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Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International
Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International
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Author Index
机译:
作者索引
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
2.
A 0.18 μm 4Mb toggling MRAM
机译:
0.18μm4Mb触发MRAM
作者:
Durlam M.
;
Addie D.
;
Akerman J.
;
Butcher B.
;
Brown P.
;
Chan J.
;
DeHerrera M.
;
Engel B.N.
;
Feil B.
;
Grynkewich G.
;
Janesky J.
;
Johnson M.
;
Kyler K.
;
Molla J.
;
Martin J.
;
Nagel K.
;
Ren J.
;
Rizzo N.D.
;
Rodriguez T.
;
Savtchenko L.
;
Salter J.
;
Slaughter J.M.
;
Smith K.
;
Sun J.J.
;
Lien M.
;
Papworth K.
;
Shah P.
;
Qin W.
;
Williams R.
;
Wise L.
;
Tehrani S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
3.
Mixed-signal performance of sub-100nm fully-depleted SOI devices with metal gate, high K (HfO
2
) dielectric and elevated source/drain extensions
机译:
具有金属栅极,高K(HfO
2 sub>)介电层和提高的源/漏扩展的100nm以下全耗尽SOI器件的混合信号性能
作者:
Vandooren A.
;
Thean A.V.Y.
;
Du Y.
;
To I.
;
Hughes J.
;
Stephens T.
;
Huang M.
;
Egley S.
;
Zavala M.
;
Sphabmixay K.
;
Barr A.
;
White T.
;
Samavedam S.
;
Mathew L.
;
Schaeffer J.
;
Triyoso D.
;
Rossow M.
;
Roan D.
;
Pham D.
;
Rai R.
;
Nguyen B.-Y.
;
White B.
;
Orlowski M.
;
Duvallet A.
;
Dao T.
;
Mogab J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
4.
Semiconductor spintronics: manipulating electron and nuclear spins
机译:
半导体自旋电子学:操纵电子和核自旋
作者:
Awschalom D.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
5.
20 nm N+ abrupt junction formation in strained Si/Si
1-x
Ge
x
MOS device
机译:
应变Si / Si
1-x sub> Ge
x sub> MOS器件中20 nm N + sup>突然结形成
作者:
Lee K.L.
;
Cardone F.
;
Saunders P.
;
Kozlowski P.
;
Ronsheim P.
;
Zhu H.
;
Li J.
;
Chu J.
;
Chan K.
;
Ieong M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
6.
90-nm-node multi-level AG-AND type flash memory with cell size of true 2 F2/bit and programming throughput of 10 MB/s
机译:
90 nm节点的多层AG-AND型闪存,单元大小为真正的2 F 2 sup> /位,编程吞吐量为10 MB / s
作者:
Sasago Y.
;
Kurata H.
;
Arigane T.
;
Otsuga K.
;
Kobayashi T.
;
Ikeda Y.
;
Fukumura T.
;
Narumi S.
;
Sato A.
;
Terauchi T.
;
Shimizu M.
;
Noda S.
;
Kozakai K.
;
Tsuchiya O.
;
Furusawa K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
7.
An 8F2 MRAM technology using modified metal lines
机译:
使用改良金属线的8F 2 sup> MRAM技术
作者:
Park J.H.
;
Jeong W.C.
;
Kim H.J.
;
Oh J.H.
;
Koo H.C.
;
Koh G.H.
;
Jeong G.T.
;
Jeong H.S.
;
Jeong Y.J.
;
Cho S.L.
;
Lee J.E.
;
Kim K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
8.
Fully working 1.25 μm2 6T-SRAM cell with 45 nm gate length triple gate transistors
机译:
具有45 nm栅极长度的三栅极晶体管的1.25μm 2 sup> 6T-SRAM单元可完全工作
作者:
Jeong-Hwan Yang
;
You-Seung Jin
;
Hyae-Ryoung Lee
;
Kyoung-Seok Rha
;
Jung-A Choi
;
Su-Kon Bae
;
Maeda S.
;
Young-Wug Kim
;
Kwang-Pyuk Suh
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
9.
Fabrication of pentacene organic field-effect transistors containing SiO
2
nanoparticle thin film as the gate dielectric
机译:
以SiO
2 sub>纳米薄膜为栅极电介质的并五苯有机场效应晶体管的制备
作者:
Tianhong Cui
;
Guirong Liang
;
Jingshi Shi
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
10.
A 90 nm CMOS MS/RF based foundry SOC technology comprising superb 185 GHz f
T
RFMOS and versatile, high-Q passive components for cost/performance optimization
机译:
基于90 nm CMOS MS / RF的代工SOC技术,包括出色的185 GHz f
T sub> RFMOS和通用的高Q无源元件,可优化成本/性能
作者:
Chen C.H.
;
Chang C.S.
;
Chao C.P.
;
Kuan J.F.
;
Chang C.L.
;
Wang S.H.
;
Hsu H.M.
;
Lien W.Y.
;
Tsai Y.C.
;
Lin H.C.
;
Wu C.C.
;
Huang C.F.
;
Chen S.M.
;
Tseng P.M.
;
Chen C.W.
;
Ku C.C.
;
Lin T.Y.
;
Chang C.F.
;
Lin H.J.
;
Tsai M.R.
;
Chen S.
;
Chen C.F.
;
Wei M.Y.
;
Wang Y.J.
;
Lin J.C.H.
;
Chen W.M.
;
Chang C.C.
;
King M.C.
;
Huang C.M.
;
Lin C.T.
;
Guo J.C.
;
Chern G.J.
;
Tang D.D.
;
Sun J.Y.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
11.
A 65 nm CMOS technology with a high-performance and low-leakage transistor, a 0.55 μm2 6T-SRAM cell and robust hybrid-ULK/Cu interconnects for mobile multimedia applications
机译:
65 nm CMOS技术,高性能和低泄漏晶体管,0.55μm 2 sup> 6T-SRAM单元以及用于移动多媒体应用的强大的混合ULK / Cu互连
作者:
Nakai S.
;
Kojima M.
;
Misawa N.
;
Miyajima M.
;
Asai S.
;
Inagaki S.
;
Iba Y.
;
Ohba T.
;
Kase M.
;
Kitada H.
;
Satoh S.
;
Shimizu N.
;
Sugiura I.
;
Sugimoto F.
;
Setta Y.
;
Tanaka T.
;
Tamura N.
;
Nakaishi M.
;
Nakata Y.
;
Nakahira J.
;
Nishikawa N.
;
Hasegawa A.
;
Fukuyama S.
;
Fujita K.
;
Hosaka K.
;
Horiguchi N.
;
Matsuyama H.
;
Minami T.
;
Minamizawa M.
;
Morioka H.
;
Yano E.
;
Yamaguchi A.
;
Watanabe K.
;
Nakamura T.
;
Sugii T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
12.
Characterization and comparison of the charge trapping in HfSiON and HfO
2
gate dielectrics
机译:
HfSiON和HfO
2 sub>栅极电介质中电荷陷阱的表征和比较
作者:
Shanware A.
;
Visokay M.R.
;
Chambers J.J.
;
Rotondaro A.L.P.
;
McPherson J.
;
Colombo L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
13.
Robust porous MSQ (k=2.3, e=12 GPa) for low-temperature (<350° C) Cu/low-k integration using ArF resist mask process
机译:
坚固的多孔MSQ(k = 2.3,e = 12 GPa)用于使用ArF抗蚀剂掩模工艺进行低温(<350°C)Cu / low-k集成
作者:
Ohashi N.
;
Misawa K.
;
Sone S.
;
Shin H.J.
;
Inukai K.
;
Soda E.
;
Kondo S.
;
Furuya A.
;
Okamura H.
;
Ogawa S.
;
Kobayashi N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
14.
A germanium NMOSFET process integrating metal gate and improved hi-κ dielectrics
机译:
集成金属栅极和改进的hi-κ电介质的锗NMOSFET工艺
作者:
Chi On Chui
;
Hyoungsub Kim
;
McIntyre P.C.
;
Saraswat K.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
15.
Neutron soft error rate measurements in a 90-nm CMOS process and scaling trends in SRAM from 0.25-μm to 90-nm generation
机译:
90纳米CMOS工艺中的中子软错误率测量以及0.25微米至90纳米一代的SRAM缩放趋势
作者:
Hazucha P.
;
Karnik T.
;
Maiz J.
;
Walstra S.
;
Bloechel B.
;
Tschanz J.
;
Dermer G.
;
Hareland S.
;
Armstrong P.
;
Borkar S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
16.
Multifunction integration of junction-MOSFETs and nonvolatile FETs on a single 4H-SiC substrate for 300° C operation
机译:
结型MOSFET和非易失性FET在单个4H-SiC衬底上的多功能集成,可在300°C的温度下运行
作者:
Sang-Mo Koo
;
Zetterling C.-M.
;
Ostling M.
;
Khartsev S.
;
Grishin A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
17.
A novel SONOS structure of SiO
2
/SiN/Al
2
O
3
with TaN metal gate for multi-giga bit flash memories
机译:
具有TaN金属栅极的SiO
2 sub> / SiN / Al
2 sub> O
3 sub>的新颖SONOS结构,用于多千兆位闪存
作者:
Chang Hyun Lee
;
Kyung In Choi
;
Myoung Kwan Cho
;
Yun Heub Song
;
Kyu Charn Park
;
Kinam Kim
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
18.
A novel, very high performance, sub-20nm depletion-mode double-gate (DMDG) Si/Si
x
Ge
(1-x)
/Si channel PMOSFET
机译:
新型,高性能,低于20nm的耗尽型双栅(DMDG)Si / Si
x sub> Ge
(1-x) sub> / Si沟道PMOSFET
作者:
Krishnamohan T.
;
Jungemann C.
;
Saraswat K.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
19.
Voltage and temperature dependence of capacitance of high-k HfO
2
MIM capacitors: a unified understanding and prediction
机译:
高k HfO
2 sub> MIM电容器的电容电压和温度依赖性:统一的理解和预测
作者:
Chunxiang Zhu
;
Hang Hu
;
Xiongfei Yu
;
Kim S.J.
;
Chin A.
;
Li M.F.
;
Byung Jin Cho
;
Kwong D.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
20.
A model for Al
2
O
3
ALD conformity and deposition rate from oxygen precursor reactivity
机译:
氧前体反应性对Al
2 sub> O
3 sub> ALD顺应性和沉积速率的模型
作者:
Prechtl G.
;
Kersch A.
;
Schulze Icking-Konert G.
;
Jacobs W.
;
Hecht T.
;
Boubekeur H.
;
Schroder U.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
21.
Single crystal SiC capacitive pressure sensor at 400° C
机译:
400°C时的单晶SiC电容式压力传感器
作者:
Jiangang Du
;
Young D.J.
;
Zorman C.A.
;
Ko W.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
22.
Performance enhancement of 0.13μm In
0.65
GaAs PHEMT by reduction of parasitic effect using novel double-deck shaped (DDS) gate structure
机译:
使用新型双层栅极结构降低寄生效应,提高0.13μmIn
0.65 sub> GaAs PHEMT的性能
作者:
Dae-Hyun Kim
;
Seong-Jin Yeon
;
Jae-Hak Lee
;
Kwang-Seok Seo
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
23.
Unified mobility model for high-κ gate stacks MISFETs
机译:
高κ栅极堆叠MISFET的统一迁移率模型
作者:
Saito S.
;
Hisamoto D.
;
Kimura S.
;
Hiratani M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
24.
70nm NAND flash technology with 0.025 μm2 cell size for 4Gb flash memory
机译:
70nm NAND闪存技术,单元大小为0.025μm 2 sup>,用于4Gb闪存
作者:
Yong-Sik Yim
;
Kwang-Shik Shin
;
Sung-Hoi Hur
;
Jae-Duk Lee
;
Ihn-Gee Balk
;
Hong-Soo Kim
;
Soo-Jin Chai
;
Eun-Young Choi
;
Min-Cheol Park
;
Dong-Seok Eun
;
Sung-Bok Lee
;
Hye-Jin Lim
;
Sun-Pil Youn
;
Sung-Hun Lee
;
Tae-Jung Kim
;
Han-Soo Kim
;
Kyu-Charn Park
;
Ki-Nam Kim
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
25.
Double raised source/drain transistor with 50 nm gate length on 17 nm UTF-SOI for 1.1 μm2 embedded SRAM technology
机译:
在17 nm UTF-SOI上具有50 nm栅极长度的双凸起源/漏晶体管,适用于1.1μm 2 sup>嵌入式SRAM技术
作者:
Chang Bong Oh
;
Myoung Hwan Oh
;
Hee Sung Kang
;
Chang Hyun Park
;
Byung Jun Oh
;
Yoon Hae Kim
;
Hwa Sung Rhee
;
Young Wug Kim
;
Kwang Pyuk Suh
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
26.
ALD HfO
2
using heavy water (D
2
O) for improved MOSFET stability
机译:
使用重水(D
2 sub> O)的ALD HfO
2 sub>提高MOSFET的稳定性
作者:
Tseng H.-H.
;
Ramon M.E.
;
Hebert L.
;
Tobin P.J.
;
Triyoso D.
;
Grant J.M.
;
Jiang Z.X.
;
Roan D.
;
Samavedam S.B.
;
Gilmer D.C.
;
Kalpat S.
;
Hobbs C.
;
Taylor W.J.
;
Adetutu O.
;
White B.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
27.
The impact of sub monolayers of HfO
2
on the device performance of high-k based transistors MOSFETs
机译:
HfO
2 sub>的子单层对高k型晶体管MOSFETs的器件性能的影响
作者:
Ragnarsson L.-A.
;
Pantisano L.
;
Kaushik V.
;
Saito S.-I.
;
Shimamoto Y.
;
De Gendt S.
;
Heyns M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
28.
Problems with metal-oxide high-κ dielectrics due to 1/t dielectric relaxation current in amorphous materials
机译:
由于非晶材料中的1 / t介电弛豫电流而导致的金属氧化物高κ电介质问题
作者:
Jameson J.R.
;
Griffin P.B.
;
Agah A.
;
Plummer J.D.
;
Kim H.-S.
;
Taylor D.V.
;
McIntyre P.C.
;
Harrison W.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
29.
Ultra low power SiGe:C HBT for 0.18 μm RF-BiCMOS
机译:
适用于0.18μmRF-BiCMOS的超低功耗SiGe:C HBT
作者:
Xu M.W.
;
Decoutere S.
;
Sibaja-Hernandez A.
;
Van Wichelen K.
;
Witters L.
;
Loo R.
;
Kunnen E.
;
Knorr C.
;
Sadovnikov A.
;
Bulucea C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
30.
Poly-Si TFT fabricated at 150° C using ICP-CVD and excimer laser annealing for plastic substrates
机译:
使用ICP-CVD和受激准分子激光退火在150°C的塑料衬底上制造的多晶硅TFT
作者:
Min-Cheol Lee
;
Sang-Myeon Han
;
Su-Hyuk Kang
;
Moon-Young Shin
;
Min-Koo Han
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
31.
Performance improvement of MOSFET with HfO
2
-Al
2
O
3
laminate gate dielectric and CVD-TaN metal gate deposited by TAIMATA
机译:
用TAIMATA沉积的HfO
2 sub> -Al
2 sub> O
3 sub>层栅电介质和CVD-TaN金属栅提高MOSFET的性能
作者:
Seong Geon Park
;
You Kyoung Lee
;
Sang Bom Kang
;
Hyung Suk Jung
;
Seok Joo Doh
;
Jong-Ho Lee
;
Jae Ho Choi
;
Gyeong Hoon Kim
;
Gil Heyun Choi
;
U In Chung
;
Joo Tae Moon
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
32.
High performance ALD HfO
2
-Al
2
O
3
laminate MIM capacitors for RF and mixed signal IC applications
机译:
适用于RF和混合信号IC应用的高性能ALD HfO
2 sub> -Al
2 sub> O
3 sub>层压MIM电容器
作者:
Hang Hu
;
Shi-Jin Ding
;
Lim H.F.
;
Chunxiang Zhu
;
Li M.F.
;
Kim S.J.
;
Yu X.F.
;
Chen J.H.
;
Yong Y.F.
;
Byung Jin Cho
;
Chan D.S.H.
;
Rustagi S.C.
;
Yu M.B.
;
Tung C.H.
;
Anyan Du
;
Doan My
;
Foot P.D.
;
Chin A.
;
Dim-Lee Kwong
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
33.
Effect of bulk trap density on HfO
2
reliability and yield
机译:
体陷阱密度对HfO
2 sub>可靠性和产量的影响
作者:
Degraeve R.
;
Kerber A.
;
Roussell P.
;
Cartier E.
;
Kauerauf T.
;
Pantisano L.
;
Groeseneken G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
34.
High mobility Si/SiGe strained channel MOS transistors with HfO
2
/TiN gate stack
机译:
具有HfO
2 sub> / TiN栅叠层的高迁移率Si / SiGe应变沟道MOS晶体管
作者:
Datta S.
;
Dewey G.
;
Doczy M.
;
Doyle B.S.
;
Jin B.
;
Kavalieros J.
;
Kotlyar R.
;
Metz M.
;
Zelick N.
;
Chau R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
35.
Self-aligned top and bottom metal double gate low temperature poly-Si TFT fabricated at 550° C on non-alkali glass substrate by using DPSS CW laser lateral crystallization method
机译:
DPSS CW激光横向结晶法在无碱玻璃基板上于550°C制作的自对准上下金属双栅极低温多晶硅TFT
作者:
Hara A.
;
Takei M.
;
Yoshino K.
;
Takeuchi F.
;
Chida M.
;
Sasaki N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
36.
Low resistivity nickel germanosilicide contacts to ultra-shallow Si
1-x
Ge
x
source/drain junctions for nanoscale CMOS
机译:
低电阻率锗硅化镍接触纳米级CMOS的超浅Si
1-x sub> Ge
x sub>源/漏结
作者:
Ozturk M.C.
;
Jing Liu
;
Hongxiang Mo
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
37.
Integrated sensor and electronics processing for >10^8 'iMEMS' inertial measurement unit components
机译:
集成传感器和电子设备处理,用于> 10 ^ 8个“ iMEMS”惯性测量单元组件
作者:
Lewis S.
;
Alie S.
;
Brosnihan T.
;
Core C.
;
Core T.
;
Howe R.
;
Geen J.
;
Hollocher D.
;
Judy M.
;
Memishian J.
;
Nunan K.
;
Paine R.
;
Sherman S.
;
Tsang B.
;
Wachtmann B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
38.
High performance 90/65nm BEOL technology with CVD porous low-k dielectrics (k∼2.5) and low-k etching stop (k∼3.0)
机译:
高性能90 / 65nm BEOL技术,具有CVD多孔低k电介质(k〜2.5)和低k蚀刻停止层(k〜3.0)
作者:
Wu Z.C.
;
Chou T.J.
;
Lin S.H.
;
Huang Y.L.
;
Lin C.H.
;
Li L.P.
;
Chen B.T.
;
Lu Y.C.
;
Chiang C.C.
;
Chen M.C.
;
Chang W.
;
Jang S.M.
;
Liang M.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
39.
Soft error immune 0.46 μm2 SRAM cell with MIM node capacitor by 65 nm CMOS technology for ultra high speed SRAM
机译:
具有65nm CMOS技术的MIM节点电容器和MIM节点电容器的抗软错误0.46μm 2 sup> SRAM单元,用于超高速SRAM
作者:
Soon-Moon Jung
;
Hoon Lim
;
Wonseok Cho
;
Hoosung Cho
;
Hatae Hong
;
Jaehun Jeong
;
Sugwoo Jung
;
Hanbyung Park
;
Byoungkeun Son
;
Youngchul Jang
;
Kinam Kim
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
40.
Integration of fluorinated nano-crystal memory cells with 4.6F2 size by landing plug polysilicon contact and direct-tungsten bitline
机译:
通过插塞多晶硅接触和直接钨位线集成尺寸为4.6F 2 sup>的氟化纳米晶体存储单元
作者:
Il-Gweon Kim
;
Yanagidaira K.
;
Hiramoto T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
41.
Inversion channel mobility in high-κ high performance MOSFETs
机译:
高性能高性能MOSFET中的反向沟道迁移率
作者:
Ren Z.
;
Fischetti M.V.
;
Gusev E.P.
;
Cartier E.A.
;
Chudzik M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
42.
Experimental study on carrier transport mechanisms in double- and single-gate ultrathin-body MOSFETs - Coulomb scattering, volume inversion, and δT
SOI
-induced scattering
机译:
双栅和单栅超薄MOSFET载流子传输机制的实验研究-库仑散射,体积倒置和δT
SOI sub>引起的散射
作者:
Uchida K.
;
Junji Koga
;
Shin-ichi Takagi
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
43.
Fully silicided NiSi and germanided NiGe dual gates on SiO
2
/Si and Al
2
O
3
/Ge-on-insulator MOSFETs
机译:
SiO
2 sub> / Si和Al
2 sub> O
3 sub> /绝缘体上Ge MOSFET上的全硅化NiSi和锗化NiGe双栅极
作者:
Huang C.H.
;
Yu D.S.
;
Chin A.
;
Wu C.H.
;
Chen W.J.
;
Chunxiang Zhu
;
Li M.F.
;
Byung Jin Cho
;
Dim-Lee Kwong
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
44.
Thermally robust high quality HfN/HfO
2
gate stack for advanced CMOS devices
机译:
具有耐热性能的高质量HfN / HfO
2 sub>栅极叠层,用于先进的CMOS器件
作者:
Yu H.Y.
;
Kang J.F.
;
Chen J.D.
;
Ren C.
;
Hou Y.T.
;
Whang S.J.
;
Li M.-F.
;
Chan D.S.H.
;
Bera K.L.
;
Tung C.H.
;
Du A.
;
Kwong D.-L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
45.
Performance comparison of sub 1 nm sputtered TiN/HfO
2
nMOS and pMOSFETs
机译:
1 nm以下溅射TiN / HfO
2 sub> nMOS和pMOSFET的性能比较
作者:
Tsai W.
;
Ragnarsson L.-A.
;
Pantisano L.
;
Chen P.J.
;
Onsia B.
;
Schram T.
;
Cartier E.
;
Kerber A.
;
Young E.
;
Caymax M.
;
De Gendt S.
;
Heyns M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
46.
New approaches to improve the endurance of TiN/HfO
2
/TiN capacitor during the back-end process for 70nm DRAM device
机译:
70nm DRAM器件后端工艺中提高TiN / HfO
2 sub> / TiN电容器耐久性的新方法
作者:
Jae Hyoung Choi
;
Jeong-Hee Chung
;
Se-Hoon Oh
;
Jeong Sik Choi
;
Cha-Young Yoo
;
Sung-Tae Kim
;
U-In Chung
;
Joo-Tae Moon
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
47.
Low Noise Balanced-CMOS on Si110 surface forAnalog/Digital Mixed Signal Circuits
机译:
用于模拟/数字混合信号电路的Si 110表面上的低噪声平衡CMOS
作者:
Teramoto A.
;
Hamada T.
;
Akahori H.
;
Nii K.
;
Suwa T.
;
Kotani K.
;
Hirayama M.
;
Sugawa S.
;
Ohmi T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International》
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