan
;
A. Zaslavsky
;
S. Cristoloveanu
;
J. Wan
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Sensors;
Sensitivity;
Performance evaluation;
Substrates;
Transistors;
Silicon-on-insulator;
Silicon;
39.
High Temperature Reliability Studies of Innovative Fuse Programming Mode
机译:
创新熔断器编程模式的高温可靠性研究
作者:
Shine Chung
;
Wen-Kuan Fang
;
Michael Wendt
;
Heng-Kah Lee
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Programming;
High-temperature superconductors;
Fuses;
Current distribution;
Reliability;
Resistance;
Standards;
40.
Negative capacitance GaN HEMT with improved subthreshold swing and transconductance
机译:
负电容GaN HEMT,具有改进的亚阈值摆动和跨导
作者:
KM. Zhu
;
JH. Wei
;
J. Wan
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Capacitance;
HEMTs;
Gallium nitride;
Dielectrics;
Annealing;
Hysteresis;
41.
P-type Negative Capacitance FinFET with Subthreshold Characteristics and Driving Current Improvement
机译:
P型负电容FINFET,具有亚阈值特性和驱动电流改进
作者:
Zhaohao Zhang
;
Qingzhu Zhang
;
Zhaozhao Hou
;
Gaobo Xu
;
Qiuxia Xu
;
Huilong Zhu
;
Huxiang Yin
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
FinFETs;
Logic gates;
Zirconium;
Iron;
Hafnium;
Field effect transistors;
Capacitance;
42.
Quantitative Evaluation of Mobility Scattering Mechanisms in Ultra-Thin-Body Ge-OI pMOSFETs
机译:
超薄体Ge-OI PMOSFET中迁移率散射机制的定量评估
作者:
Sicong Yuan
;
Walter Schwarzenbach
;
Zhuo Chen
;
Bich-Yen Nguyen
;
Rui Zhang
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
MOSFET;
Fluctuations;
Scattering;
Germanium;
Surface roughness;
Rough surfaces;
Phonons;
43.
Soft Error Tolerance of Standard and Stacked Latches Dependending on Substrate Bias in a FDSOI Process Evaluated by Device Simulation
机译:
通过设备仿真评估的FDSOI过程中依赖于基板偏压的标准和堆叠锁存器的软误差容差
作者:
Kentaro Kojima
;
Jun Furuta
;
Kazutoshi Kobayashi
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Latches;
Standards;
Substrates;
Ions;
Logic gates;
Transistors;
Silicon-on-insulator;
44.
Effect of Vsub and Positive Charge in Buried Oxide on Super Steep SS “PN Body-Tied SOI-FET” and Proposal of CMOS without Vsub Bias
机译:
VSUB和正电荷在埋地氧化物上的效果在超级陡峭SS“PN身体绑定SOI-FET”上的影响和CMOS的建议,没有VSUB偏压
作者:
Wataru Yabuki
;
Jiro Ida
;
Takayuki Mori
;
Koichiro Ishibashi
;
Yasuo Arai
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Semiconductor device measurement;
Leakage currents;
Silicon;
Logic gates;
Substrates;
Q measurement;
Field effect transistors;
45.
Design and Study of an Artificial Spiking Neuron Enabled by Low-Voltage SiOx-based ReRAM
机译:
基于低压SiOx的RERAM实现人工尖峰神经元的设计与研究
作者:
Jessie XuHua Niu
;
Yida Li
;
Hasita Veluri
;
Aaron Voon-Yew Thean
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Neurons;
Switching circuits;
Synapses;
Switches;
Integrated circuit modeling;
Electrodes;
Logic gates;
46.
Optimization of the Back Enhanced BESOI MOSFET working as a charge-based BioFET sensor
机译:
作为基于电荷的生物塑料传感器工作的后增强BEOI MOSFET的优化
作者:
L. S. Yojo
;
R. C. Rangel
;
K. R. A. Sasaki
;
C. A. Mori
;
J. A. Martino
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Biosensors;
Silicon;
Logic gates;
MOSFET;
Sensitivity;
Transistors;
Electrodes;
47.
Materials Requirements of High-Speed and Low-Power Spin-Orbit-Torque Magnetic Random-Access Memory
机译:
材料要求高速和低功耗自旋轨道扭矩磁随机存取存储器
作者:
Xiang Li
;
Shy-Jay Lin
;
DC Mahendra
;
Yu-Ching Liao
;
Chengyang Yao
;
Azad Naeemi
;
Wilman Tsai
;
Shan X. Wang
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Switches;
Magnetic tunneling;
Resistance;
Transistors;
Conductivity;
Computer architecture;
Thermal stability;
48.
TCAD-Spice Co-Simulation of Ferroelectric Capacitor as an Electrically Trimmable On-Chip Capacitor in Analog Circuit
机译:
TCAD- SPICE铁电电容作为模拟电路中电线上的片上电容器的共模
作者:
K. Huynh
;
A. C. Tenkeu
;
K. P. Pun
;
H. Y. Wong
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Capacitance;
Capacitors;
Integrated circuit modeling;
Mathematical model;
Iron;
Bandwidth;
Thermal variables control;
49.
High brightness and bonding yield of integrated Si-CMOS and GaN LED wafers
机译:
集成的Si-CMOS和GaN LED晶片的高亮度和粘合产量
作者:
Kwang Hong Lee
;
Lin Zhang
;
Li Zhang
;
Yue Wang
;
Kenneth Eng Kian Lee
;
Soo Jin Chua
;
Eugene A. Fitzgerald
;
Chuan Seng Tan
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Gallium nitride;
Light emitting diodes;
Substrates;
Silicon;
Surface treatment;
Bonding;
Diamond;
50.
Subthreshold Operation of Self-Cascode Structure Using UTBB FD SOI Planar MOSFETs
机译:
使用UTBB FD SOI平面MOSFET的自级级码结构的亚阈值操作
作者:
Lígia Martins d’Oliveira
;
Valeriya Kilchytska
;
Nicolas Planes
;
Denis Flandre
;
Michelly de Souza
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Transistors;
Logic gates;
Gain;
MOSFET;
Transconductance;
Periodic structures;
Low voltage;
51.
A Physical Modeling Study of Mobility Enhancement in Stressed Ge-on-insulator pMOSFET
机译:
压力Ge-on-Insulator PMOSFET中流动性增强的物理建模研究
作者:
Haoqing Xu
;
Guilei Wang
;
Jiaxin Yao
;
Huaxiang Yin
;
Henry Radamson
;
Zhenhua Wu
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Scattering;
Germanium;
Stress;
Semiconductor process modeling;
Semiconductor device modeling;
Mathematical model;
MOSFET circuits;
52.
Physical Analysis of Non-monotonic DIBL Dependence on Back Gate Bias in Thick Front Gate Oxide FDSOI MOSFETs
机译:
厚前栅极氧化物FDSOI MOSFET中的非单调DIBL依赖性的物理分析
作者:
Chetan Kumar Dabhi
;
Pragya Kushwaha
;
Harshit Agarwal
;
Sarvesh S. Chauhan
;
Chenming Hu
;
Yogesh Singh Chauhan
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Threshold voltage;
Logic gates;
Silicon-on-insulator;
Electric potential;
Electron devices;
Data models;
Transistors;
53.
Impact of Gate Oxide Traps and In0:53Ga0:47As/BOX traps on the Performance of In0:53Ga0:47As on insulator TFET and its Mitigation
机译:
栅极氧化物疏水阀和IN0:53GA0:47AS /盒子陷阱对绝缘子TFET的性能及其缓解的影响
作者:
Mohd Haris
;
Sajad Loan
;
Mainuddin
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Doping;
TFETs;
Tunneling;
Electron traps;
Junctions;
Insulators;
54.
Modeling the Quantum Gate capacitance of Nano-Sheet Gate-All-Around MOSFET
机译:
建模纳米片 - 全面MOSFET的量子栅极电容
作者:
Pragya Kushwaha
;
Harshit Agarwal
;
Varun Mishra
;
Avirup Dasgupta
;
Yen-Kai Lin
;
Ming-Yen Kao
;
Yogesh Singh Chauhan
;
Sayeef Salahuddin
;
Chenming Hu
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Gallium arsenide;
Silicon;
Quantum capacitance;
Electric potential;
Semiconductor device modeling;
Insulators;
55.
TFET based 1T-DRAM: Physics, Significance and Trade-offs
机译:
基于TFET的1T-DRAM:物理,意义和权衡
作者:
Nupur Navlakha
;
Md. Hasan Raza Ansari
;
Abhinav Kranti
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
TFETs;
Random access memory;
Computational modeling;
Hafnium oxide;
Doping;
Temperature distribution;
Physics;
56.
OTA Performance Comparison Designed with Experimental NW-MOSFET and NW-TFET Devices
机译:
OTA性能比较使用实验NW-MOSFET和NW-TFET器件设计
作者:
Alexandro de M. Nogueira
;
Paula G. D. Agopian
;
Roberto Rangel
;
Joao A. Martino
;
Eddy Simoen
;
Rita Rooyackers
;
Cor Claeys
;
Nadine Collaert
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
TFETs;
MOSFET;
Gain;
Capacitance;
Logic gates;
Semiconductor device modeling;
Silicon;
57.
Study of Layout Dependent Radiation Hardness of FinFET SRAM using Full Domain 3D TCAD Simulation
机译:
使用全域3D TCAD模拟研究FINFET SRAM的布局依赖性辐射硬度
作者:
Khoa Huynh
;
Johan Saltin
;
Jin-Woo Han
;
Meyya Meyyappan
;
Hiu Yung Wong
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Transistors;
FinFETs;
Three-dimensional displays;
SRAM cells;
Layout;
Ions;
Solid modeling;
58.
Design and Simulation of High Performance Dopingless Tunnel Diode
机译:
高性能多拔隧道二极管的设计与仿真
作者:
Faisal Bashir
;
Asim Majeed
;
Farooq A Khanday
;
M. Tariq Banday
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Schottky diodes;
Performance evaluation;
Plasmas;
Cathodes;
Anodes;
Silicon;
Semiconductor process modeling;
59.
Improved Electrical Characteristics of P-type Tunnel Field-Effect Transistor With Source-Pocket Junction Formed Using High-Angle Implantation
机译:
利用高角度植入形成的源极袋结改善了P型隧道场效应晶体管的电气特性
作者:
Gaobo Xu
;
Huaxiang Yin
;
Qiuxia Xu
;
Guilong Tao
;
Guoliang Tian
;
Zhihao Li
;
Jinshun Bi
;
Jianhui Bu
;
Zhenhua Wu
;
Qingzhu Zhang
;
Yongliang Li
;
Jinbiao Liu
;
Junfeng Li
;
Huilong Zhu
;
Chao Zhao
;
Wenwu Wang
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Tunneling;
TFETs;
Silicon;
Junctions;
Electric variables;
Performance evaluation;
Logic gates;
60.
Investigating the Scalability of Nanowire Junctionless Accumulation Mode FETs using an Intrinsic Pocket
机译:
使用内在袋来研究纳米线连接累积模式FET的可扩展性
作者:
Aakash Kumar Jain
;
Jaspreet Singh
;
Mamidala Jagadesh Kumar
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Field effect transistors;
Tunneling;
Semiconductor process modeling;
Scalability;
Photonic band gap;
Performance evaluation;
61.
Group IV/oxide semiconductor bi-layer tunneling FET
机译:
第IV组/氧化物半导体双层隧道FET
作者:
Shinichi Takagi
;
Kimihiko Kato
;
Mitsuru Takenaka
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
TFETs;
Tunneling;
Zinc oxide;
II-VI semiconductor materials;
Germanium;
Silicon;
Logic gates;
62.
Two-stage amplifier design based on experimental Line-Tunnel FET data
机译:
基于实验线隧道FET数据的两级放大器设计
作者:
Walter Gonçalez Filho
;
Joao A. Martino
;
Roberto Rangel
;
Paula G. D. Agopian
;
Eddy Simoen
;
Rita Rooyackers
;
Cor Claeys
;
Nadine Collaert
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
TFETs;
Logic gates;
Tunneling;
MOSFET;
Bandwidth;
Topology;
Gain;
63.
A 0.75-V 58-MHz 340-μW SOTB-65nm 32-point DCT Implementation Based on Fixed-rotation Adaptive CORDIC
机译:
基于固定旋转自适应CORDIC的0.75V-V 58-MHz 340-μWSOTB-65NM 32点DCT实现
作者:
Ngoc-Tu Bui
;
Trong-Thuc Hoang
;
Akinori Yamamoto
;
Duc-Hung Le
;
Cong-Kha Pham
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Discrete cosine transforms;
Semiconductor device measurement;
Voltage measurement;
Very large scale integration;
Logic gates;
Computer architecture;
Throughput;
64.
Femtoampere sensitive current measurement ASIC in 22 nm technology
机译:
毫微浪敏感电流测量ASIC在22 nm技术中
作者:
Sarath Kundumattathil Mohanan
;
Hamza Boukabache
;
Daniel Perrin
;
Ullrich Pfeiffer
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Current measurement;
Transistors;
Leakage currents;
Semiconductor device measurement;
Logic gates;
Ionization chambers;
Electrostatic discharges;
65.
A ReRAM Memory Compiler with Layout-Precise Performance Evaluation
机译:
具有布局精确性能评估的reram内存编译器
作者:
Edward Lee
;
Daehyun Kim
;
Venkata Chaitanya Krishna Chekuri
;
Yun Long
;
Saibal Mukhopadhyay
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Layout;
Random access memory;
Tools;
Computer architecture;
Semiconductor device modeling;
Microprocessors;
Performance evaluation;
66.
Triple-Stacked Silicon-on-Insulator Integrated Circuits Using Au/SiO2 Hybrid Bonding
机译:
使用AU / SiO2混合粘合的三堆叠硅式绝缘体集成电路
作者:
Yuki Honda
;
Masahide Goto
;
Toshihisa Watabe
;
Masakazu Nanba
;
Yoshinori Iguchi
;
Takuya Saraya
;
Masaharu Kobayashi
;
Eiji Higurashi
;
Hiroshi Toshiyoshi
;
Toshiro Hiramoto
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Silicon;
Gold;
Substrates;
Bonding;
Electrodes;
Integrated circuits;
Three-dimensional displays;
67.
Carrier Mobility Variation Induced by the Substrate Bias in Ω-gate SOI Nanowire MOSFETs
机译:
由Ω栅极SOI纳米线MOSFET中的基板偏置引起的载流子迁移率变化
作者:
F. E. Bergamaschi
;
T. A. Ribeiro
;
B. C. Paz
;
M. de Souza
;
S. Barraud
;
M. Cassé
;
M. Vinet
;
O. Faynot
;
M. A. Pavanello
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
MOSFET;
Substrates;
Logic gates;
Degradation;
Transistors;
Voltage measurement;
Nanoscale devices;
68.
Mixed-Signal Neuromorphic Processors: Quo Vadis?
机译:
混合信号神经形态处理器:QUO VADIS?
作者:
Mohammad Bavandpour
;
Mohammad Reza Mahmoodi
;
Shubham Sahay
;
Dmitri B. Strukov
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Computer architecture;
Nonvolatile memory;
Microprocessors;
Program processors;
Integrated circuit modeling;
Encoding;
Computational modeling;
69.
A 23 GHz VCO with 13 FTR in 22 nm FDSOI
机译:
23 GHz VCO,22 NM FDSOI中的13%FTR
作者:
Piyush Kumar
;
Jidan AL-Eryani
;
David Borggreve
;
Enno Böhme
;
Pragoti Pran Bora
;
Erkan Nevzat Isa
;
Linus Maurer
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Voltage-controlled oscillators;
Tuning;
Silicon-on-insulator;
Logic gates;
Inductors;
Radio frequency;
Power generation;
70.
An all-digital PLL with SAR frequency locking system in 65nm SOTB CMOS
机译:
具有SAR频率锁定系统的全数字PLL,在65NM SOTB CMOS中
作者:
Keita Arai
;
Cong-Kha Pham
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Clocks;
Phase locked loops;
Logic gates;
Oscillators;
Frequency control;
Frequency synthesizers;
Time-frequency analysis;
71.
Monolithic 3D IC vs. TSV-based 3D IC in 14nm FinFET technology
机译:
14NM FinFET技术中的单片3D IC与TSV的3D IC
作者:
Sandeep Kumar Samal
;
Deepak Nayak
;
Motoi Ichihashi
;
Srinivasa Banna
;
Sung Kyu Lim
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Three-dimensional displays;
Through-silicon vias;
Two dimensional displays;
Logic gates;
Layout;
FinFETs;
72.
Towards fully integrated 28nm UTBB FD-SOI IoT node: The sub-50μW RF receiver
机译:
朝向完全集成的28NM UTBB FD-SOI IOT节点:子50μWRF接收器
作者:
B. Martineau
;
C. Jany
;
F. Todeschini
;
D. Morche
;
E. Mercier
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
wireless sensor networks;
Internet of Things;
low-power electronics;
radio receivers;
silicon-on-insulator;
system-on-chip;
73.
NeuroSensor: A 3D image sensor with integrated neural accelerator
机译:
神经传感器:具有集成神经加速器的3D图像传感器
作者:
M. F. Amir
;
D. Kim
;
J. Kung
;
D. Lie
;
S. Yalamanchili
;
S. Mukhopadhyay
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Three-dimensional displays;
Bandwidth;
Random access memory;
Memory management;
Computational modeling;
Feature extraction;
Image sensors;
74.
A high-performance bitmap-index-based query processor on 65-nm SOTB CMOS process
机译:
基于高性能的位图 - 索引索引的65-NM SOTB CMOS进程的查询处理器
作者:
Xuan-Thuan Nguyen
;
Hong-Thu Nguyen
;
Cong-Kha Pham
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Micromechanical devices;
Data analysis;
Indexes;
CMOS process;
Leakage currents;
Clocks;
75.
Back gate bias influence on SOI Ω-gate nanowire down to 10 nm width
机译:
后栅偏置对SOIΩ栅极线的影响降至10nm宽度
作者:
L. M. Almeida
;
P. G. D. Agopian
;
J. A. Martino
;
S. Barraud
;
M. Vinet
;
O. Faynot
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Silicon-on-insulator;
Nanoscale devices;
Silicon;
Transistors;
Electrostatics;
Threshold voltage;
76.
A Ring Oscillator Using Bootstrap Inverter
机译:
使用Bootstrap逆变器的环形振荡器
作者:
Akinori Yamamoto
;
Trong-Thuc Hoang
;
Cong-Kha Pham
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2019年
关键词:
Ring oscillators;
Inverters;
Capacitors;
Wireless sensor networks;
MOS capacitors;
Power demand;
Low voltage;
77.
Improving Dynamic Leakage Suppression Logic with Forward Body Bias in 65nm CMOS
机译:
在65nm CMOS中提高动态泄漏抑制逻辑与前体偏压
作者:
Daniel S. Truesdell
;
Benton H. Calhoun
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2019年
关键词:
Logic gates;
Delays;
Standards;
Transistors;
Subthreshold current;
Steady-state;
Inverters;
78.
A 3.2–3.6GHz SOI-LDMOS Dual-Input Doherty Power Amplifier
机译:
3.2-3.6GHz SOI-LDMOS双输入Doherty功率放大器
作者:
Saad Boutayeb
;
Ayssar Serhan
;
Pascal Reynier
;
Damien Parat
;
Alexis Divay
;
Jean-Daniel Arnould
;
Estelle Lauga-Larroze
;
Alexandre Giry
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2019年
关键词:
Power amplifiers;
Inductors;
Power generation;
Impedance;
Voltage measurement;
Substrates;
Q-factor;
79.
Preliminary results of a novel low voltage M-OTP in MOS transistor in 28nm FD-SOI
机译:
28nm FD-SOI中MOS晶体管中新型低电压M-OTP的初步结果
作者:
Ph. Galy
;
M. Bawedin
;
R. Lethiecq
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2019年
关键词:
Temperature measurement;
Performance evaluation;
Logic gates;
Programming;
Electrical resistance measurement;
Three-dimensional displays;
Silicides;
80.
22FDX® Embracing IoT, 5G, and Automotive Applications - A Perspective through Global Research
机译:
22FDX®拥有物联网,5G和汽车应用 - 通过全球研究的视角
作者:
Qiang Brian Chen
;
Jamie K. Schaeffer
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2019年
关键词:
Transistors;
Low-power electronics;
Voltage-controlled oscillators;
Random access memory;
5G mobile communication;
Switches;
Radio frequency;
81.
High Breakdown Voltage MESFETs Integrated with SOI CMOS Technologies
机译:
高击穿电压MESFET与SOI CMOS技术集成
作者:
Trevor Thornton
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2019年
关键词:
MESFETs;
Radio frequency;
CMOS technology;
Integrated circuit modeling;
Semiconductor device modeling;
Power amplifiers;
Wireless communication;
82.
Heterogeneous Micro LED Displays Yield Statistics
机译:
异构微LED显示产量统计
作者:
Khaled Ahmed
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2019年
关键词:
Redundancy;
Light emitting diodes;
Fault tolerant systems;
Color;
Backplanes;
Mathematical model;
Maintenance engineering;
83.
Edge Inference with NEM Relays
机译:
边缘推断与NEM继电器
作者:
Rawan Naous
;
Vladimir Stojanović
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2019年
关键词:
Nanoelectromechanical systems;
Neural networks;
Quantization (signal);
Relays;
Energy efficiency;
Table lookup;
Inference algorithms;
84.
Charge Trap Layer (CTL) SOI Substrates using Float Zone Wafers Achieving Low Substrate Losses
机译:
使用浮动区晶片实现低基板损耗的电荷陷阱层(CTL)SOI基板
作者:
Jeffrey Libbert
;
Leif Jensen
;
Theis Leth Sveigaard
;
Mike Seacrist
;
Carissma Hudson
;
Shawn G. Thomas
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2019年
关键词:
Conductivity;
Silicon;
Substrates;
Nitrogen;
Annealing;
Thermal resistance;
Thermal stresses;
85.
Advanced 22 nm FD-SOI devices integration platform
机译:
高级22 NM FD-SOI设备集成平台
作者:
Ming TIAN
;
Cuiqin XU
;
Haibo LEI
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2019年
关键词:
Logic gates;
Threshold voltage;
Silicon;
Performance evaluation;
Temperature measurement;
Implants;
Doping;
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