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International Reliability Physics Symposium
International Reliability Physics Symposium
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1.
Alteration of oxide-trap switching activity at operating condition by voltage-accelerated stressing
机译:
电压加速应力在工作条件下改变氧化物陷阱的开关活性
作者:
Z. Y. Tung
;
D. S. Ang
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Switches;
Reliability;
Monitoring;
Stress;
MOSFET;
Logic gates;
Performance evaluation;
2.
Correlation between the variation in the initial current at stress and the variation in the failure time during TDDB testing of BEOL structures
机译:
BEOL结构在TDDB测试期间应力时初始电流变化与故障时间变化之间的相关性
作者:
R. G. Filippi
;
C. Christiansen
;
P.-C. Wang
;
A. T. Kim
;
B. Li
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Stress;
Reliability;
Correlation;
Dielectrics;
Testing;
Metals;
3.
On-chip protection in precision integrated circuits operating at high voltage and high temperature
机译:
在高压和高温下运行的精密集成电路中的片上保护
作者:
James Zhao
;
Javier A. Salcedo
;
Jean-Jacques Hajjar
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Electrostatic discharges;
Integrated circuits;
Leakage currents;
Temperature measurement;
Voltage control;
Clamps;
Robustness;
4.
Reliability characterizations of display driver IC on High-k/ metal-gate technology
机译:
基于High-k /金属栅技术的显示驱动器IC的可靠性表征
作者:
Donghoon Kim
;
Jungdong Kim
;
Kidan Bae
;
Hyejin Kim
;
Lira Hwang
;
Sangchul Shin
;
Hyung-Nyung Park
;
In-Taek Ku
;
Jongwoo Park
;
Sangwoo Pae
;
Haebum Lee
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Stress;
Reliability;
Optimization;
MOSFET;
Annealing;
Integrated circuits;
5.
Characterization of self-heating leads to universal scaling of HCI degradation of multi-fin SOI FinFETs
机译:
自热的特性导致普遍发展的多鳍片SOI FinFET的HCI降级
作者:
Hai Jiang
;
SangHoon Shin
;
Xiaoyan Liu
;
Xing Zhang
;
Muhammad Ashraful Alam
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Degradation;
FinFETs;
Logic gates;
Human computer interaction;
Temperature measurement;
Heating;
6.
Software-based dynamic reliability management for GPU applications
机译:
针对GPU应用的基于软件的动态可靠性管理
作者:
Si Li
;
Vilas Sridharan
;
Sudhanva Gurumurthi
;
Sudhakar Yalamanchili
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Reliability;
Graphics processing units;
Registers;
Kernel;
Computer architecture;
Transient analysis;
7.
Bidirectional NPN ESD protection in silicon photonics technology
机译:
硅光子技术中的双向NPN ESD保护
作者:
Roman Boschke
;
Shih-Hung Chen
;
Geert Hellings
;
Mirko Scholz
;
Peter De Heyn
;
Peter Verheyen
;
Joris van Campenhout
;
Dimitri Linten
;
Aaron Thean
;
Guido Groeseneken
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Electrostatic discharges;
Resistance;
Optical films;
Silicon photonics;
Optical modulation;
Stress;
8.
Improvement of solar cell performance and reversibility of ageing effects in hydrogenated amorphous silicon solar cells under illumination and electric field stress: Role of TCO and substrate
机译:
在光照和电场应力下提高氢化非晶硅太阳能电池的太阳能电池性能和老化效果的可逆性:TCO和基板的作用
作者:
Andrea Scuto
;
Marina Foti
;
Cosimo Gerardi
;
Anna Battaglia
;
Salvatore Lombardo
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Photovoltaic cells;
Stress;
Lighting;
Substrates;
Sun;
Films;
Market research;
9.
Reconfigurable power management for monolithic CMOS-on-Photovoltaic under partial and complete shading
机译:
在部分和完全遮蔽下,用于单片CMOS光伏的可重新配置电源管理
作者:
Rakeskumar Mahto
;
Payman Zarkesh-Ha
;
Olga Lavrova
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
MOSFET;
Mathematical model;
Load modeling;
Semiconductor device modeling;
Computer architecture;
Logic gates;
Detection algorithms;
10.
NBTI in Replacement Metal Gate SiGe core FinFETs: Impact of Ge concentration, fin width, fin rotation and interface passivation by high pressure anneals
机译:
替代金属栅SiGe核心FinFET中的NBTI:高压退火对Ge浓度,鳍宽度,鳍旋转和界面钝化的影响
作者:
J. Franco
;
B. Kaczer
;
A. Chasin
;
H. Mertens
;
L.-Å. Ragnarsson
;
R. Ritzenthaler
;
S. Mukhopadhyay
;
H. Arimura
;
Ph. J. Roussel
;
E. Bury
;
N. Horiguchi
;
D. Linten
;
G. Groeseneken
;
A. Thean
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Silicon germanium;
Silicon;
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
FinFETs;
Logic gates;
Reliability;
11.
New methodology for on-chip RF reliability assessment
机译:
片上RF可靠性评估的新方法
作者:
Leonhard Heiß
;
Andreas Lachmann
;
Reiner Schwab
;
Georgios Panagopoulos
;
Peter Baumgartner
;
Mamatha Yakkegondi Virupakshappaa
;
Doris Schmitt-Landsiedel
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Stress;
System-on-chip;
Stress measurement;
Integrated circuit reliability;
Radio frequency;
Transistors;
12.
Nondiffusive heat dissipation from a pulse-heated conductive filament in RRAM
机译:
RRAM中脉冲加热的导电灯丝的无扩散散热
作者:
Keith T. Regner
;
Jonathan A. Malen
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Phonons;
Heating;
Thermal conductivity;
Conductivity;
Mathematical model;
Boundary conditions;
Temperature measurement;
13.
Fundamental study of the apparent voltage-dependence of NBTI kinetics by constant electric field stress in Si and SiGe devices
机译:
Si和SiGe器件中恒定电场应力对NBTI动力学的视在电压依赖性的基础研究
作者:
S. Mukhopadhyay
;
J. Franco
;
A. Chasin
;
Ph. J. Roussel
;
B. Kaczer
;
G. Groeseneken
;
N. Horiguchi
;
D. Linten
;
A. Thean
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Stress;
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
Voltage measurement;
Silicon;
Silicon germanium;
Logic gates;
14.
Thermal characterization and challenges of advanced interconnects (Invited)
机译:
高级互连的热特性分析和挑战(已邀请)
作者:
Baozhen Li
;
Andrew Kim
;
Cathryn Christiansen
;
Roger Dufresne
;
Chad Burke
;
Dave Brochu
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Thermal conductivity;
Metals;
Heating;
Temperature measurement;
Integrated circuit interconnections;
Conductivity;
Temperature sensors;
15.
Quantitative model for post-program instabilities in filamentary RRAM
机译:
丝状RRAM中程序后不稳定性的定量模型
作者:
R. Degraeve
;
A. Fantini
;
G. Gorine
;
Ph. Roussel
;
S. Clima
;
C. Y. Chen
;
B. Govoreanu
;
L. Goux
;
D. Linten
;
M. Jurczak
;
A. Thean
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Reservoirs;
Shape;
Resistance;
Switches;
Electrodes;
Mathematical model;
Stochastic processes;
16.
A step ahead toward a new microscopic picture for charge trapping/detrapping in flash memories
机译:
迈向用于闪存中电荷捕获/去捕获的新微观图的一步
作者:
Davide Resnati
;
Christian Monzio Compagnoni
;
Giovanni M. Paolucci
;
Carmine Miccoli
;
John Barber
;
Massimo Bertuccio
;
Silvia Beltrami
;
Andrea L. Lacaita
;
Alessandro S. Spinelli
;
Angelo Visconti
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Microscopy;
Substrates;
Transient analysis;
Electron emission;
Flash memories;
Charge carrier processes;
Negative bias temperature instability;
17.
CAFM based spectroscopy of stress-induced defects in HfO2 with experimental evidence of the clustering model and metastable vacancy defect state
机译:
基于CAFM的HfO2应力诱发缺陷的光谱学,具有聚类模型和亚稳态空位缺陷状态的实验证据
作者:
A. Ranjan
;
N. Raghavan
;
K. Shubhakar
;
R. Thamankar
;
J. Molina
;
S. J. OShea
;
M. Bosman
;
K. L. Pey
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Electric breakdown;
Stress;
Hafnium compounds;
Market research;
Dielectrics;
Degradation;
Spectroscopy;
18.
Dynamical observation of H-induced gate dielectric degradation through improved nuclear reaction analysis system
机译:
通过改进的核反应分析系统动态观察H诱导的栅极介电质退化
作者:
Yusuke Higashi
;
Riichiro Takaishi
;
Masamichi Suzuki
;
Yasushi Nakasaki
;
Mitsuhiro Tomita
;
Yuichiro Mitani
;
Masuaki Matsumoto
;
Koichi Kato
;
Shohei Ogura
;
Katsuyuki Fukutani
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Hydrogen;
Ions;
Ion beams;
Dielectrics;
Logic gates;
Degradation;
Dielectric measurement;
19.
NVM cell degradation induced by femtosecond laser backside irradiation for reliability tests
机译:
飞秒激光背面照射引起的NVM细胞降解用于可靠性测试
作者:
V. Della Marca
;
M. Chambonneau
;
S. Souiki-Figuigui
;
J. Postel-Pellerin
;
P. Canet
;
P. Chiquet
;
E. Kussener
;
F. Yengui
;
R. Wacquez
;
D. Grojo
;
J.-M. Portal
;
M. Lisart
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Nonvolatile memory;
Measurement by laser beam;
Semiconductor lasers;
Radiation effects;
Logic gates;
Degradation;
Ultrafast optics;
20.
Aging-aware adaptive voltage scaling of product blocks in 28nm nodes
机译:
28nm节点中产品模块的可感知老化的自适应电压缩放
作者:
V. Huard
;
F. Cacho
;
A. Benhassain
;
C. Parthasarathy
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Monitoring;
Latches;
IP networks;
Degradation;
Delays;
Aging;
21.
Investigation of reverse recovery effects on the SOA of integrated high frequency power transistors
机译:
反向恢复对集成高频功率晶体管SOA的影响的研究
作者:
Krishna Rajagopal
;
Ann Concannon
;
Phil Hower
;
Farzan Farbiz
;
Akram Salman
;
John Arch
;
Peter Elo
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Switches;
ISO;
Semiconductor optical amplifiers;
Logic gates;
Topology;
Immune system;
Substrates;
22.
A new aspect of time-dependent clustering model for non-uniform dielectric TDDB
机译:
非均匀介质TDDB时变聚类模型的新方面
作者:
T. Shimizu
;
N. Suzumura
;
K. Ohgata
;
H. Tsuchiya
;
H. Aono
;
M. Ogasawara
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Mathematical model;
Dielectrics;
Weibull distribution;
Electric fields;
Shape;
Data models;
Compounds;
23.
Reliability vs. security: Challenges and opportunities for developing reliable and secure integrated circuits
机译:
可靠性与安全性:开发可靠且安全的集成电路的挑战与机遇
作者:
Fahim Rahman
;
Domenic Forte
;
Mark M Tehranipoor
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Security;
Integrated circuits;
Integrated circuit reliability;
Performance evaluation;
Hardware;
Aging;
24.
Latchup holding voltages and trigger currents in an SOI technology
机译:
SOI技术中的闩锁保持电压和触发电流
作者:
Guido Quax
;
Theo Smedes
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Resistance;
Current measurement;
Voltage measurement;
Thyristors;
Layout;
Substrates;
Silicon-on-insulator;
25.
Data archiving in 1x-nm NAND flash memories: Enabling long-term storage using rank modulation and scrubbing
机译:
1x-nm NAND闪存中的数据归档:使用秩调制和清理来实现长期存储
作者:
Yue Li
;
Eyal En Gad
;
Anxiao Andrew Jiang
;
Jehoshua Bruck
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Computer architecture;
Microprocessors;
Reliability;
Threshold voltage;
Error correction codes;
Bit error rate;
Programming;
26.
Fundamental statistical properties of reconstruction methodology for TDDB with variability in BEOL/MOL/FEOL applications
机译:
TDDB重建方法在BEOL / MOL / FEOL应用中具有可变性的基本统计属性
作者:
Ernest Wu
;
James Stathis
;
Baozhen Li
;
Andrew Kim
;
Barry Linder
;
Ronald Bolam
;
Griselda Bonilla
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Dielectrics;
Deconvolution;
Weibull distribution;
Logic gates;
Stress;
Junctions;
Dielectric breakdown;
27.
Highly-accelerated WLR learning cycles for development of a trench MOSFET: Method and case study
机译:
开发沟槽MOSFET的高度加速的WLR学习周期:方法和案例研究
作者:
Darren Moore
;
Gavin D. R. Hall
;
Masaru Suzuki
;
Peter Burke
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Resistance;
Tin;
Silicides;
Reliability;
Logic gates;
Stress;
MOSFET;
28.
Near neighbor sort yield and wafer sort yield impact on product burn-in and a time dependent reliability study
机译:
近邻分选良率和晶圆分选良率对产品老化的影响以及时间依赖性可靠性研究
作者:
Richard D. Heller
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Production;
Semiconductor device reliability;
Semiconductor device modeling;
Built-in self-test;
Weibull distribution;
Histograms;
29.
Device-level jitter as a probe of ultrafast traps in high-k MOSFETs
机译:
器件级抖动作为高k MOSFET中超快陷阱的探测
作者:
D. Veksler
;
J. P. Campbell
;
J. Zhong
;
H. Zhu
;
C. Zhao
;
K. P. Cheung
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Stress;
Logic gates;
Electron traps;
Stress measurement;
MOSFET;
Timing jitter;
30.
A compact model for RRAM including random telegraph noise
机译:
包含随机电报噪声的RRAM紧凑模型
作者:
Bochen Guan
;
Jing Li
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Fluctuations;
Electron traps;
Integrated circuit modeling;
Mathematical model;
Data models;
Switches;
Current measurement;
31.
A finite element method study of delamination at the interface of the TSV interconnects
机译:
TSV互连界面分层的有限元方法研究
作者:
S. Papaleo
;
H. Ceric
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Stress;
Through-silicon vias;
Delamination;
Finite element analysis;
Steady-state;
Silicon;
Silicon compounds;
32.
Extensive reliability investigation of a-VMCO nonfilamentary RRAM: Relaxation, retention and key differences to filamentary switching
机译:
a-VMCO非丝RRAM的广泛可靠性研究:丝线转换的松弛,保留和关键差异
作者:
Subhali Subhechha
;
Bogdan Govoreanu
;
Yangyin Chen
;
Sergiu Clima
;
Kristin De Meyer
;
Jan Van Houdt
;
Malgorzata Jurczak
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Switches;
Annealing;
Programming;
Reliability;
Resistance;
Degradation;
Performance evaluation;
33.
A fast reliability screening technique for identification of trap generation
机译:
用于识别陷阱产生的快速可靠性筛选技术
作者:
K. Joshi
;
Z. R. Xiao
;
S. H. Gao
;
C. Huang
;
T.M. Shen
;
P.J. Liao
;
Y.-H. Lee
;
J.R. Shih
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
MOSFET;
Stress;
Electron traps;
Logic gates;
Atomic layer deposition;
Tunneling;
Fluorine;
34.
Effect of H2O on TDDB for a range of ULK ILD materials with varying damage resistance for robust and weak liners
机译:
H2O对一系列ULK ILD材料的TDDB影响
作者:
E. G. Liniger
;
R. B. Laibowitz
;
T. M. Shaw
;
S. A. Cohen
;
A. Raja
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Water;
Loss measurement;
Stress;
Moisture;
Two dimensional displays;
Temperature measurement;
Robustness;
35.
Semi-empirical interconnect resistance model for advanced technology nodes: A model apt for materials selection based upon test line resistance measurements
机译:
先进技术节点的半经验互连电阻模型:一种适合基于测试线电阻测量进行材料选择的模型
作者:
Ph. J. Roussel
;
I. Ciofi
;
R. Degraeve
;
V. Vega Gonzalez
;
N. Jourdan
;
R. Baert
;
D. Linten
;
J. Bömmels
;
Z. Tokei
;
G. Groeseneken
;
A. Thean
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Resistance;
Conductivity;
Calibration;
Integrated circuit interconnections;
Data models;
Metals;
Semiconductor device modeling;
36.
A new model for dielectric breakdown mechanism of silicon nitride metal-insulator-metal structures
机译:
氮化硅金属-绝缘体-金属结构介电击穿机理的新模型
作者:
Kenji Okada
;
Yutaka Ito
;
Shigeru Suzuki
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Stress;
Silicon compounds;
Films;
Electric breakdown;
Periodic structures;
Temperature measurement;
Voltage measurement;
37.
SE performance of a Schmitt-trigger-based D-flip-flop design in a 16-nm bulk FinFET CMOS process
机译:
基于施密特触发器的D触发器设计在16纳米批量FinFET CMOS工艺中的SE性能
作者:
H. Jiang
;
H. Zhang
;
D. R. Ball
;
L. W. Massengill
;
B. L. Bhuva
;
T. R. Assis
;
B. Narasimham
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Inverters;
FinFETs;
Neutrons;
Temperature distribution;
Protons;
Latches;
38.
The state of Pb-free solder — A joint reliability overview
机译:
无铅焊料的状态—联合可靠性概述
作者:
Vasu Vasudevan
;
Tanner Schulz
;
Min Pei
;
F. Toth
;
A. E. Lucero
;
Bite Zhou
;
Sibasish Mukherjee
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Strain;
Reliability;
Mathematical model;
Finite element analysis;
Fatigue;
Data models;
Testing;
39.
Extreme scale and bleeding edge technology lead to a need for resilient high performance computing systems
机译:
极端的规模和前沿技术导致对弹性高性能计算系统的需求
作者:
Nathan DeBardeleben
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Supercomputers;
Hardware;
Program processors;
Random access memory;
Software reliability;
40.
Transistor reliability characterization and comparisons for a 14 nm tri-gate technology optimized for System-on-Chip and foundry platforms
机译:
针对片上系统和铸造平台优化的14 nm三栅极技术的晶体管可靠性表征和比较
作者:
C. Prasad
;
K. W. Park
;
M. Chahal
;
I. Meric
;
S. R. Novak
;
S. Ramey
;
P. Bai
;
H.-Y. Chang
;
N. L. Dias
;
W. M. Hafez
;
C.-H. Jan
;
N. Nidhi
;
R. W. Olac-vaw
;
R. Ramaswamy
;
C. Tsai
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Transistors;
MOS devices;
Dielectrics;
Integrated circuit reliability;
Degradation;
41.
Long-term reliability of a hard-switched boost power processing unit utilizing SiC power MOSFETs
机译:
使用SiC功率MOSFET的硬开关升压功率处理单元的长期可靠性
作者:
Stanley A. Ikpe
;
Jean-Marie Lauenstein
;
Gregory A. Carr
;
Don Hunter
;
Lawrence L. Ludwig
;
William Wood
;
Christopher J. Iannello
;
Linda Y. Del Castillo
;
Fred D. Fitzpatrick
;
Mohammad M. Mojarradi
;
Yuan Chen
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
MOSFET;
Silicon carbide;
Threshold voltage;
Temperature measurement;
Reliability;
Stress;
42.
The “permanent” component of NBTI revisited: Saturation, degradation-reversal, and annealing
机译:
重新审视了NBTI的“永久性”组成部分:饱和,降解逆转和退火
作者:
T. Grasser
;
M. Waltl
;
G. Rzepa
;
W. Goes
;
Y. Wimmer
;
A.-M. El-Sayed
;
A. L. Shluger
;
H. Reisinger
;
B. Kaczer
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Stress;
Hydrogen;
Temperature measurement;
Charge carrier processes;
Reservoirs;
Negative bias temperature instability;
43.
On why dielectric breakdown strength reduces with dielectric thickness
机译:
关于为什么电介质击穿强度会随电介质厚度而降低
作者:
J. W. McPherson
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Electric fields;
Dielectric breakdown;
Capacitors;
Lattices;
Surface treatment;
44.
Time-dependent series resistance and implications for voltage acceleration models in BEOL TDDB
机译:
时间相关的串联电阻及其对BEOL TDDB中电压加速模型的影响
作者:
A. Kim
;
B. Li
;
P. McLaughlin
;
C. Christiansen
;
E. Wu
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Stress;
Charge carrier processes;
Acceleration;
Resistance;
Breakdown voltage;
Fingers;
Voltage measurement;
45.
Electromigration failure of circuit interconnects
机译:
电路互连的电迁移故障
作者:
M. H. Lin
;
A. S. Oates
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Stress;
Critical current density (superconductivity);
Electromigration;
Steady-state;
Reservoirs;
Conductors;
Current density;
46.
1/f Noise measurements for faster electromigration characterization
机译:
1 / f噪声测量,可更快地表征电迁移
作者:
Sofie Beyne
;
Kristof Croes
;
Ingrid De Wolf
;
Zsolt Tokei
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Noise measurement;
Electromigration;
Stress;
Resistance;
Low-frequency noise;
Temperature measurement;
Time-frequency analysis;
47.
Engineering the failure-free lifetime for Cu vias
机译:
设计铜过孔的无故障寿命
作者:
Gavin D. R. Hall
;
Derryl D. J. Allman
;
Masaichi Eda
;
Thomas F. Long
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Stress;
Metals;
High-temperature superconductors;
Adhesives;
Creep;
Data models;
Reliability;
48.
Investigation of logic circuit soft error rate (SER) in 14nm FinFET technology
机译:
14nm FinFET技术中逻辑电路软错误率(SER)的研究
作者:
Taiki Uemura
;
Soonyoung Lee
;
Jongwoo Park
;
Sangwoo Pae
;
Haebum Lee
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
FinFETs;
Random access memory;
Error analysis;
Flip-flops;
Clocks;
Reliability;
49.
Triangular Voltage Sweep (TVS) characterisation for Through-Silicon-Via (TSV) reliability
机译:
三角形电压扫描(TVS)表征通过硅通孔(TSV)的可靠性
作者:
C. Kothandaraman
;
S. Cohen
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Through-silicon vias;
TV;
Reliability;
Copper;
Ions;
Dielectrics;
Mobile communication;
50.
Mismatch circuit aging modeling and simulations for robust product design and pre-/post-silicon verification
机译:
不匹配的电路老化建模和仿真,用于可靠的产品设计和硅前后验证
作者:
Hyewon Shim
;
Yoohwan Kim
;
Jongwook Jeon
;
Yongsang Cho
;
Jongwoo Park
;
Sangwoo Pae
;
Haebum Lee
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Integrated circuit modeling;
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
Transistors;
Stress;
Aging;
Integrated circuit reliability;
51.
System-level error correction by read-disturb error model of 1Xnm TLC NAND Flash memory for read-intensive enterprise solid-state drives (SSDs)
机译:
通过用于读取密集型企业固态驱动器(SSD)的1Xnm TLC NAND闪存的读取干扰错误模型进行系统级错误校正
作者:
Yoshiaki Deguchi
;
Tsukasa Tokutomi
;
Ken Takeuchi
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Flash memories;
Error correction codes;
Parity check codes;
Measurement uncertainty;
Reliability;
Decoding;
Memory management;
52.
Exploiting low power circuit topologies for soft error mitigation
机译:
利用低功耗电路拓扑来减轻软错误
作者:
N. N. Mahatme
;
I. Chatterjee
;
S. Jagannathan
;
N. Gaspard
;
T. Assis
;
S.-J. Wen
;
R. Wong
;
B. L. Bhuva
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Standards;
Adders;
Power demand;
Inverters;
Delays;
Error analysis;
53.
Systematic transient characterization of graphene interconnects for on-chip ESD protection
机译:
用于片上ESD保护的石墨烯互连的系统瞬态特性
作者:
Qi Chen
;
Rui Ma
;
Fei Lu
;
Chenkun Wang
;
Ming Liu
;
Albert Wang
;
Wei Zhang
;
Ming Xia
;
Ya-Hong Xie
;
Yuhua Cheng
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Electrostatic discharges;
Graphene;
Wires;
Integrated circuit interconnections;
Testing;
Metals;
54.
Muon-induced soft errors in 16-nm NAND flash memories
机译:
Muon引起的16 nm NAND闪存中的软错误
作者:
M. Bagatin
;
S. Gerardin
;
A. Paccagnella
;
A. Visconti
;
S. Beltrami
;
M. Bertuccio
;
K. Ishida
;
C. D. Frost
;
A. Hillier
;
V. Ferlet-Cavrois
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Mesons;
Flash memories;
Radiation effects;
Nonvolatile memory;
Sea level;
Threshold voltage;
Ionizing radiation;
55.
Temperature dependence of soft-error rates for FF designs in 20-nm bulk planar and 16-nm bulk FinFET technologies
机译:
FF设计在20-nm体平面和16-nm体FinFET技术中的软错误率与温度的关系
作者:
H. Zhang
;
H. Jiang
;
T. R. Assis
;
D. R. Ball
;
K. Ni
;
J. S. Kauppila
;
R. D. Schrimpf
;
L.W. Massengill
;
B. L. Bhuva
;
B. Narasimham
;
S. Hatami
;
A. Anvar
;
A. Lin
;
J. K. Wang
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Delays;
FinFETs;
Temperature dependence;
Threshold voltage;
Temperature distribution;
56.
New insights on the ESD behavior and failure mechanism of multi wall CNTs
机译:
多壁碳纳米管ESD行为和失效机理的新见解
作者:
Abhishek Mishra
;
Mayank Shrivastava
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Electron tubes;
Electrostatic discharges;
Stress;
Annealing;
Current measurement;
Voltage measurement;
57.
Fast 3D electro-optical frequency mapping and probing in frequency domain
机译:
频域中的快速3D电光频率映射和探测
作者:
K. Melendez
;
K. Sanchez
;
P. Perdu
;
K. Melendez
;
D. Lewis
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Harmonic analysis;
Optical imaging;
Optical noise;
Timing;
Image reconstruction;
Time-frequency analysis;
58.
Root cause of degradation in novel HfO2-based ferroelectric memories
机译:
新型基于HfO2的铁电存储器退化的根本原因
作者:
Milan Pesic
;
Franz P. G. Fengler
;
Stefan Slesazeck
;
Uwe Schroeder
;
Thomas Mikolajick
;
Luca Larcher
;
Andrea Padovani
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Leakage currents;
Degradation;
Stress;
Hafnium compounds;
Capacitors;
Electrodes;
59.
Surface-potential-based compact modeling of BTI
机译:
基于表面势的BTI紧凑建模
作者:
Ivan Sanchez Esqueda
;
Hugh J. Barnaby
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Stress;
MOSFET;
Temperature measurement;
Frequency measurement;
Logic gates;
Electron traps;
Degradation;
60.
Effects of current stress and thermal storage on polymeric heterojunction P3HT:PCBM solar cell
机译:
电流应力和蓄热对聚合物异质结P3HT:PCBM太阳能电池的影响
作者:
Antonio Rizzo
;
Andrea Cester
;
Lorenzo Torto
;
Marco Barbato
;
Nicola Wrachien
;
Nicolo Lago
;
Michael Corazza
;
Frederik C. Krebs
;
Suren A. Gevorgyan
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Stress;
Photoconductivity;
Current measurement;
Lighting;
Thermal stresses;
Short-circuit currents;
Photovoltaic cells;
61.
Hot-carrier analysis on nMOS Si FinFETs with solid source doped junction
机译:
具有固体源掺杂结的nMOS Si FinFET的热载流子分析
作者:
Adrian Chasm
;
Jacopo Franco
;
Romain Ritzenthaler
;
Geert Hellings
;
Moonju Cho
;
Yuichiro Sasaki
;
Alexandre Subirats
;
Philippe Roussel
;
Ben Kaczer
;
Dimitri Linten
;
Naoto Horiguchi
;
Guido Groeseneken
;
Aaron Thean
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Stress;
Degradation;
FinFETs;
Logic gates;
Junctions;
Reliability;
Doping;
62.
Budget-based reliability management to handle impact of thermal issues in 16nm technology
机译:
基于预算的可靠性管理,可处理16nm技术中的散热问题
作者:
Jae-Gyung Ahn
;
John Cooksey
;
Nitin Navale
;
Nick Lo
;
Ping-Chin Yeh
;
Jonathan Chang
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Reliability;
FinFETs;
Logic gates;
Wires;
Human computer interaction;
Metals;
63.
FinFET SCR structure optimization for high-speed serial links ESD protection
机译:
FinFET SCR结构优化,可实现高速串行链路ESD保护
作者:
Li-Wei Chu
;
Yi-Feng Chang
;
Yu-Ti Su
;
Kuo-Ji Chen
;
Ming-Hsiang Song
;
Jam-Wem Lee
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Electrostatic discharges;
Thyristors;
FinFETs;
Layout;
Logic gates;
Parasitic capacitance;
64.
Impact of wafer thinning on front-end reliability for 3D integration
机译:
晶圆减薄对3D集成的前端可靠性的影响
作者:
Adrian Chasin
;
Mirko Scholz
;
Wei Guo
;
Jacopo Franco
;
Goedele Potoms
;
Anne Jourdain
;
Dimitri Linten
;
Geert Van der Plas
;
Philippe Absil
;
Eric Beyne
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
Through-silicon vias;
Electrostatic discharges;
Stress;
Logic gates;
FinFETs;
65.
The physical mechanism investigation between HK/IL gate stack breakdown and time-dependent oxygen vacancy trap generation in FinFET devices
机译:
FinFET器件中HK / IL栅极堆叠击穿与时间相关的氧空位陷阱产生之间的物理机制研究
作者:
C. H. Yang
;
S. C. Chen
;
Y. S. Tsai
;
R. Lu
;
Y.-H. Lee
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Stress;
Logic gates;
MOS devices;
Admittance;
Electron traps;
Electric breakdown;
Energy states;
66.
Machine learning-based proactive data retention error screening in 1Xnm TLC NAND flash
机译:
1Xnm TLC NAND闪存中基于机器学习的主动数据保留错误筛选
作者:
Yoshio Nakamura
;
Tomoko Iwasaki
;
Ken Takeuchi
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Machine learning algorithms;
Prediction algorithms;
Support vector machines;
Predictive models;
Flash memories;
Measurement uncertainty;
Error correction codes;
67.
Temperature sense effect in HCI self-heating de convolution: Application to 28nm FDSOI
机译:
HCI自热解卷积中的温度感测效应:在28nm FDSOI中的应用
作者:
X. Federspiel
;
G. Torrente
;
W. Arfaoui
;
F. Cacho
;
V. Huard
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Temperature measurement;
Temperature sensors;
Stress;
Human computer interaction;
Temperature;
Stress measurement;
Temperature dependence;
68.
Electromigration: Multiphysics model and experimental calibration
机译:
电迁移:多物理场模型和实验校准
作者:
G. Marti
;
W. H. Zisser
;
L. Arnaud
;
Y. Wouters
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Stress;
Electromigration;
Cathodes;
Reliability;
Resistance;
Copper;
Integrated circuit interconnections;
69.
Hot carrier reliability characterization in consideration of self-heating in FinFET technology
机译:
FinFET技术中考虑自发热的热载流子可靠性表征
作者:
Minjung Jin
;
Changze Liu
;
Jinju Kim
;
Jungin Kim
;
Seungjin Choo
;
Yoohwan Kim
;
Hyewon Shim
;
Lijie Zhang
;
Kab-jin Nam
;
Jongwoo Park
;
Sangwoo Pae
;
Haebum Lee
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Human computer interaction;
Stress;
Reliability;
Integrated circuit modeling;
Degradation;
FinFETs;
Hot carriers;
70.
Study of oxygen vacancy in high-k gate dielectric by charge injection technique
机译:
电荷注入技术研究高k栅介质中的氧空位
作者:
P. J. Liao
;
S. H. Gao
;
K. Joshi
;
Y.-H. Lee
;
T. L. Lee
;
H. S. Wang
;
S. Y. Chien
;
J. S. Wang
;
J. R. Shih
;
K. Wu
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Substrates;
Stress;
Resource description framework;
Plasma temperature;
Annealing;
71.
Timing characterizations of device and CPU-like circuit to ensure process reliability
机译:
设备和类似CPU的电路的时序特性,以确保过程可靠性
作者:
M.-H. Hsieh
;
T.-Y. Yew
;
Y.-C. Huang
;
W. Wang
;
N. H. Tseng
;
W. S. Chou
;
Y.-H. Lee
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Stress;
Degradation;
Integrated circuit reliability;
Delays;
Loading;
72.
Mission profile recorder: An aging monitor for hard events
机译:
任务配置文件记录器:用于硬事件的老化监视器
作者:
S. Mhira
;
V. Huard
;
A. Jain
;
F. Cacho
;
D. Meyer
;
S. Naudet
;
A. Bravaix
;
C. Parthasarathy
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Temperature measurement;
Aging;
Temperature sensors;
Monitoring;
Degradation;
Electric breakdown;
Voltage measurement;
73.
Impact of trap creation at SiO2/Poly-Si interface on ultra-thin SiO2 reliability
机译:
SiO2 / Poly-Si界面处陷阱的形成对超薄SiO2可靠性的影响
作者:
Y. Mitani
;
M. Suzuki
;
Y. Higashi
;
R. Takaishi
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Deuterium;
Reliability;
Oxidation;
Electron traps;
Substrates;
74.
Layout dependence of gate dielectric TDDB in HKMG FinFET technology
机译:
HKMG FinFET技术中栅极电介质TDDB的布局依赖性
作者:
Wen Liu
;
Ernest Wu
;
Fernando Guarin
;
Charles Griffin
;
Roger Dufresne
;
Dinesh Badami
;
Michael Shinosky
;
David Brochu
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Layout;
Logic gates;
Stress;
Leakage currents;
Electric breakdown;
Dielectrics;
Fitting;
75.
Transient thermometry and HRTEM analysis of RRAM thermal dynamics during switching and failure
机译:
切换和故障期间RRAM热动力学的瞬态测温和HRTEM分析
作者:
Jonghan Kwon
;
Abhishek A. Sharma
;
Chao-Yang Chen
;
Andrea Fantini
;
Malgorzata Jurczak
;
James A. Bain
;
Yoosuf N. Picard
;
Marek Skowronski
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Switches;
Temperature;
Heating;
Temperature measurement;
Crystallization;
Transient analysis;
Microstructure;
76.
Negative bias temperature instability lifetime prediction: Considering frequency, voltage and activation energy via novel methodology of MSM-SFMF
机译:
负偏压温度不稳定性寿命预测:通过MSM-SFMF的新方法考虑频率,电压和活化能
作者:
C. H. Chiang
;
N. Ke
;
S. N. Kuo
;
C. J. Wang
;
K. C. Su
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Frequency measurement;
Stress;
Voltage measurement;
Temperature measurement;
Velocity measurement;
Stress measurement;
Negative bias temperature instability;
77.
Time-ordered events CPU reliability assessment
机译:
时间顺序事件CPU可靠性评估
作者:
Ioan Sauciuc
;
Robert Kwasnick
;
Roksana Akhter
;
Manas Ojha
;
Maritza Tse
;
Divya Mani
;
Carlos Beas
;
Gurindeijit Kaur
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Temperature measurement;
Reliability;
Temperature distribution;
Silicon;
Games;
Steady-state;
Integrated circuit modeling;
78.
Power-supply impact on the reliability of mid-1X TLC NAND flash memories
机译:
电源对中置1倍TLC NAND闪存的可靠性的影响
作者:
Cristian Zambelli
;
Pietro King
;
Piero Olivo
;
Luca Crippa
;
Rino Micheloni
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Flash memories;
Voltage control;
Programming;
Charge pumps;
Integrated circuit reliability;
Power supplies;
79.
Data-retention time prediction of long-term archive SSD with flexible-nLC NAND flash
机译:
带有可伸缩nLC NAND闪存的长期存档SSD的数据保留时间预测
作者:
Tomonori Takahashi
;
Senju Yamazaki
;
Ken Takeuchi
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Flash memories;
Time measurement;
Sociology;
Statistics;
Reliability;
Measurement uncertainty;
Prediction methods;
80.
Electromigration induced thermomigration in microbumps by thermal cross-talk across neighboring chips in 2.5D IC
机译:
通过2.5D IC中相邻芯片之间的热串扰,电迁移引起微凸块中的热迁移
作者:
Menglu Li
;
K. N. Tu
;
Dong-Wook Kim
;
Sam Gu
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Electromigration;
Silicon;
Integrated circuits;
Testing;
Annealing;
Atomic layer deposition;
Nickel;
81.
Resolution of poly gate to substrate contact short reliability failures on non-volatile memory
机译:
多晶硅栅极与基板接触的解决方案,非易失性存储器上的短路可靠性故障
作者:
Suresh Chandrasekaran
;
Paul Jowett
;
Tarun Mishra
;
Carl Shafer
;
Rhonell Cruz
;
Kenneth Noronha
;
Siddhesh Bhosle
;
Venkateshwara Reddy Sanivarapu
;
Nikhil Rangaraju
;
Divesh Kapoor
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Substrates;
Optimization;
Dielectrics;
Stress;
Semiconductor device reliability;
82.
Modelling of 1T-NOR flash operations for consumption optimization and reliability investigation
机译:
1T-NOR闪存操作建模以优化功耗和可靠性
作者:
J. Coignus
;
G. Torrente
;
A. Vernhet
;
S. Renard
;
D. Roy
;
G. Reimbold
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Standards;
Degradation;
Logic gates;
Transistors;
Aging;
Reliability;
Electrostatics;
83.
Moisture impact on dielectric reliability in low-k dielectric materials
机译:
水分对低k电介质材料的电介质可靠性的影响
作者:
Ki-Don Lee
;
Quan Yuan
;
Anuj Patel
;
Zack Tran Mai
;
Logan H. Brown
;
Steven English
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Moisture;
Dielectrics;
Leakage currents;
Reliability;
Degradation;
Atmosphere;
Bonding;
84.
Evaluation of inter and intra level TDDB of Cu/Low-k interconnect for high voltage application
机译:
用于高压应用的Cu / Low-k互连的层间和层内TDDB评估
作者:
Mingte Lin
;
Chihching Yang
;
Hung-Yu Chen
;
Alex Juan
;
K. C. Su
;
Ya-Chin King
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Dielectrics;
Metals;
Reliability;
Electric fields;
Leakage currents;
Stress;
Dielectric breakdown;
85.
ESD self-protection design on 2.4-GHz T/R switch for RF application in CMOS process
机译:
用于CMOS工艺中RF应用的2.4 GHz T / R开关ESD自我保护设计
作者:
Chun-Yu Lin
;
Rui-Hong Liu
;
Ming-Dou Ker
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Electrostatic discharges;
Radio frequency;
Transceivers;
Switching circuits;
Switches;
Robustness;
MOSFET;
86.
Optimization of PESD implant design for ESD robustness of 5V drain-back N-LDMOSFET
机译:
针对5V漏N-LDMOSFET的ESD鲁棒性的PESD注入设计优化
作者:
Chun Chiang
;
Ping-Chen Chang
;
Pei-Shan Tseng
;
Po-Ya Lai
;
Tien-Hao Tang
;
Kuan-Cheng Su
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Electrostatic discharges;
Thyristors;
Breakdown voltage;
Current distribution;
Implants;
Logic gates;
87.
Improving the long pulse width failure current of NPN in BiCMOS technology
机译:
在BiCMOS技术中改善NPN的长脉冲宽度故障电流
作者:
Yang Xiu
;
Aravind Appaswamy
;
Zaichen Chen
;
Akram Salman
;
Mariano Dissegna
;
Gianluca Boselli
;
Elyse Rosenbaum
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Current measurement;
Electrostatic discharges;
Layout;
Voltage measurement;
BiCMOS integrated circuits;
Pulse measurements;
88.
Optimizing Cu barrier thickness for interconnects performance, reliability and yield
机译:
优化铜阻挡层厚度,以实现互连性能,可靠性和良率
作者:
Tian Shen
;
Balajee Rajagopalan
;
Mary Claire Silvestre
;
Eswar Ramanathan
;
Anbu Selvam K M Mahalingam
;
Wenyi Zhang
;
Kong Boon Yeap
;
Patrick Justison
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Resistance;
Reliability;
Stress;
Plating;
Metals;
Films;
Temperature measurement;
89.
Scenario-based set-level HTOL test (ASH III) for product quality and reliability qualifications on high-speed APs
机译:
基于场景的集合级HTOL测试(ASH III),可在高速AP上获得产品质量和可靠性认证
作者:
Jongwoo Park
;
Jeonghoon Kim
;
Minhyeok Choe
;
Hyewon Shim
;
Wooyeon Kim
;
Sangmin Park
;
Sangchul Shin
;
Yunwhan Kim
;
Jiheon Jeong
;
Hyunjo Shin
;
Haebum Lee
;
Sangwoo Pae
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Stress;
Reliability;
Aging;
Qualifications;
Graphics processing units;
Standards;
Production;
90.
Correlation between dynamic Rdsou transients and Carbon related buffer traps in AlGaN/GaN HEMTs
机译:
AlGaN / GaN HEMT中动态Rdsou瞬变与碳相关的缓冲阱之间的相关性
作者:
Ferdinando Iucolano
;
Antonino Parisi
;
Santo Reina
;
Alfonso Patti
;
Salvatore Coffa
;
Gaudenzio Meneghesso
;
Giovanni Verzellesi
;
Fausto Fantini
;
Alessandro Chini
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Transient analysis;
Carbon;
Gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Time-varying systems;
Time-domain analysis;
Aluminum gallium nitride;
91.
Device breakdown optimization of AhOs/GaN MISFETs
机译:
AhOs / GaN MISFET的器件击穿优化
作者:
X. Kang
;
D. Wellekens
;
M. Van Hove
;
B. De Jaeger
;
N. Ronchi
;
T.-L. Wu
;
S. You
;
B. Bakeroot
;
J. Hu
;
D. Marcon
;
S. Stoffels
;
S. Decoutere
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Electric breakdown;
Stress;
Dielectrics;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Aluminum oxide;
92.
Aging of I/O overdrive circuit in FinFET technology and strategy for design optimization
机译:
FinFET技术中I / O过驱动电路的老化和设计优化策略
作者:
S. E. Liu
;
M. H. Yu
;
Y. R. Chen
;
J. Y. Jao
;
M. Z. Lin
;
Y. H. Fang
;
M. J. Lin
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Aging;
Integrated circuit reliability;
Degradation;
Mathematical model;
Human computer interaction;
FinFETs;
93.
Voltage acceleration and pulse dependence of barrier breakdown in MgO based magnetic tunnel junctions
机译:
基于MgO的磁性隧道结中势垒击穿的电压加速度和脉冲依赖性
作者:
S. Van Beek
;
K. Martens
;
P. Roussel
;
G. Donadio
;
J. Swerts
;
S. Mertens
;
A. Thean
;
G. Kar
;
A. Furnemont
;
G. Groeseneken
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Electric breakdown;
Acceleration;
Magnetic tunneling;
Breakdown voltage;
Stress;
Resistance;
Oscilloscopes;
94.
Optimum filler geometry for suppression of moisture diffusion in molding compounds
机译:
最佳的填料几何形状可抑制水分在模塑料中的扩散
作者:
Woojin Ahn
;
SangHoon Shin
;
Reza Asadpour
;
Dhanoop Varghese
;
Luu Nguyen
;
Srikanth Krishnan
;
Muhammad Ashraful Alam
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Compounds;
Moisture;
Mathematical model;
Solid modeling;
Geometry;
Numerical models;
Three-dimensional displays;
95.
Investigating the single-event-transient sensitivity of 65 nm clock trees with heavy ion irradiation and Monte-Carlo simulation
机译:
用重离子辐照和蒙特卡洛模拟研究65 nm时钟树的单事件瞬态灵敏度
作者:
Victor Malherbe
;
Gilles Gasiot
;
Sylvain Clerc
;
Fady Abouzeid
;
Jean-Luc Autran
;
Philippe Roche
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Clocks;
Monte Carlo methods;
Histograms;
Ions;
Radiation effects;
Shift registers;
Robustness;
96.
Impact of alpha-radiation on power MOSFETs
机译:
α辐射对功率MOSFET的影响
作者:
G. Schindler
;
K.-H. Bach
;
P. Nelle
;
M. Deckers
;
A. Knapp
;
K. Ermisch
;
C. Feuerbaum
;
W. V. Emden
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Stress;
MOSFET;
Mobile communication;
Leakage currents;
Ions;
Performance evaluation;
97.
On conduction mechanisms through SiN/AlGaN based gate dielectric and assessment of intrinsic reliability
机译:
基于SiN / AlGaN的栅介质的导电机理及固有可靠性评估
作者:
Abhishek Banerjee
;
Piet Vanmeerbeek
;
Luc De Schepper
;
Steven Vandeweghe
;
Peter Coppens
;
Peter Moens
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Logic gates;
Silicon compounds;
Temperature measurement;
Dielectrics;
Stress;
Temperature;
Acceleration;
98.
Random telegraph noise in HfOx Resistive Random Access Memory: From physics to compact modeling
机译:
HfOx电阻随机存取存储器中的随机电报噪声:从物理到紧凑建模
作者:
Francesco Maria Puglisi
;
Paolo Pavan
;
Luca Larcher
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Integrated circuit modeling;
Hafnium compounds;
Predictive models;
Resistance;
Physics;
Fluctuations;
Data models;
99.
Study of the potential-induced degradation kinetics
机译:
潜在诱导的降解动力学研究
作者:
Jaione Bengoechea
;
Mikel Ezquer
;
Javier Diaz
;
Ana Rosa Lagunas
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Pollution measurement;
Degradation;
Photovoltaic systems;
Real-time systems;
Photovoltaic cells;
Cameras;
100.
Potential induced degradation in high-efficiency bifacial solar cells
机译:
高效双面太阳能电池中的潜在诱导降解
作者:
M. Barbato
;
M. Meneghini
;
A. Cester
;
A. Barbato
;
G. Meneghesso
;
G. Tavernaro
;
M. Rossetto
会议名称:
《International Reliability Physics Symposium》
|
2016年
关键词:
Photovoltaic cells;
Stress;
Degradation;
Encapsulation;
Robustness;
Silicon;
Ions;
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