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International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
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1.
Hot carrier study including e-e scattering based on a backward Monte Carlo method
机译:
基于反向蒙特卡洛方法的包括e-e散射在内的热载子研究
作者:
Markus Kampl
;
Hans Kosina
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Scattering;
Monte Carlo methods;
Trajectory;
Mathematical model;
MOSFET;
Boltzmann equation;
Hot carriers;
2.
A computationally efficient compact model for leakage in cross-point array
机译:
计算效率高的紧凑模型,用于交叉点阵列中的泄漏
作者:
Ahmedullah Aziz
;
Nicholas Jao
;
Suman Datta
;
Vijaykrishnan Narayanan
;
Sumeet Kumar Gupta
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Resistance;
Computational modeling;
Mathematical model;
Leakage currents;
Switches;
Magnetic tunneling;
Computer architecture;
3.
A SPICE-compatible model of SG-MONOS for 28nm flash macro design considering the parasitic resistance caused by trapped charges
机译:
SG-MONOS的SPICE兼容模型,用于28nm闪存宏设计,考虑了由捕获电荷引起的寄生电阻
作者:
Risho Koh
;
Mitsuru Miyamori
;
Katsumi Tsuneno
;
Tetsuya Muta
;
Yoshiyuki Kawashima
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Resistance;
Fitting;
Transistors;
Split gate flash memory cells;
MONOS devices;
Logic gates;
Electric potential;
4.
Analysis of quasi-ballistic hole transport capability of Ge and Si nanowire pMOSFETs by a quantum-corrected Boltzmann transport equation
机译:
通过量子校正的玻耳兹曼输运方程分析Ge和Si纳米线pMOSFET的准弹道空穴传输能力
作者:
Hajime Tanaka
;
Jun Suda
;
Tsunenobu Kimoto
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
MOSFET;
Silicon;
Electric potential;
Logic gates;
Boltzmann equation;
Mathematical model;
Nanoscale devices;
5.
Sub 0.5 V bias voltage operation of a triple-topgate graphene tunnel field effect transistor
机译:
三顶栅石墨烯隧道场效应晶体管的低于0.5 V偏置电压工作
作者:
Shunei Suzuki
;
Ahmed M. M. Hammam
;
Marek E. Schmidt
;
Manoharan Muruganathan
;
Hiroshi Mizuta
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Graphene;
TFETs;
Tunneling;
Photonic band gap;
Performance evaluation;
6.
A hybrid MPI/OpenMP parallelization method for a quantum drift-diffusion model
机译:
量子漂移扩散模型的混合MPI / OpenMP并行化方法
作者:
Shohiro Sho
;
Shinji Odanaka
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Mathematical model;
Computational modeling;
Numerical models;
MOSFET circuits;
Matrix decomposition;
Semiconductor device modeling;
Additives;
7.
A unified aging model with recovery effect and its impact on circuit design
机译:
具有恢复效果的统一老化模型及其对电路设计的影响
作者:
Wai-Kit Lee
;
Kasa Huang
;
Li Chung Hsu
;
Clement Huang
;
Jim Liang
;
Julian Chen
;
Cheng Hsiao
;
Ke-Wei Su
;
Chung-Kai Lin
;
Min-Chie Jeng
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Degradation;
Integrated circuit modeling;
Aging;
Stress;
Data models;
Delays;
Simulation;
8.
Small-signal analysis of silicon nanowire transistors based on a Poisson/Schrödinger/Boltzmann solver
机译:
基于Poisson /Schrödinger/ Boltzmann求解器的硅纳米线晶体管的小信号分析
作者:
Maziar Noei
;
Dino Ruić
;
Christoph Jungemann
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Mathematical model;
Logic gates;
Transistors;
Numerical stability;
Stability analysis;
Power system stability;
Boltzmann equation;
9.
Optimization guidelines of A2RAM cell performance through TCAD simulations
机译:
通过TCAD仿真优化A2RAM单元性能的准则
作者:
F. Tcheme Wakam
;
J. Lacord
;
S. Martinie
;
J.-Ch. Barbe
;
F. Tcheme Wakam
;
M. Bawedin
;
S. Cristoloveanu
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Bridge circuits;
Logic gates;
Electrostatics;
Random access memory;
Doping;
Immune system;
Computer architecture;
10.
A physical model of the abnormal behavior of hydrogen-terminated Diamond MESFET
机译:
氢封端金刚石MESFET异常行为的物理模型
作者:
Hiu Yung Wong
;
Nelson Braga
;
R. V. Mickevicius
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Diamond;
Logic gates;
MESFETs;
Semiconductor process modeling;
Photonic band gap;
Gate leakage;
11.
Does a nanowire transistor follow the golden ratio? A 2D Poisson-Schrödinger/3D Monte Carlo simulation study
机译:
纳米线晶体管是否遵循黄金分割率? 2DPoisson-Schrödinger/ 3D蒙特卡洛模拟研究
作者:
Talib Al-Ameri
;
V. P. Georgiev
;
Fikru Adamu-Lema
;
Asen Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Transistors;
Mobile communication;
Silicon;
Correlation;
Performance evaluation;
Nanoscale devices;
12.
PNIN-GAA-tunnel FET with palladium catalytic metal gate as a highly sensitive hydrogen gas sensor
机译:
具有钯催化金属栅极的PNIN-GAA隧道FET作为高度灵敏的氢气传感器
作者:
Jaya Madan
;
Skanda Shekhar
;
Rishu Chaujar
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Sensitivity;
Temperature sensors;
Logic gates;
Gas detectors;
TFETs;
Atomic layer deposition;
Temperature;
13.
TCAD for gate stack optimization in pGaN Gate HEMT devices
机译:
TCAD用于pGaN栅极HEMT器件中的栅极堆叠优化
作者:
M.-A. Jaud
;
Y. Baines
;
M. Charles
;
E. Morvan
;
P. Scheiblin
;
A. Torres
;
M. Plissonnier
;
J.-C. Barbé
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Logic gates;
HEMTs;
Gallium nitride;
Doping;
Magnesium;
14.
Analysis of neutron-induced soft error rates on 28nm FD-SOI and 22nm FinFET latches by the PHITS-TCAD simulation system
机译:
用PHITS-TCAD模拟系统分析中子在28nm FD-SOI和22nm FinFET锁存器上引起的软错误率
作者:
Jun Furuta
;
Shigehiro Umehara
;
Kazutoshi Kobayashi
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
FinFETs;
Simulation;
Neutrons;
Error analysis;
Single event upsets;
Latches;
15.
Atomistic simulation of band-to-band tunneling in SiGe: Influence of alloy scattering
机译:
SiGe中带间隧穿的原子模拟:合金散射的影响
作者:
Hong-Hyun Park
;
Seonghoon Jin
;
Woosung Choi
;
Mathieu Luisier
;
Jongchol Kim
;
Keun-Ho Lee
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Metals;
Silicon germanium;
Scattering;
Silicon;
Tunneling;
Electric fields;
Analytical models;
16.
Dependence of avalanche breakdown on surface buffer traps in AlGaN/GaN HEMTs
机译:
雪崩击穿对AlGaN / GaN HEMT中的表面和缓冲陷阱的依赖性
作者:
Vipin Joshi
;
Bhawani Shankar
;
Shree Prakash Tiwari
;
Mayank Shrivastava
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Electron traps;
Electric breakdown;
Gallium nitride;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
HEMTs;
17.
DFT-based analysis of the origin of traps at the InAs/Si (111) interface
机译:
基于DFT的InAs / Si(111)界面陷阱的起源分析
作者:
Saurabh Sant
;
Mathieu Luisier
;
Andreas Schenk
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Silicon;
Atomic layer deposition;
Slabs;
Electron traps;
Minimization;
Wave functions;
TFETs;
18.
Electrothermal analysis of power multifinger HEMTs supported by advanced 3-D device simulation
机译:
先进的3-D设备仿真支持的功率多指HEMT的电热分析
作者:
Aleš Chvála
;
Juraj Marek
;
Patrik Príbytný
;
Alexander Šatka
;
Daniel Donoval
;
Steve Stoffels
;
Niels Posthuma
;
Stefaan Decoutere
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
HEMTs;
MODFETs;
Integrated circuit modeling;
Solid modeling;
Metallization;
Logic gates;
Analytical models;
19.
Physical issues in device modeling: Length-scale, disorder, and phase interference
机译:
设备建模中的物理问题:长度刻度,无序和相位干扰
作者:
Nobuyuki Sano
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Impurities;
Mathematical model;
Electric potential;
Resistance;
Modulation;
Scattering;
Poisson equations;
20.
Novel experimentally calibrated multiphase TCAD model for cobalt germanide growth
机译:
新型实验校准的多相TCAD模型,用于锗化钴的生长
作者:
Mohamed A. Rabie
;
Ishaq Aden-Ali
;
Yaser M. Haddara
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Cobalt;
Mathematical model;
Germanium;
Silicides;
Predictive models;
Conductivity;
Semiconductor device modeling;
21.
On the design challenges of drain extended FinFETs for advance SoC integration
机译:
面向先进SoC集成的漏极扩展FinFET的设计挑战
作者:
B. Sampath Kumar
;
Milova Paul
;
Mayank Shrivastava
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
FinFETs;
Logic gates;
Doping;
Semiconductor optical amplifiers;
Current density;
Resistance;
Three-dimensional displays;
22.
Implementing physical unclonable functions using PCM arrays
机译:
使用PCM阵列实现物理不可克隆的功能
作者:
Enrico Piccinini
;
Massimo Rudan
;
Rossella Brunetti
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Switches;
Computer architecture;
Microprocessors;
Phase change materials;
Threshold voltage;
Heating systems;
23.
FinFET NBTI degradation reduction and recovery enhancement through hydrogen incorporation and self-heating
机译:
FinFET NBTI通过氢结合和自热降低降解并提高回收率
作者:
Hiu Yung Wong
;
Steve Motzny
;
Victor Moroz
;
Subrat Mishra
;
Souvik Mahapatra
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Negative bias temperature instability;
Degradation;
Logic gates;
Heating systems;
FinFETs;
Hydrogen;
24.
Local stress engineering for the optimization of p-GaN gate HEMTs power devices
机译:
用于优化p-GaN栅极HEMT功率器件的局部应力工程
作者:
T. Cosnier
;
L. Lucci
;
A. Torres
;
M. Pala
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Silicon compounds;
HEMTs;
MODFETs;
Stress;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
25.
High speed low power all spin logic devices assisted by negative capacitance amplified voltage controlled magnetic anisotropy effect
机译:
负电容放大电压控制磁各向异性效应辅助的高速低功率所有自旋逻辑器件
作者:
Tianqi Gao
;
Lang Zeng
;
Deming Zhang
;
Xiaowan Qin
;
Mingzhi Long
;
Youguang Zhang
;
Weisheng Zhao
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Capacitance;
Switches;
Magnetization;
Magnetic anisotropy;
Energy consumption;
Logic devices;
Voltage control;
26.
TCAD analysis of SiGe channel FinFET devices
机译:
SiGe通道FinFET器件的TCAD分析
作者:
Jin Cho
;
Frank Geelhaar
;
Uzma Rana
;
Laks Vanamurthy
;
Ryan Sporer
;
Francis Benistant
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Silicon germanium;
Stress;
FinFETs;
Silicon;
Performance evaluation;
Threshold voltage;
Dispersion;
27.
Modeling of black phosphorus vertical TFETs without chemical doping for drain
机译:
无需化学掺杂的黑磷垂直TFET的漏极建模
作者:
Shang-Chun Lu
;
Youngseok Kim
;
Matthew J. Gilbert
;
Umberto Ravaioli
;
Mohamed Y. Mohamed
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
TFETs;
Tunneling;
Phosphorus;
Two dimensional displays;
Doping;
Discrete Fourier transforms;
28.
2D-TCAD simulation on retention time of Z2FET for DRAM application
机译:
Z2FET在DRAM中的保留时间的2D-TCAD模拟
作者:
M. Duan
;
F. Adam-Lema
;
B. Cheng
;
C. Navarro
;
X. Wang
;
V. P. Georgiev
;
F. Gamiz
;
C. Millar
;
A. Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Random access memory;
Electric potential;
Anodes;
Degradation;
Charge carrier processes;
Temperature dependence;
29.
Energy efficient computing with hyperdimensional vector space models
机译:
超维向量空间模型的节能计算
作者:
Sayeef Salahuddin
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Computational modeling;
Neural networks;
Machine learning;
Convolutional codes;
Convolution;
Training;
Electronics industry;
30.
Versatile technology modeling for 22FDX platform development
机译:
用于22FDX平台开发的多功能技术建模
作者:
E. M. Bazizi
;
A. Zaka
;
T. Herrmann
;
I. Cortes
;
L. Jiang
;
M. H. J. Goh
;
S. Deb Roy
;
E. Nowak
;
G. Kluth
;
P. Javorka
;
L. Pirro
;
J. Mazurier
;
D. Harame
;
T. Kammler
;
J. Hoentschel
;
J. Schaeffer
;
F. Benistant
;
B. Rice
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Transistors;
MOS devices;
Radio frequency;
Performance evaluation;
Resistance;
Logic gates;
Semiconductor process modeling;
31.
Simulation of GaN MOS capacitance with frequency dispersion and hysteresis
机译:
具有频率色散和磁滞的GaN MOS电容仿真
作者:
Koichi Fukuda
;
Junichi Hattori
;
Hidehiro Asai
;
Mitsuaki Shimizu
;
Tamotsu Hashizume
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Electron traps;
Capacitance-voltage characteristics;
Gallium nitride;
MOS capacitors;
Solid modeling;
Mathematical model;
Dispersion;
32.
Modeling of the effective field dependent mobility for TCAD simulation of DRAM cell transistors considering the random discrete dopants
机译:
考虑随机离散掺杂的DRAM单元晶体管TCAD仿真的有效场相关迁移率建模
作者:
Daewon Kim
;
Hoin Yu
;
Seungman Rhee
;
Young June Park
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Semiconductor process modeling;
Doping;
Fitting;
Logic gates;
Resistors;
Random access memory;
Transistors;
33.
Analysis of anisotropic ionization coefficient in bulk 4H-SiC with full-band Monte Carlo simulation
机译:
用全带蒙特卡罗模拟分析块状4H-SiC的各向异性电离系数
作者:
R. Fujita
;
K. Konaga
;
Y. Ueoka
;
Y. Kamakura
;
N. Mori
;
T. Kotani
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Impact ionization;
Semiconductor process modeling;
Scattering;
Phonons;
Simulation;
Monte Carlo methods;
34.
Modeling electromigration in nanoscaled copper interconnects
机译:
建模纳米级铜互连中的电迁移
作者:
L. Filipovic
;
R.L. de Orio
;
W.H. Zisser
;
S. Selberherr
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Conductivity;
Stress;
Current density;
Microstructure;
Integrated circuit interconnections;
Copper;
35.
Advanced non-quasi-static(NQS) compact model for characterization of non-resonant plasmonic terahertz detector
机译:
先进的非准静态(NQS)紧凑模型,用于表征非谐振等离子体太赫兹探测器
作者:
Sang Hyo Ahn
;
Min Woo Ryu
;
Esan Jang
;
Hyeong Ju Jeon
;
Kyung Rok Kim
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Integrated circuit modeling;
Logic gates;
Plasmons;
Detectors;
Semiconductor device modeling;
Delays;
Numerical models;
36.
Advanced quasi-self-consistent Monte Carlo simulations on high-frequency performance of nanometer-scale GaN HEMTs considering local phonon distribution
机译:
考虑局部声子分布的纳米尺度GaN HEMT高频性能的高级拟自洽蒙特卡罗模拟
作者:
Ryosuke Sawabe
;
Naoto Ito
;
Yuji Awano
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
HEMTs;
MODFETs;
Phonons;
Heating systems;
Logic gates;
Monte Carlo methods;
Gallium nitride;
37.
Performance investigation of uniaxially strained phosphorene n-MOSFETs
机译:
单轴应变磷n-MOSFET的性能研究
作者:
Sungwoo Jung
;
Junbeom Seo
;
Seonghyun Heo
;
Mincheol Shin
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Strain;
Field effect transistors;
Ions;
Photonic band gap;
MOSFET circuits;
Phosphorus;
Effective mass;
38.
An accurate metric to control time step of transient device simulation by matrix exponential method
机译:
通过矩阵指数法控制瞬态器件仿真时间步长的精确度量
作者:
Shigetaka Kumashiro
;
Tatsuya Kamei
;
Akira Hiroki
;
Kazutoshi Kobayashi
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Measurement;
Transient analysis;
Mathematical model;
Finite wordlength effects;
Taylor series;
Transient response;
Time factors;
39.
Comparison of basis sets for efficient Ab-initio modeling of semiconductors
机译:
半导体有效Ab-initio建模基础集的比较
作者:
Dhirendra Vaidya
;
Saurabh Lodha
;
Swaroop Ganguly
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Slabs;
Photonic band gap;
Nickel;
Schottky barriers;
Lattices;
Discrete Fourier transforms;
Germanium;
40.
Modeling of crystal impurities in III-V ultra-thin body field-effect transistors within the empirical tight-binding framework
机译:
在经验紧密绑定框架内对III-V型超薄体场效应晶体管中的晶体杂质进行建模
作者:
Martin Rau
;
Mathieu Luisier
;
Hong-Hyun Park
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Impurities;
Electron traps;
Semiconductor device modeling;
Tunneling;
Energy states;
Dispersion;
Crystals;
41.
Analysis of screening effects in multiple-gate and gate-all-around Si NW array FETs
机译:
分析多栅和全栅Si NW阵列FET中的屏蔽效应
作者:
Ghader Darbandy
;
Sven Mothes
;
Michael SchrOter
;
Martin Claus
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Field effect transistors;
Logic gates;
Gallium arsenide;
Silicon;
Periodic structures;
Computer architecture;
42.
The impact of hetero-junction and oxide-interface traps on the performance of InAs/Si and InAs/GaAsSb nanowire tunnel FETs
机译:
异质结和氧化物界面陷阱对InAs / Si和InAs / GaAsSb纳米线隧道FET性能的影响
作者:
A. Schenk
;
S. Sant
;
K. Moselund
;
H. Riel
;
E. Memisevic
;
L.-E. Wernersson
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
TFETs;
Logic gates;
Geometry;
Quantization (signal);
Temperature measurement;
Tunneling;
Fitting;
43.
The impact of vacancy defects on CNT interconnects: From statistical atomistic study to circuit simulations
机译:
空位缺陷对CNT互连的影响:从统计原子研究到电路仿真
作者:
Jaehyun Lee
;
Salim Berrada
;
Jie Liang
;
Toufik Sadi
;
Vihar P. Georgiev
;
Aida Todri-Sanial
;
Dipankar Kalita
;
Raphael Ramos
;
Hanako Okuno
;
Jean Dijon
;
Asen Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Integrated circuit interconnections;
Resistance;
Delay effects;
Carbon nanotubes;
Scattering;
Integrated circuit modeling;
Circuit simulation;
44.
Atoms-to-circuits simulation investigation of CNT interconnects for next generation CMOS technology
机译:
下一代CMOS技术的CNT互连的原子到电路仿真研究
作者:
Jaehyun Lee
;
Jie Liang
;
Salvatore M. Amoroso
;
Toufik Sadi
;
Liping Wang
;
Flamen Asenov
;
Andrew Pender
;
Dave T. Reid
;
Vihar P. Georgiev
;
Campbell Millar
;
Aida Todri-Sanial
;
Asen Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Integrated circuit interconnections;
Integrated circuit modeling;
Conductivity;
Quantum capacitance;
Carbon nanotubes;
Delays;
45.
Modeling of electrical activation ratios of phosphorus and nitrogen doped silicon carbide
机译:
磷和氮掺杂碳化硅的电活化比建模
作者:
Vito Šimonka
;
Andreas Hössinger
;
Josef Weinbub
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Silicon carbide;
Annealing;
Semiconductor process modeling;
Predictive models;
Impurities;
Doping;
Physics;
46.
Modeling of flicker noise in quasi-ballistic FETs
机译:
准弹道FET中的闪烁噪声建模
作者:
Avirup Dasgupta
;
Yogesh Singh Chauhan
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Field effect transistors;
Semiconductor device modeling;
Logic gates;
Current measurement;
Nanoscale devices;
1f noise;
Noise measurement;
47.
Accelerated direct flux calculations using an adaptively refined icosahedron
机译:
使用自适应精制二十面体加速直接通量计算
作者:
Paul Manstetten
;
Andreas Hössinger
;
Josef Weinbub
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Apertures;
Solid modeling;
Surface treatment;
Computational modeling;
Ray tracing;
Geometry;
Solids;
48.
Timing and power fluctuations on gate-all-around nanowire CMOS circuit induced by various sources of random discrete dopants
机译:
各种随机离散掺杂源在全栅纳米线CMOS电路上引起的时序和功率波动
作者:
Wen-Li Sung
;
Pei-Jung Chao
;
Yiming Li
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Fluctuations;
Doping;
MOSFET;
Timing;
Logic gates;
Power demand;
Gallium arsenide;
49.
Back-end limitations in advanced nodes and alternatives
机译:
高级节点和替代方案中的后端限制
作者:
A. Ayres
;
O. Rozeau
;
B. Borot
;
L. Fesquet
;
G. Cibrario
;
M. Vinet
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Delays;
Transistors;
Integrated circuit interconnections;
Three-dimensional displays;
Metals;
Logic gates;
50.
Modeling of BTI-aging V
T
stability for advanced planar and FinFET SRAM reliability
机译:
BTI时效V
T inf>稳定性建模,以提高平面和FinFET SRAM的可靠性
作者:
Y.-H. Lee
;
J. H. Lee
;
Y.S. Tsai
;
S. Mukhopadhyay
;
Y.F. Wang
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
FinFETs;
Stress;
Random access memory;
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
Degradation;
51.
Towards physics-based DTCO for performance of advanced technology nodes
机译:
迈向基于物理的DTCO,以实现先进技术节点的性能
作者:
Z. Stanojevic
;
O. Baumgartner
;
M. Karner
;
C. Kernstock
;
H. W. Karner
;
H. Demel
;
G. Strof
;
F. Mitterbauer
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Silicon;
Computational modeling;
Stress;
Semiconductor process modeling;
Silicon germanium;
FinFETs;
52.
Angular dependence of nonparabolicity factor of energy band structures
机译:
能带结构非抛物线因子的角度依赖性
作者:
Nobuya Fujimoto
;
Akira Hiroki
;
Shin Hiratoko
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Dispersion;
Effective mass;
Mathematical model;
Computational modeling;
Silicon;
Microscopy;
Least mean squares methods;
53.
Compact modeling of normally-on mosfet applicable for any technology generations
机译:
常开型mosfet的紧凑模型适用于任何技术世代
作者:
T. Iizuka
;
Y. Hirano
;
T. Umeda
;
H. Kikuchihara
;
H. Miyamoto
;
D. Navarro
;
M. Miura-Mattausch
;
H. J. Mattausch
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Mathematical model;
MOSFET;
Semiconductor device modeling;
Simulation;
Poisson equations;
Junctions;
54.
Computational modeling of hybrid graphene/quantum dot photodetectors
机译:
混合石墨烯/量子点光电探测器的计算模型
作者:
Hassan Imran
;
Saqib Iqbal
;
Amina Farooq
;
Nauman Z. Butt
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Graphene;
Silicon;
Metals;
Substrates;
Photonics;
Photodetectors;
Doping;
55.
Performance evaluation of ferroelectric MOSFETs based on Gibbs free energy
机译:
基于吉布斯自由能的铁电MOSFET的性能评估
作者:
Xiaoyi Zhang
;
Gengchiau Liang
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Iron;
Capacitance;
Atomic layer deposition;
MOSFET;
Silicon;
Capacitors;
56.
Multi-subband ensemble Monte Carlo study of tunneling leakage mechanisms
机译:
隧道泄漏机制的多子带集成蒙特卡洛研究
作者:
C. Medina-Bailon
;
C. Sampedro
;
J.L. Padilla
;
A. Godoy
;
L. Donetti
;
F. Gamiz
;
T. Sadi
;
V. Georgiev
;
A. Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Tunneling;
Logic gates;
Silicon-on-insulator;
FinFETs;
Monte Carlo methods;
Leakage currents;
Electron traps;
57.
Transport simulations with density-matrix-based real-time time-dependant density functional theory
机译:
基于基于密度矩阵的实时时变密度泛函理论的输运模拟
作者:
Samuel Andermatt
;
Mohammad Hossein Bani-Hashemian
;
Sascha Brück
;
Joost VandeVondele
;
Mathieu Luisier
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Resistance;
Computational modeling;
Physics;
Real-time systems;
Integrated circuit modeling;
Electric potential;
Nanoscale devices;
58.
Dielectric properties of mono- and bilayers determined from first principles
机译:
由第一原理确定的单层和双层的介电性能
作者:
Akash Laturia
;
William G. Vandenberghe
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Two dimensional displays;
Dielectric constant;
Microscopy;
Permittivity;
Electric potential;
Lattices;
59.
Efficient models for designing GB-level 3-D 1S1R horizontal-stacked-RRAM and vertical-RRAM arrays
机译:
用于设计GB级3-D 1S1R水平堆叠RRAM和垂直RRAM阵列的高效模型
作者:
Lin Song
;
Jinyu Zhang
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Physics;
Writing;
Power demand;
60.
Evaluation of reconfigurable tunnel FETs for low power and high performance operation
机译:
评估可重构隧道FET以实现低功耗和高性能
作者:
Stefan Blawid
;
Denise L.M. de Andrade
;
Florian Wolf
;
Sven Mothes
;
Martin Claus
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Numerical models;
Inverters;
Integrated circuit modeling;
Mathematical model;
TFETs;
61.
Unique challenges in compact modeling
机译:
紧凑建模中的独特挑战
作者:
S. Mudanai
;
A. S. Roy
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Physics;
Semiconductor films;
62.
Application of multiobjective optimizer algorithms to the design of SiC devices
机译:
多目标优化器算法在SiC器件设计中的应用
作者:
Marco Bellini
;
Lars Knoll
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Silicon carbide;
Optimization;
Semiconductor process modeling;
Computational modeling;
Doping;
MOSFET;
Impact ionization;
63.
Nanoscale-nMOSFET junction design: Quantum transport approach
机译:
纳米级nMOSFET结设计:量子传输方法
作者:
M. Ali Pourghaderi
;
Chulwoo Park
;
Jongchol Kim
;
Changwook Jeong
;
Won-Young Chung
;
Keun-Ho Lee
;
Hong-Hyun Park
;
Anh-Tuan Pham
;
Seonghoon Jin
;
Woosung Choi
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Junctions;
Logic gates;
Scattering;
Performance evaluation;
Electrostatics;
Impurities;
Nanoscale devices;
64.
Physical modeling of the electroforming process in resistive-switching devices
机译:
电阻开关设备中电铸工艺的物理建模
作者:
A. Marchewka
;
R. Waser
;
S. Menzel
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Mathematical model;
Anodes;
Exchange rates;
Resistance;
Cathodes;
Current density;
65.
Effect of strain on electron mobility in graphene
机译:
应变对石墨烯中电子迁移率的影响
作者:
Hideki Hirai
;
Matsuto Ogawa
;
Satofumi Souma
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Strain;
Graphene;
Phonons;
Electron mobility;
Optical scattering;
Boltzmann equation;
66.
Finite-difference methodology for full-chip electromigration analysis applied to 3D IC test structure: Simulation vs. experiment
机译:
用于3D IC测试结构的全芯片电迁移分析的有限差分方法:仿真与实验
作者:
Jun-Ho Choy
;
Valeriy Sukharev
;
Sandeep Chatterjee
;
Farid N. Najm
;
Armen Kteyan
;
Stéphane Moreau
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Through-silicon vias;
Stress;
Mathematical model;
Integrated circuit modeling;
Metals;
Current;
Three-dimensional displays;
67.
New approaches for first-principles modelling of inelastic transport in nanoscale semiconductor devices with thousands of atoms
机译:
具有数千个原子的纳米级半导体器件中非弹性传输的第一性原理建模的新方法
作者:
Tue Gunst
;
Mads Brandbyge
;
Mattias Palsgaard
;
Troels Markussen
;
Kurt Stokbro
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Phonons;
Silicon;
Electrodes;
Logic gates;
Nanoscale devices;
Nanowires;
Junctions;
68.
Modified angelov model for an exploratory GaN-HEMT technology with short, few-fingered gates
机译:
改进的angelov模型,用于探索性的GaN-HEMT技术,具有短而少指的栅极
作者:
Sumit Emekar
;
Jaya Jha
;
S. Mukherjee
;
M. Meer
;
K. Takhar
;
D. Saha
;
S. Ganguly
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Mathematical model;
Integrated circuit modeling;
Logic gates;
HEMTs;
Fitting;
Data models;
Solid modeling;
69.
TCAD simulation methodology for full 3-D electro-physical and advanced thermal analysis of power modules
机译:
TCAD仿真方法可对电源模块进行完整的3D电物理和高级热分析
作者:
Patrik Príbytný
;
Aleš Chvála
;
Juraj Marek
;
Daniel Donoval
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Solid modeling;
Analytical models;
Semiconductor diodes;
Multichip modules;
Temperature measurement;
Thermal analysis;
Surges;
70.
Time dependent quantum dynamical study of laser induced current switching in graphene
机译:
石墨烯中激光感应电流切换的时变量子动力学研究
作者:
Satofumi Souma
;
Takashi Akiyama
;
Kenji Sasaoka
;
Matsuto Ogawa
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Graphene;
Photonic band gap;
Laser theory;
Switches;
Radiation effects;
Electric potential;
71.
Design of high performance Graphene/Silicon photodetectors
机译:
高性能石墨烯/硅光电探测器的设计
作者:
Saqib Iqbal
;
Hassan Imran
;
Usama B. Qasim
;
Nauman Z. Butt
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Graphene;
Silicon;
Photodetectors;
Substrates;
Semiconductor process modeling;
Doping;
Photonics;
72.
Circuit-aging modeling based on dynamic MOSFET degradation and its verification
机译:
基于动态MOSFET退化的电路老化建模及其验证
作者:
Nezam Rohbani
;
Hidenori Miyamoto
;
Hideyuki Kikuchihara
;
Dondee Navarro
;
Tapas Kumar Maiti
;
Chenyue Ma
;
Mitiko Miura-Mattausch
;
Seyed-Ghassem Miremadi
;
Hans Jürgen Mattausch
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Aging;
Integrated circuit modeling;
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
MOSFET;
SRAM cells;
Degradation;
73.
On electronic structure and geometry of MoX
2
(X = S, Se, Te) and black phosphorus by ab initio Simulation with various van der waals corrections
机译:
从头开始进行MoD
2 inf>(X = S,Se,Te)和黑磷的电子结构和几何形状的仿真,并进行各种范德华校正
作者:
Yi-Chia Tsai
;
Yiming Li
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Photonic band gap;
Geometry;
Lattices;
Molybdenum;
Phosphorus;
Sulfur;
Correlation;
74.
Z2-FET DC hysteresis: Deep understanding and preliminary model
机译:
Z 2 sup> -FET直流磁滞:深入理解和初步模型
作者:
J. Lacord
;
S. Martinia
;
M.-S. Parihar
;
K. Lee
;
M. Bawedin
;
S. Cristoloveanu
;
Y. Taur
;
J.-Ch. Barbé
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Analytical models;
Switches;
Anodes;
Electric potential;
Integrated circuit modeling;
Charge carrier density;
75.
3D simulation of silicon-based single-electron transistors
机译:
硅基单电子晶体管的3D模拟
作者:
F. J. Klüpfel
;
P. Pichler
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Quantum dots;
Silicon;
Electrodes;
Tunneling;
Energy states;
Logic gates;
Quantum capacitance;
76.
Analytical model of energy level alignment at metal-organic interface facilitating hole injection
机译:
金属-有机物界面能级对准促进空穴注入的解析模型
作者:
Xuewen Shi
;
Guangwei Xu
;
Xinlv Duan
;
Nianduan Lu
;
Jiezhi Chen
;
Ling Li
;
Ming Liu
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Energy states;
Metals;
Analytical models;
Potential energy;
Electrostatics;
Numerical models;
Organic semiconductors;
77.
Random telegraph noise analysis in redox-based resistive switching devices using KMC simulations
机译:
使用KMC模拟的基于氧化还原的电阻式开关设备中的随机电报噪声分析
作者:
Elhameh Abbaspour
;
Stephan Menzel
;
Christoph Jungemann
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Switches;
Integrated circuits;
Resistance;
Electron traps;
Tunneling;
Probability distribution;
Random access memory;
78.
Optimization of RF-22nm FDSOI figures of merit with 3D TCAD simulation
机译:
利用3D TCAD仿真优化RF-22nm FDSOI品质因数
作者:
P. Scheiblin
;
J. Lacord
;
L. Lucci
;
J.C. Barbé
;
A. Zaka
;
E. M. Bazizi
;
T. Herrmann
;
S. Morvan
;
L. Pirro
;
Y. Andee
;
J. Mazurier
;
D. Harame
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Logic gates;
Resistance;
Thumb;
Three-dimensional displays;
Radio frequency;
Conductivity;
79.
Accurate BEOL statistical modeling methodology with circuit-level multi-layer process variations
机译:
具有电路级多层工艺变化的精确BEOL统计建模方法
作者:
Young-Seok Song
;
Chun-Yee Chu
;
Jongwook Jeon
;
Ui-Hui Kwon
;
Keun-Ho Lee
;
SoYoung Kim
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Integrated circuit modeling;
Integrated circuit interconnections;
Capacitance;
Delays;
Resistance;
Wires;
80.
Phonon confinement effects in diffusive quantum transport simulations with the effective mass approximation and k·p method
机译:
有效质量近似和k·p方法在扩散量子传输模拟中的声子约束效应
作者:
Anne Ziegler
;
Mathieu Luisier
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Phonons;
Charge carrier processes;
Silicon;
Transistors;
Strain;
Electric potential;
Logic gates;
81.
First-principles calculations of the non-equilibrium polarization in ultra-small Si nanowire devices
机译:
超小型Si纳米线器件中非平衡极化的第一性原理计算
作者:
Gennady Míľnikov
;
Jun-ichi Iwata
;
Nobuya Mori
;
Atsushi Osbiyama
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Mobile communication;
Nanoscale devices;
Energy management;
Discrete Fourier transforms;
Computational modeling;
Mathematical model;
Silicon;
82.
Fast evaluation of continuous-RX impact on performance for strained FDSOI
机译:
快速评估连续RX对应变FDSOI性能的影响
作者:
J. Lacord
;
M.-A. Jaud
;
T. Poiroux
;
J.-Ch. Barbé
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Stress;
Performance evaluation;
Silicon-on-insulator;
Silicon germanium;
Strain;
Logic gates;
Layout;
83.
Effects of surface orientation and body thickness on the performance of III-V ultrathin-body nMOSFETs
机译:
表面取向和主体厚度对III-V型超薄nMOSFET的性能的影响
作者:
Tsung-Hsing Yu
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Physics;
84.
Self-consistent 30-band simulation approach for (non-)uniformly strained confined heterostructure tunnel field-effect transistors
机译:
(非)均匀应变的受限异质结构隧道场效应晶体管的自洽30频带仿真方法
作者:
Devin Verreck
;
Anne S. Verhulst
;
Maarten L. Van de Put
;
Bart Sorée
;
Wim Magnus
;
Nadine Collaert
;
Anda Mocuta
;
Guido Groeseneken
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Strain;
TFETs;
Performance evaluation;
Junctions;
Photonic band gap;
Electric potential;
85.
Simulation of micro-mirrors for optical MEMS
机译:
用于光学MEMS的微镜仿真
作者:
M. Zanuccoli
;
C. Fiegna
;
E. Cianci
;
C. Wiemer
;
A. Lamperti
;
G. Tallarida
;
L. Lamagna
;
S. Losa
;
S. Rossini
;
F. Vercesi
;
I. Semenikhin
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Reflectivity;
Mirrors;
Optical reflection;
Mathematical model;
Optical surface waves;
Rough surfaces;
Surface roughness;
86.
Simulation of THz emission by plasma waves in GaAs devices based on the Boltzmann transport equation
机译:
基于玻尔兹曼输运方程的GaAs装置中等离子体波太赫兹发射的仿真
作者:
Zeinab Kargar
;
Dino Ruic
;
Tobias Linn
;
Christoph Jungemann
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
|
2017年
关键词:
Plasma temperature;
Mathematical model;
Electron mobility;
Plasma waves;
Gallium arsenide;
Dispersion;
87.
Simulation of turn-off oscillation suppression in silicon insulated gate bipolar transistors
机译:
硅绝缘栅双极型晶体管关断振荡抑制的仿真
作者:
Satoru Machida
;
Katsuya Nomura
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
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2017年
关键词:
Oscillators;
Insulated gate bipolar transistors;
Integrated circuit modeling;
Resistance;
RLC circuits;
Mathematical model;
88.
Simulation based DC and dynamic behaviour characterization of Z2FET
机译:
Z2FET的基于仿真的DC和动态行为表征
作者:
F. Adamu-Lema
;
M. Duan
;
C. Navaro
;
V. Georgiev
;
B. Cheng
;
X. Wang
;
C. Millar
;
F. Gamiz
;
A. Asenov
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
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2017年
关键词:
Logic gates;
Hysteresis;
Charge carrier processes;
Calibration;
Thyristors;
Random access memory;
Switches;
89.
Simulation of doping effect for HfOi-based RRAM based on first-principles calculations
机译:
基于第一性原理计算的基于HfOi的RRAM的掺杂效应仿真
作者:
Wei Wei
;
Xichen Chuai
;
Nianduan Lu
;
Yan Wang
;
Ling Li
;
Cong Ye
;
Ming Liu
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
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2017年
关键词:
Hafnium compounds;
Doping;
Performance evaluation;
Energy states;
Switches;
Resistance;
Semiconductor process modeling;
90.
Single event transient in bulk MOSFETs: Original modelling for SPICE application
机译:
批量MOSFET中的单事件瞬态:针对SPICE应用的原始模型
作者:
N. Rostand
;
S. Martinie
;
J. Lacord
;
O. Rozeau
;
J-C. Barbe
;
G. Hubert
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
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2017年
关键词:
Transient analysis;
Junctions;
Integrated circuit modeling;
Electric fields;
Semiconductor device modeling;
SPICE;
Mathematical model;
91.
Soft error rate estimation with TCAD and machine learning
机译:
使用TCAD和机器学习进行软错误率估计
作者:
Masanori Hashimoto
;
Wang Liao
;
Soichi Hirokawa
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
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2017年
关键词:
Transistors;
Estimation;
Monte Carlo methods;
Ions;
Training data;
Solid modeling;
92.
Stacked nanowiresanosheets GAA MOSFET from technology to design enablement
机译:
从技术到设计支持的堆叠式纳米线/纳米片GAA MOSFET
作者:
J.-Ch. Barbé
;
S. Barraud
;
O. Rozeau
;
S. Martinia
;
J. Lacord
;
P. Blaise
;
Z. Zeng
;
L. Bourdet
;
F. Triozon
;
Y. Niquet
会议名称:
《International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices》
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2017年
关键词:
Integrated circuit modeling;
Semiconductor device modeling;
Logic gates;
MOSFET;
Gallium arsenide;
Predictive models;
Mathematical model;
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