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Electron Devices Meeting, 1985 International
Electron Devices Meeting, 1985 International
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1.
Tunnel emittance growth in PPM focussed TWT's
机译:
PPM的隧道发射率增长集中于TWT
作者:
True R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
2.
Silicon thin film devices for displays—Status and directions
机译:
显示器用硅薄膜器件—状态和方向
作者:
Lakatos A.I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
3.
Gain noise reduction in InGaAs photoconductive detectors by hole sweep-out effect
机译:
通过空穴清除效应降低InGaAs光电导检测器的噪声
作者:
Ando H.
;
Kumagai M.
;
Kanbe H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
4.
Quantum mechanical effects in very short and very narrow channel MOSFETs
机译:
在非常短和非常窄的沟道MOSFET中的量子机械效应
作者:
Antoniadis D.A.
;
Warren A.C.
;
Smith H.I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
5.
Using silicon device modeling techniques for GaAs devices
机译:
将硅器件建模技术用于GaAs器件
作者:
Wilson C.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
6.
New integrated polysilicon photoconductor for ultrafast measurements on silicon
机译:
新型集成多晶硅光电导体,可在硅上进行超快速测量
作者:
Bowman D.R.
;
Dutton R.W.
;
Hammond R.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
7.
Heteroepitaxial PbTe-Si and (Pb, Sn)Se-Si structures for monolithic 3-5 µm and 8-12 µm infrared sensor arrays
机译:
异质外延PbTe-Si和(Pb,Sn)Se-Si结构用于3-5微米和8-12微米单片红外传感器阵列
作者:
Zogg H.
;
Norton P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
8.
High speed BiCMOS VLSI technology with buried twin well structure
机译:
具有掩埋双阱结构的高速BiCMOS VLSI技术
作者:
Watanabe A.
;
Ikeda T.
;
Nagano T.
;
Momma N.
;
Nishio Y.
;
Tamba N.
;
Odaka M.
;
Ogiue K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
9.
VLSI Local interconnect level using titanium nitride
机译:
使用氮化钛的VLSI本地互连层
作者:
Thomas Tang
;
Che-Chia Wei
;
Haken R.
;
Holloway T.
;
Chang-Feng Wan
;
Douglas M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
10.
Laser direct writing of metal interconnects
机译:
激光直接写入金属互连
作者:
Cacouris T.
;
Krchnavek R.R.
;
Gilgen H.H.
;
Osgood R.M. Jr.
;
Kulick S.
;
Schoen J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
11.
X-Ray lithography for 0.5µm VLSI: Assessment of mask accuracy, patterning and damage
机译:
0.5微米VLSI的X射线光刻:评估掩模的准确性,图案和损坏
作者:
Hirata K.
;
Deguchi K.
;
Komatsu K.
;
Saito K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
12.
1/2-Inch 768(H)×492(V) pixel CCD image sensor
机译:
1/2英寸768(H)×492(V)像素CCD图像传感器
作者:
Oda E.
;
Orihara K.
;
Kitagawa T.
;
Arai K.
;
Kamata T.
;
Ishihara Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
13.
Latchup-free CMOS structure using shallow trench isolation
机译:
使用浅沟槽隔离的无闩锁CMOS结构
作者:
Niitsu Y.
;
Taguchi S.
;
Shibata K.
;
Fuji H.
;
Shimamune Y.
;
Iwai H.
;
Kanzaki K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
14.
Development of high frequency gyrotrons
机译:
高频回旋管的发展
作者:
Kreischer K.E.
;
Danly B.G.
;
Saito H.
;
Schutkeker J.B.
;
Temkin R.J.
;
Tran T.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
15.
Low-temperature substrate current characterization of N-channel MOSFET's
机译:
N沟道MOSFET的低温衬底电流表征
作者:
Lau D.
;
Gildenblat G.
;
Sodini C.G.
;
Nelsen D.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
16.
Silicon-on-insulator (SOI) by bonding and ETCH-back
机译:
通过键合和ETCH返回的绝缘体上硅(SOI)
作者:
Lasky J.B.
;
Stiffler S.R.
;
White F.R.
;
Abernathey J.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
17.
Properties of trench capacitors for high density DRAM applications
机译:
用于高密度DRAM应用的沟槽电容器的特性
作者:
Baglee D.A.
;
Doering R.R.
;
Elahy M.
;
Yashiro M.
;
Clark D.
;
Crank S.
;
Armstrong G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
18.
MOS Device modeling for circuit simulation
机译:
用于电路仿真的MOS器件建模
作者:
Ko P.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
19.
Creep-up phenomena in tungsten selective CVD and their application to VLSI technologies
机译:
钨选择性CVD中的蠕变现象及其在VLSI技术中的应用
作者:
Itoh H.
;
Nakata R.
;
Moriya T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
20.
Characteristics of submicrometer CMOS transistors in implanted-buried-oxide SOI films
机译:
埋入氧化物SOI膜中亚微米CMOS晶体管的特性
作者:
Hashimoto K.
;
Kamins T.I.
;
Cham K.M.
;
Chiang S.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1985 International》
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