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IEEE International Electron Devices Meeting
IEEE International Electron Devices Meeting
召开年:
2015
召开地:
Washington, DC(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Present status and future prospects of nano-carbon interconnect technologies for LSIs
机译:
LSI纳米碳互连技术的现状与前景
作者:
Yuji Awano
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
2.
Quantifying the impact of gate efficiency on switching steepness of quantum-well tunnel-FETs: Experiments, modeling, and design guidelines
机译:
量化栅极效率对量子阱隧道FET的开关陡度的影响:实验,建模和设计指南
作者:
Tao Yu
;
Ujwal Radhakrishna
;
Judy L. Hoyt
;
Dimitri A. Antoniadis
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
3.
Quantum-size effects in sub 10-nm fin width InGaAs FinFETs
机译:
低于10nm鳍宽的InGaAs FinFET中的量子尺寸效应
作者:
A. Vardi
;
X. Zhao
;
J. A. del Alamo
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
4.
Record performance InGaAs homo-junction TFET with superior SS reliability over MOSFET
机译:
记录性能InGaAs同质结TFET,具有比MOSFET更高的SS可靠性
作者:
Alireza Alian
;
Jacopo Franco
;
Anne Vandooren
;
Yves Mols
;
Anne Verhulst
;
Salim El Kazzi
;
Rita Rooyackers
;
Devin Verreck
;
Quentin Smets
;
Anda Mocuta
;
Nadine Collaert
;
Dennis Lin
;
Aaron Thean
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
5.
Replacement metal gate resistance in FinFET architecture modelling, validation and extendibility
机译:
FinFET体系结构建模,验证和可扩展性中的替代金属栅极电阻
作者:
Ruqiang Bao
;
Brian Greene
;
Unoh Kwon
;
Sungjae Lee
;
John Bruley
;
Weike Wang
;
Kai Zhao
;
Patrick W. DeHaven
;
Zhengwen Li
;
Keith Wong
;
Stephan Grunow
;
Rama Divakaruni
;
Chung-Hsun Lin
;
Siddarth A Krishnan
;
Vijay Narayanan
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
6.
Robust and compact key generator using physically unclonable function based on logic-transistor-compatible poly-crystalline-Si channel FinFET technology
机译:
使用基于逻辑晶体管兼容的多晶硅Si通道FinFET技术的物理不可克隆功能的强大而紧凑的密钥生成器
作者:
Shin-ichi Ouchi
;
Yongxun Liu
;
Yohei Hori
;
Toshifumi Irisawa
;
Hiroshi Fuketa
;
Yukinori Morita
;
Shinji Migita
;
Takahiro Mori
;
Tadashi Nakagawa
;
Junichi Tsukada
;
Hanpei Koike
;
Meishoku Masahara
;
Takashi Matsukawa
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
7.
Roll-to-roll synthesis and patterning of graphene and 2D materials
机译:
石墨烯和2D材料的卷对卷合成和图案化
作者:
Taejun Choi
;
Sang Jin Kim
;
Subeom Park
;
Taekyong Hwang
;
Youngro Jeon
;
Byung Hee Hong
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
8.
Solving the paradox of the inconsistent size dependence of thermal stability at device and chip-level in perpendicular STT-MRAM
机译:
解决垂直STT-MRAM中器件和芯片级的热稳定性在尺寸上不一致的矛盾
作者:
Luc Thomas
;
Guenole Jan
;
Son Le
;
Yuan-Jen Lee
;
Huanlong Liu
;
Jian Zhu
;
Santiago Serrano-Guisan
;
Ru-Ying Tong
;
Keyu Pi
;
Dongna Shen
;
Renren He
;
Jesmin Haq
;
Zhongjian Teng
;
Rao Annapragada
;
Vinh Lam
;
Yu-Jen Wang
;
Tom Zhong
;
Terry Torng
;
Po-Kang Wang
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
9.
Scaling-up resistive synaptic arrays for neuro-inspired architecture: Challenges and prospect
机译:
用于神经启发性结构的放大抗性突触阵列的挑战和前景
作者:
Shimeng Yu
;
Pai-Yu Chen
;
Yu Cao
;
Lixue Xia
;
Yu Wang
;
Huaqiang Wu
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
关键词:
Resistive memory;
crossbar array;
machine learning;
neuromorphic computing;
synaptic device;
10.
Self-aligned, gate-last process for vertical InAs nanowire MOSFETs on Si
机译:
Si上垂直InAs纳米线MOSFET的自对准,后栅极工艺
作者:
Martin Berg
;
Karl-Magnus Persson
;
Olli-Pekka Kilpi
;
Johannes Svensson
;
Erik Lind
;
Lars-Erik Wernersson
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
11.
Self-heating on bulk FinFET from 14nm down to 7nm node
机译:
大体积FinFET上的自发热范围从14nm降至7nm
作者:
D. Jang
;
E. Bury
;
R. Ritzenthaler
;
M. Garcia Bardon
;
T. Chiarella
;
K. Miyaguchi
;
P. Raghavan
;
A. Mocuta
;
G. Groeseneken
;
A. Mercha
;
D. Verkest
;
A. Thean
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
12.
Single suspended InGaAs nanowire MOSFETs
机译:
单悬浮InGaAs纳米线MOSFET
作者:
Cezar B. Zota
;
Lars-Erik Wernersson
;
Erik Lind
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
13.
Spintronic logic circuit and device prototypes utilizing domain walls in ferromagnetic wires with tunnel junction readout
机译:
Spintronic逻辑电路和设备原型利用铁磁线中的畴壁并具有隧道结读数
作者:
J. A. Currivan-Incorvia
;
S. Siddiqui
;
S. Dutta
;
E. R. Evarts
;
C. A. Ross
;
M. A. Baldo
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
14.
Spurious mode suppression in SH0 Lithium Niobate laterally vibrating MEMS resonators
机译:
SH0铌酸锂横向振动MEMS谐振器中的杂散模式抑制
作者:
Yong-Ha Song
;
Songbin Gong
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
关键词:
Lithium niobate;
high electromechanical coupling;
laterally vibrating resonators;
piezoelectric resonators;
spurious mode suppression;
15.
Stacked image sensor using chlorine-doped crystalline selenium photoconversion layer composed of size-controlled polycrystalline particles
机译:
使用由尺寸控制的多晶颗粒组成的掺杂氯的晶体硒光电转换层的堆叠图像传感器
作者:
S. Imura
;
K. Kikuchi
;
K. Miyakawa
;
H. Ohtake
;
M. Kubota
;
T. Okino
;
Y. Hirose
;
Y. Kato
;
N. Teranishi
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
16.
STT-MRAM with double magnetic tunnel junctions
机译:
STT-MRAM具有双磁性隧道结
作者:
G. Hu
;
J. H. Lee
;
J. J. Nowak
;
J. Z. Sun
;
J. Harms
;
A. Annunziata
;
S. Brown
;
W. Chen
;
Y. H. Kim
;
G. Lauer
;
L. Liu
;
N. Marchack
;
S. Murthy
;
E. J. OSullivan
;
J. H. Park
;
M. Reuter
;
R. P. Robertazzi
;
P. L. Trouilloud
;
Y. Zhu
;
D. C. Worledge
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
17.
Study of TFET non-ideality effects for determination of geometry and defect density requirements for sub-60mV/dec Ge TFET
机译:
研究TFET非理想效应以确定60mV / dec Ge以下TFET的几何形状和缺陷密度要求
作者:
Uygar E. Avci
;
Benjamin Chu-Kung
;
Ashish Agrawal
;
Gilbert Dewey
;
Van Le
;
Rafael Rios
;
Daniel H. Morris
;
Sayed Hasan
;
Roza Kotlyar
;
Jack Kavalieros
;
Ian A. Young
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
18.
Sub-60mV-swing negative-capacitance FinFET without hysteresis
机译:
具迟滞的低于60mV摆幅的负电容FinFET
作者:
Kai-Shin Li
;
Pin-Guang Chen
;
Tung-Yan Lai
;
Chang-Hsien Lin
;
Cheng-Chih Cheng
;
Chun-Chi Chen
;
Yun-Jie Wei
;
Yun-Fang Hou
;
Ming-Han Liao
;
Min-Hung Lee
;
Min-Cheng Chen
;
Jia-Min Sheih
;
Wen-Kuan Yeh
;
Fu-Liang Yang
;
Sayeef Salahuddin
;
Chenming Hu
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
19.
Super high frequency lithium niobate surface acoustic wave transducers up to 14 GHz
机译:
高达14 GHz的超高频铌酸锂表面声波换能器
作者:
Mohammad Ali Mohammad
;
Xiao Chen
;
Qian-Yi Xie
;
Bo Liu
;
James Conway
;
He Tian
;
Yi Yang
;
Tian-Ling Ren
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
20.
Suspended AlGaN/GaN membrane devices with recessed open gate areas for ultra-low-power air quality monitoring
机译:
悬挂式AlGaN / GaN膜器件具有开式凹陷区域,用于超低功率空气质量监测
作者:
Peter Offermans
;
Ahmed Si-Ali
;
Greja Brom-Verheyden
;
Karen Geens
;
Silvia Lenci
;
Marleen Van Hove
;
Stefaan Decoutere
;
Rob Van Schaijk
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
21.
Understanding of BTI for tunnel FETs
机译:
了解隧道FET的BTI
作者:
W. Mizubayashi
;
T. Mori
;
K. Fukuda
;
Y. Ishikawa
;
Y. Morita
;
S. Migita
;
H. Ota
;
Y. X. Liu
;
S. Ouchi
;
J. Tsukada
;
H. Yamauchi
;
T. Matsukawa
;
M. Masahara
;
K. Endo
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
22.
van der Waals junctions of layered 2D materials for functional devices
机译:
功能设备的分层2D材料的范德华结
作者:
Tomoki Machida
;
Rai Moriya
;
Miho Aral
;
Yohta Sata
;
Takehiro Yamaguchi
;
Naoto Yabuki
;
Sei Morikawa
;
Satoru Masubuchi
;
Keiji Ueno
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
23.
Variation improvement for manufacturable FINFET technology
机译:
可制造FINFET技术的变化改进
作者:
Rohit Pal
;
Mitsuhiro Togo
;
Yoong Yong
;
Lakshmanan Vanamurthy
;
Sruthi Muralidharan
;
Xing Zhang
;
Richard Carter
;
Manfred Eller
;
Srikanth Samavedam
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
24.
The challenging promise of 2D materials for electronics
机译:
二维电子材料的挑战性前景
作者:
G. Fiori
;
G. Iannaccone
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
25.
The physical mechanism of dispersion caused by AlGaN/GaN buffers on Si and optimization for low dispersion
机译:
AlGaN / GaN缓冲剂在Si上引起色散的物理机理和低色散的优化
作者:
S. Stoffels
;
M. Zhao
;
R. Venegas
;
P. Kandaswamy
;
S. You
;
T. Novak
;
Y. Saripalli
;
M. Van Hove
;
S. Decoutere
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
26.
TMD FinFET with 4 nm thin body and back gate control for future low power technology
机译:
TMD FinFET具有4 nm的薄体和后栅极控制,可用于未来的低功耗技术
作者:
Min-Cheng Chen
;
Kai-Shin Li
;
Lain-Jong Li
;
Ang-Yu Lu
;
Ming-Yang Li
;
Yung-Huang Chang
;
Chang-Hsien Lin
;
Yi-Ju Chen
;
Yun-Fang Hou
;
Chun-Chi Chen
;
Bo-Wei Wu
;
Cheng-San Wu
;
Ivy Yang
;
Yao-Jen Lee
;
Jia-Min Shieh
;
Wen-Kuan Yeh
;
Jyun-Hong Shih
;
Po-Cheng Su
;
Angada B. Sachid
;
Tahui Wang
;
Fu-Liang Yang
;
Chenming Hu
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
27.
Tunneling field effect transistors: Device and circuit considerations for energy efficient logic opportunities
机译:
隧道场效应晶体管:节能逻辑机会的器件和电路注意事项
作者:
Ian A Young
;
Uygar E. Avci
;
Daniel H. Morris
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
28.
Ultra-low power sensing platform for personal health and personal environmental monitoring
机译:
用于个人健康和个人环境监控的超低功耗传感平台
作者:
Veena Misra
;
Bongmook Lee
;
Pandiaraj Manickam
;
Michael Lim
;
Syed Khalid Pasha
;
Steven Mills
;
Shekhar Bhansali
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
29.
SiC- and GaN-based power devices: Technologies, products and applications
机译:
SiC和GaN基功率器件:技术,产品和应用
作者:
S. Coffa
;
M. Saggio
;
A. Patti
会议名称:
《IEEE International Electron Devices Meeting》
|
2015年
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